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	rg650v-na
          

          
	
          
    	
          
    	  	
          
              	
                                
          
                  

                                
          
                    
           移遠通信高性能5G-A模組RG650V-NA通過北美兩大重要運營商認證 
          
                                                            
            
                    	
          • 近日，全球領先的物聯(lián)網(wǎng)整體解決方案供應商移遠通信宣布，其旗下符合3GPP 
R17標準的新一代5G-A模組RG650V-NA成功通過了北美兩家重要運營商認證。憑借高速度、大容量、低延遲、高可靠等優(yōu)勢，該模組可滿足CPE、家庭/企業(yè)網(wǎng)關、移動熱點、高清視頻直播等FWA應用對高速、穩(wěn)定5G網(wǎng)絡的需求。移遠通信高性能5G-A模組RG650V-NA通過北美兩大重要運營商認證此前，RG650V系列已通過了北美FCC、PTCRB以及GCF全球認證，此次再獲北美兩項認證，表明該模組已全面取得北美運營商的認可，標志著搭
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          • 關鍵字：
                        移遠通信  5G-A模組  RG650V-NA                          
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          imec采用High-NA EUV技術 展示邏輯與DRAM架構
          
                                                            
            
                    	
          • 比利時微電子研究中心（imec），在荷蘭費爾德霍溫與艾司摩爾（ASML）合作建立的高數(shù)值孔徑極紫外光（high-NA EUV）微影實驗室中，利用數(shù)值孔徑0.55的極紫外光曝光機，發(fā)表了曝光后的圖形化組件結構。在單次曝光后，9納米和5納米（間距19納米）的隨機邏輯結構、中心間距為30納米的隨機通孔、間距為22納米的二維特征，以及間距為32納米的動態(tài)隨機存取內存（DRAM）專用布局全部成功成形，采用的是由imec與其先進圖形化研究計劃伙伴所優(yōu)化的材料和基線制程。透過這些研究成果，imec證實該微影技術的生態(tài)系
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          • 關鍵字：
                        imec  High-NA  EUV  DRAM                          
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          價值3.83億美元！Intel拿下全球第二臺High NA EUV光刻機
          
                                                            
            
                    	
          • 8月6日消息，在近日的財報電話會議上，Intel CEO宣布已成功接收全球第二臺價值3.83億美元的High NA EUV（極紫外光刻機）。High NA EUV光刻機是目前世界上最先進的芯片制造設備之一，其分辨率達到8納米，能夠顯著提升芯片的晶體管密度和性能，是實現(xiàn)2nm以下先進制程大規(guī)模量產(chǎn)的必備武器。帕特·基辛格表示，第二臺High NA設備即將進入Intel位于美國俄勒岡州的晶圓廠，預計將支持公司新一代更強大的計算機芯片的生產(chǎn)。此前，Intel已于去年12月接收了全球首臺High NA EUV光刻
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          • 關鍵字：
                        Intel  High NA EUV  光刻機  晶圓  8納米                          
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          ASML第二臺High-NA設備，即將導入英特爾奧勒岡廠
          
                                                            
            
                    	
          • 英特爾正接收ASML第二臺耗資3.5億歐元（約3.83億美元）的新High NA EUV設備。根據(jù)英特爾8/1財報電話會議紀錄，CEO Pat Gelsinger表示，英特爾12月開始接收第一臺大型設備，安裝時間需要數(shù)月，預計可帶來新一代更強大的電腦英文。Gelsinger在電話中指出，第二臺High NA設備即將進入在奧勒岡州的廠房。由于英特爾財報會議后股價表現(xiàn)不佳，因此這番話并未引起注意。ASML高階主管7月曾表示，該公司已開始出貨第二臺High NA設備給一位未具名客戶，今年只記錄第一臺的收入。不過
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          • 關鍵字：
                        ASML  High-NA  英特爾  光刻機                          
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          ASML或將Hyper-NA EUV光刻機定價翻倍，讓臺積電、三星和英特爾猶豫不決
          
                                                            
            
                    	
          • ASML去年末向英特爾交付了業(yè)界首臺High-NA 
EUV光刻機，業(yè)界準備從EUV邁入High-NA EUV時代。不過ASML已經(jīng)開始對下一代Hyper-NA 
EUV技術進行研究，尋找合適的解決方案，計劃在2030年左右提供新一代Hyper-NA EUV光刻機。據(jù)Trendforce報道，Hyper-NA
 EUV光刻機的價格預計達到驚人的7.24億美元，甚至可能會更高。目前每臺EUV光刻機的價格約為1.81億美元，High-NA 
EUV光刻機的價格大概為3.8億美元，是EUV光刻機的兩倍多
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          • 關鍵字：
                        ASML  Hyper-NA EUV  光刻機  臺積電  三星  英特爾                          
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          臺積電CEO秘訪ASML，High-NA EUV光刻機競賽提前打響？
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 5月26日，臺積電舉辦“2024年技術論壇臺北站”的活動，臺積電CEO魏哲家罕見的沒有出席，原因是其秘密前往荷蘭訪問位于埃因霍溫的ASML總部，以及位于德國迪琴根的工業(yè)激光專業(yè)公司TRUMPF。ASML CEO Christophe Fouquet和其激光光源設備供應商TRUMPF CEO Nicola Leibinger-Kammüller近日通過社交媒體透露了魏哲家秘密出訪的行蹤。Christophe Fouquet表示他們向魏哲家介紹了最新的技術和新產(chǎn)品，包括High-NA EUV設備將如何實現(xiàn)未來
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          • 關鍵字：
                        臺積電  ASML  High-NA  EUV  光刻機                          
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          High-NA EUV光刻機或將成為英特爾的轉機
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 上個月英特爾晶圓代工宣布完成了業(yè)界首臺High-NA EUV光刻機組裝工作。隨后開始在Fab D1X進行校準步驟，為未來工藝路線圖的生產(chǎn)做好準備。
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          • 關鍵字：
                        High-NA  EUV  光刻機  英特爾  芯片  半導體                          
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          High-NA EUV光刻機入場，究竟有多強？
          
                                                            
            
                    	
          • 光刻機一直是半導體領域的一個熱門話題。從早期的深紫外光刻機（DUV）起步，其穩(wěn)定可靠的性能為半導體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展奠定了堅實基礎；再到后來的極紫外光刻機（EUV）以其獨特的極紫外光源和更短的波長，成功將光刻精度推向了新的高度；再到如今的高數(shù)值孔徑光刻機（High-NA）正式登上歷史舞臺，進一步提升了光刻的精度和效率，為制造更小、更精密的芯片提供了可能。ASML 官網(wǎng)顯示，其組裝了兩個 TWINSCAN EXE:5000 高數(shù)值孔徑光刻系統(tǒng)。其中一個由 ASM 與 imec 合作開發(fā)，將于 2024 年安裝在 A
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          • 關鍵字：
                        High-NA EUV                          
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          ASML 新款 NXE:3800E EUV 光刻機引入部分 High-NA 機型技術
          
                                                            
            
                    	
          • 3 月 27 日消息，據(jù)荷蘭媒體 Bits&Chips 報道，ASML 官方確認新款 0.33NA EUV 光刻機 ——NXE:3800E 引入了部分 High-NA EUV 光刻機的技術，運行效率得以提升。根據(jù)IT之家之前報道，NXE:3800E 光刻機已于本月完成安裝，可實現(xiàn) 195 片晶圓的每小時吞吐量，相較以往機型的 160 片提升近 22%。下一代光刻技術 High-NA（高數(shù)值孔徑） EUV 采用了更寬的光錐，這意味著其在 EUV 反射鏡上的撞擊角度更寬，會導致影響晶圓吞吐量的光損失。
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          • 關鍵字：
                        ASM  NXE:3800E EUV  光刻機  High-NA                          
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          英特爾拿下首套High-NA EUV，臺積電如何應對？
          
                                                            
            
                    	
          • 英特爾（intel）近日宣布，已經(jīng)接收市場首套具有0.55數(shù)值孔徑（High-NA）的ASML極紫外（EUV）光刻機，預計在未來兩到三年內用于 intel 18A 工藝技術之后的制程節(jié)點。 相較之下，臺積電則采取更加謹慎的策略，業(yè)界預計臺積電可能要到A1.4制程，或者是2030年之后才會采用High-NA EUV光刻機。業(yè)界指出，至少在初期，High-NA EUV 的成本可能高于 Low-NA 
EUV，這也是臺積電暫時觀望的原因，臺積電更傾向于采用成本更低的成熟技術，以確保產(chǎn)品競爭力。Hig
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          • 關鍵字：
                        英特爾  High-NA EUV  臺積電                          
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          ASML：數(shù)值孔徑0.75超高NA EUV光刻設備2030年登場
          
                                                            
            
                    	
          • 據(jù)日本媒體報導，光刻機設備龍頭阿斯麥（ASML）執(zhí)行副總裁Christophe Fouquet近日在比利時imec年度盛會ITF World 2023表示，半導體產(chǎn)業(yè)需要2030年開發(fā)數(shù)值孔徑0.75的超高NA EUV光刻技術，滿足半導體發(fā)展。Christophe Fouquet表示，自2010年以來EUV技術越來越成熟，半導體制程微縮至2020年前后三年，以超過50%幅度前進，不過速度可能會在2030年放緩。故ASML計劃年底前發(fā)表首臺商用High-NA（NA=0.55）EUV微影曝光設備（原型制作），
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          • 關鍵字：
                        ASML  NA  EUV  光刻設備                          
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          可穿戴與IoT用DC/DC：如何實現(xiàn)納安級消耗電流？ 　
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 可穿戴等市場發(fā)展快。DC/DC轉換器成為影響這些產(chǎn)品電池壽命的重要器件。ROHM的BD70522GUL超輕載消耗電流只有180 nA，通過電路、布局和工藝實現(xiàn)。
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          • 關鍵字：
                        可穿戴  DC/DC  降壓型  輕載  nA  201804                          
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          電流-頻率轉換電路--1NA~100UA轉0.1HZ~10KHZ
          
                                                            
            
                    	
          • IIN/C1（V/S），1UA電流為10的負6次方/800*10的負12次方=1.25*10的6次方V/S，穿越-5.6~+5.6V的時間林約是9MS，頻率為111HZ。實際上必須加上上升時間，所以振蕩頻率大約為100HZ。 因為C1的微調很困難，所以允許A2的正
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          • 關鍵字：
                        100  0.1  KHZ  NA                            
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          尼康NA超過1的液浸設備半導體商正式采用
          
                                                            
            
                    	
          • 　尼康日前正式宣布，2006年1月已向大型半導體廠商供應用于55nm工藝（hp55）芯片制造、開口數(shù)（NA）為1.07的液浸ArF曝光設備“NSR-S609B”。這是全球首次供應NA超過1的液浸ArF曝光設備。  　　這家大型半導體廠商的名字，尼康沒有公布，估計是過去在技術方面與之開展合作的東芝。  　　作為全折射型液浸曝光設備，NSR-S609B具有全球最大的NA，配合偏光照明技術，能夠實現(xiàn)很高的分辨率。對于液浸產(chǎn)生的缺陷和重合不穩(wěn)定性的問題，據(jù)稱利用名為“Local-fill（局部
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          • 關鍵字：
                        NA  尼康  嵌入式系統(tǒng)                          
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