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          5G加速 聯(lián)電首推RFSOI 3D IC解決方案

          • 聯(lián)電昨(2)日所推出業(yè)界首項RFSOI 3D IC解決方案,此55奈米RFSOI制程平臺上所使用的硅堆棧技術,在不損耗射頻(RF)效能下,可將芯片尺寸縮小逾45%,聯(lián)電表示,此技術將應用于手機、物聯(lián)網和AR/VR,為加速5G世代鋪路,且該制程已獲得多項國際專利,準備投入量產。 聯(lián)電表示,RFSOI是用于低噪聲放大器、開關和天線調諧器等射頻芯片的晶圓制程。隨著新一代智能手機對頻段數(shù)量需求的不斷增長,聯(lián)電的RFSOI 3D IC解決方案,利用晶圓對晶圓的鍵合技術,并解決了芯片堆棧時常見的射頻干擾問題,將裝置中
          • 關鍵字: 5G  聯(lián)電  RFSOI  3D IC  
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