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瑞薩電子推出業(yè)界首款客戶(hù)端時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)器CKD和第3代RCD以支持嚴(yán)苛的DDR5客戶(hù)端與服務(wù)器DIMMs應(yīng)用
- 全球半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子近日宣布面向新興的DDR5 DRAM服務(wù)器和客戶(hù)端系統(tǒng)推出客戶(hù)端時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)器（CKD）和第三代DDR5寄存時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)器（RCD）。憑借這些全新驅(qū)動(dòng)器IC，瑞薩仍舊是唯一一家為雙列直插式存儲(chǔ)器模塊（DIMM）、主板和嵌入式應(yīng)用提供完整DDR5存儲(chǔ)器接口組合的供應(yīng)商。DDR5 CKD和DDR5 RCD IC使下一代DIMM的速度分別達(dá)到每秒7200MT/s和6400MT/s，相比目前5600MT/s的傳輸速度均有所提升。CKD支持高達(dá)7200MT/s的速度，是業(yè)內(nèi)首款與小型DIMM
- 關(guān)鍵字： 瑞薩 時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)器 RCD DDR5 DIMM
瑞薩推出業(yè)界首款客戶(hù)端時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)器CKD和第3代RCD
- 新的注冊(cè)時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)器和客戶(hù)端時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)器IC率先支持速度高達(dá)6400MT/s的DDR5服務(wù)器和客戶(hù)端DIMM模塊?2023 年 6 月 28 日，中國(guó)北京訊 - 全球半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子（TSE：6723）今日宣布面向新興的DDR5 DRAM服務(wù)器和客戶(hù)端系統(tǒng)推出客戶(hù)端時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)器（CKD）和第三代DDR5寄存時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)器（RCD）。憑借這些全新驅(qū)動(dòng)器IC，瑞薩仍舊是唯一一家為雙列直插式存儲(chǔ)器模塊（DIMM）、主板和嵌入式應(yīng)用提供完整DDR5存儲(chǔ)器接口組合的供應(yīng)商。DDR5 CKD和DDR5 R
- 關(guān)鍵字： 瑞薩 時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)器 CKD RCD
認(rèn)識(shí)反激中的RCD吸收電路
- 反激式開(kāi)關(guān)電源結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，應(yīng)用廣泛，但其變壓器漏感大，開(kāi)關(guān)管存在電壓尖峰，在大部分低功率應(yīng)用場(chǎng)合都會(huì)采用簡(jiǎn)單易實(shí)現(xiàn)的RCD鉗位電路來(lái)減緩電壓尖峰，這里將簡(jiǎn)單介紹RCD電路的工作原理以及如何確定鉗位電路中的參數(shù)。 單端反激式開(kāi)關(guān)電源具有結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，輸入輸出電氣隔離，輸入電壓范圍寬，易于實(shí)現(xiàn)多路輸出，可靠性高，成本低等優(yōu)點(diǎn)而廣泛應(yīng)用于中小功率場(chǎng)合。但由于反激變壓器漏感影響，其功率開(kāi)關(guān)管在關(guān)斷時(shí)將引起電壓尖峰，必須用鉗位電路加以抑制，因此RCD鉗位電路以其簡(jiǎn)潔易實(shí)現(xiàn)多用于小功率場(chǎng)合。圖 1和圖 2分別為反
- 關(guān)鍵字： RCD 吸收電路
關(guān)于UCC28600的RCD吸收回路的思考
- 文中給出RCD吸收的工作分析過(guò)程，并根據(jù)前文分析，在實(shí)際的設(shè)計(jì)過(guò)程中，列出我們需要注意的地方。 典型的RCD吸收回路如圖： 下圖為RCD吸收的工作分析過(guò)程： t0-t1: 正向?qū)〞r(shí)間, 在Vds稍小于Vin+nV0時(shí)，二極管正向?qū)?，抑制漏感和Cds的諧振，開(kāi)始向clamp充電。 t1-t2: 二極管導(dǎo)通，Cds Llk Cclamp 三者開(kāi)始諧振，同時(shí)Rclamp 消耗部份能量。 R太小 在OFF時(shí)間 消耗能量過(guò)
- 關(guān)鍵字： UCC28600 RCD
LED隔離輸出單級(jí)反激變換相控調(diào)光電路
- 采用Marvell?88EM8183的隔離輸出單級(jí)反激變換相控調(diào)光典型應(yīng)用電路工作原理圖如圖1所示。電路圖1中的電感L和電容C2起濾波作用，電阻R1和電容C1可以起部分無(wú)源泄放作用，適當(dāng)調(diào)節(jié)電阻R1和電容C1的參數(shù)可以確保前沿相控調(diào)光可控硅的可靠觸發(fā)，電阻R3和電容C3、二極管VD3組成RCD吸收回路，防止功率開(kāi)關(guān)管VT漏極上出現(xiàn)高尖峰電壓而損壞功率開(kāi)關(guān)管VT。負(fù)溫度系數(shù)熱敏電阻R2起電路過(guò)溫度保護(hù)功能，電阻RS起功率開(kāi)關(guān)管VT的工作電流檢測(cè)功能，一旦電路出現(xiàn)負(fù)載短路或負(fù)載過(guò)電流故障，在電阻
- 關(guān)鍵字： LED RCD 88EM8183 VDD 201404
一種反激變換器的RCD吸收回路設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)
- 當(dāng)MOSFET關(guān)斷時(shí)，就會(huì)有一個(gè)高壓尖刺出現(xiàn)在其漏極上。這是由于主變壓器的漏感和MOSFET輸出電容諧振造成的，在漏極上過(guò)高的電壓可能會(huì)擊穿MOSFET，為此就必須增加一個(gè)附加電路來(lái)鉗制這個(gè)電壓。在此技術(shù)范圍，我們介紹反激變換器的RCD吸收回路。
- 關(guān)鍵字： 設(shè)計(jì) 實(shí)現(xiàn) 回路 吸收 RCD 變換器
RCD箝位反激變換器的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)
- 摘要：論述了峰值電流控制RCD箝位反激變換器的原理，介紹了UC3843電流控制型脈寬調(diào)制器的各種設(shè)置，由UC3843構(gòu)成的逆變器輔助開(kāi)關(guān)電源,具有電路簡(jiǎn)單、易于多路輸出、過(guò)載與短路能力強(qiáng)、可靠性高等優(yōu)點(diǎn)。關(guān)鍵詞：電流
- 關(guān)鍵字： 實(shí)現(xiàn) 設(shè)計(jì) 變換器 RCD
開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)之MOS管反峰及RCD吸收回路
- 對(duì)于一位開(kāi)關(guān)電源工程師來(lái)說(shuō)，在一對(duì)或多對(duì)相互對(duì)立的條件面前做出選擇，那是常有的事。而我們今天討論的這個(gè)話(huà)題就是一對(duì)相互對(duì)立的條件。（即要限制主MOS管最大反峰，又要RCD吸收回路功耗最?。? 在討論前我們先做
- 關(guān)鍵字： 吸收 回路 RCD 管反峰 設(shè)計(jì) MOS 開(kāi)關(guān)電源
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