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          晶圓代工開始關(guān)注新型存儲

          • 新型存儲器能夠滿足未來更加多樣化的存儲需求。
          • 關(guān)鍵字: ReRAM  FRAM  

          迷人的新型存儲

          • 多年來,各大廠商多年來孜孜不倦地追求閃存更高層數(shù)和內(nèi)存更先進制程。現(xiàn)代社會已經(jīng)進入大數(shù)據(jù)、物聯(lián)網(wǎng)時代——一方面,數(shù)據(jù)呈爆炸式增長,芯片就必須需要具備巨大的計算能力 ;另一方面,依據(jù)傳統(tǒng)摩爾定律微縮的半導體技術(shù)所面臨的挑戰(zhàn)越來越大、需要的成本越來越高、實現(xiàn)的性能提高也趨于放緩。應(yīng)用材料公司金屬沉積產(chǎn)品事業(yè)部全球產(chǎn)品經(jīng)理周春明博士說:「DRAM、SRAM、NAND 這些傳統(tǒng)的存儲器,已經(jīng)有幾十年歷史了,它們還在一直在向前發(fā)展,不斷更新?lián)Q代,尺寸越來越小,成本越來越低,性能越來越強?!沟且呀?jīng)開始出現(xiàn)無法超越的
          • 關(guān)鍵字: MRAM  ReRAM  PCRAM  

          富士通推出業(yè)界最高密度4 Mbit ReRAM量產(chǎn)產(chǎn)品

          • 富士通電子元器件(上海)有限公司近日宣布,推出業(yè)界最高密度4 Mbit ReRAM(可變電阻式存儲器)(注1)產(chǎn)品MB85AS4MT。此產(chǎn)品為富士通半導體與松下電器半導體(注2)合作開發(fā)的首款ReRAM存儲器產(chǎn)品。ReRAM是基于電阻式隨機存取的一種非易失性存儲器,此產(chǎn)品可將DRAM的讀寫速度與SSD的非易失性結(jié)合于一身,同時具備更低的功耗及更快的讀寫速度。ReRAM作為存儲器前沿技術(shù),未來預期可以替代目前的FlashRAM,并且具有成本更低,性能更突出的優(yōu)勢。ReRAM存儲芯片的能耗可達到閃存的1/20
          • 關(guān)鍵字: 合作  ReRAM  半導體  

          ReRAM即將跨入3D時代?

          •   莫斯科物理技術(shù)學院(MIPT)宣稱成功為ReRAM開發(fā)出新的制程,可望為其實現(xiàn)適于3D堆疊的薄膜技術(shù)…  可變電阻式隨機存取存儲器(ReRAM)是一種可望取代其他各種儲存類型的“通用”存儲器,不僅提供了隨機存取存儲器(RAM)的速度,又兼具快閃存儲器(flash)的密度與非揮發(fā)性。然而目前,flash由于搶先進入3D時代而較ReRAM更勝一籌。  如今,莫斯科物理技術(shù)學院(Moscow Institute of Physics and Technolo
          • 關(guān)鍵字: ReRAM  存儲器  

          中芯國際為何鎖定瞄準ReRAM?

          •   比NAND閃存更快千倍 40納米ReRAM在中芯國際投產(chǎn)引起業(yè)界關(guān)注!曾經(jīng)一度大舉退出內(nèi)存生產(chǎn)的中芯國際,為何鎖定瞄準ReRAM?主要原因在于ReRAM應(yīng)用在物聯(lián)網(wǎng)(IoT)裝置擁有愈長的電池續(xù)航力,一來可節(jié)省維護成本、二來有助提高物聯(lián)網(wǎng)基礎(chǔ)設(shè)施可持續(xù)性。   現(xiàn)階段業(yè)界也在尋找可大幅降低物聯(lián)網(wǎng)裝置能源消耗的辦法,為此業(yè)界發(fā)現(xiàn)物聯(lián)網(wǎng)芯片中內(nèi)嵌“可變電阻式內(nèi)存”(ReRAM),有助達成此一節(jié)能目標。   據(jù)報導,若要達到物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用的能源采用要求,需要導入各式節(jié)能策略,即使多數(shù)
          • 關(guān)鍵字: 中芯國際  ReRAM  

          比NAND閃存更快千倍 40nm ReRAM在中芯國際投產(chǎn)

          •   非揮發(fā)性電阻式內(nèi)存(ReRAM)開發(fā)商CrossbarInc.利用非導電的銀離子-非晶硅(a-Si)為基板材料,并透過電場轉(zhuǎn)換機制,開發(fā)出號稱比NAND閃存更快千倍速度的ReRAM組件,同時就像先前在2016年所承諾地如期實現(xiàn)量產(chǎn)。   根據(jù)Crossbar策略營銷與業(yè)務(wù)發(fā)展副總裁SylvainDubois表示,專為嵌入式非揮發(fā)性內(nèi)存(eNVM)應(yīng)用而打造的CrossbarReRAM提供了更高性能,密度比DRAM更高40倍,耐久度與寫入速度更高1,000倍,單芯片尺寸約200mm2左右,即可實現(xiàn)高達
          • 關(guān)鍵字: NAND  ReRAM  

          40nm ReRAM芯片正式出樣 中芯國際向上走勢頭勁

          • 中芯未來幾年的擴產(chǎn)布局,可謂遍地開花,包括在北京、上海、深圳、寧波以及杭州等地,都有新的12寸晶圓廠投資計劃,雖然部分投資案目前僅止于土地取得、尚未裝置機臺的階段,但可看出中芯旺盛的企圖心。
          • 關(guān)鍵字: 中芯國際  ReRAM  

          中芯國際正式出樣40nm ReRAM芯片

          •   目前在下一代存儲芯片的研發(fā)當中,除了3D XPoint芯片外還有ReRAM芯片(非易失性阻變式存儲器)。2016年3月,Crossbar公司宣布與中芯國際達成合作,發(fā)力中國市場。其中,中芯國際將采用自家的40nm CMOS試產(chǎn)ReRAM芯片。近日,兩者合作的結(jié)晶終于誕生,中芯國際正式出樣40nm工藝的ReRAM芯片。   據(jù)介紹,這種芯片比NAND芯片性能更強,密度比DRAM內(nèi)存高40倍,讀取速度快100倍,寫入速度快1000倍,耐久度高1000倍,單芯片(200mm2左右)即可實現(xiàn)TB級存儲,還具
          • 關(guān)鍵字: 中芯國際  ReRAM  

          富士通推出業(yè)界最高密度4 Mbit ReRAM量產(chǎn)產(chǎn)品

          •   富士通電子元器件(上海)有限公司今天宣布,推出業(yè)界最高密度4 Mbit ReRAM(可變電阻式存儲器)(注1)產(chǎn)品MB85AS4MT。此產(chǎn)品為富士通半導體與松下電器半導體(注2)合作開發(fā)的首款ReRAM存儲器產(chǎn)品。   ReRAM是基于電阻式隨機存取的一種非易失性存儲器,此產(chǎn)品可將DRAM的讀寫速度與SSD的非易失性結(jié)合于一身,同時具備更低的功耗及更快的讀寫速度。ReRAM作為存儲器前沿技術(shù),未來預期可以替代目前的FlashRAM,并且具有成本更低,性能更突出的優(yōu)勢。ReRAM存儲芯片的能耗可達到閃
          • 關(guān)鍵字: 富士通  ReRAM  

          ReRAM公布最新成果,性能接近理論數(shù)據(jù)

          •   可變電阻式ReRAM 作為新的存儲技術(shù),從研發(fā)到商用總是要歷經(jīng)漫長的艱難坎坷?,F(xiàn)在ReRAM芯片的研制已經(jīng)初見成效,日前索尼和Micron就聯(lián)手公布了他們的最新研究成果,稱他們試制的產(chǎn)品在性能上已經(jīng)非常接近理論數(shù)據(jù)。    ?   索尼和Micron聯(lián)手公布的是一款容量為16Gb(2GB)的ReRAM芯片,據(jù)稱這款芯片基于27nm CMOS工藝打造,可以用于替換現(xiàn)有的DDR SDRAM芯片,可用于移動設(shè)備或者是PC上。   按照公布的信息稱,索尼和Micron聯(lián)手公布的這顆芯片實
          • 關(guān)鍵字: 索尼  Micron  ReRAM  

          ReRAM將能代替內(nèi)存和硬盤

          •   固態(tài)硬盤供應(yīng)商SanDisk正在研發(fā)一種新型的系統(tǒng)存儲器,未來也許能一舉替代內(nèi)存和硬盤。 ReRAM代表電阻式RAM,將DRAM的讀寫速度與SSD的非易失性結(jié)合于一身。換句話說,關(guān)閉電源后存儲器仍能記住數(shù)據(jù)。如果ReRAM有足夠大的空間,一臺配備ReRAM的PC將不需要載入時間。ReRAM基于憶阻器原理,致力于商業(yè)化ReRAM的企業(yè)包括惠普、Elpida、索尼、松下、美光、海力士等等。   基礎(chǔ)電子學教科書列出三個基本的被動電路元件:電阻器、電容器和電感器;電路的四大基本變量則是電流、電壓、電荷和磁
          • 關(guān)鍵字: 惠普  內(nèi)存  ReRAM  

          次世代內(nèi)存技術(shù)研發(fā)掀起跨領(lǐng)域結(jié)盟熱潮

          •   繼Hynix(海力士)和HP(惠普)宣布合作開發(fā)新世代內(nèi)存ReRAM技術(shù)和材料,Elpida(爾必達)與Sharp(夏普)亦宣布共同研發(fā)ReRAM,讓次世代內(nèi)存技術(shù)研發(fā)掀起跨領(lǐng)域結(jié)盟熱潮。內(nèi)存業(yè)者預期,未來ReRAM、3D NAND Flash、PRAM(相變化內(nèi)存)和MRAM(磁性隨機存取內(nèi)存)等次世代內(nèi)存,將會有一番激烈競爭。   值得注意的是,海力士與惠普日前才宣布要共同開發(fā)ReRAM技術(shù),惠普具有新的極小電子組件(Memory resistors;Memristors)技術(shù),采用十字結(jié)構(gòu),相
          • 關(guān)鍵字: 內(nèi)存  ReRAM  

          異業(yè)結(jié)盟潮起 次世代內(nèi)存再掀熱戰(zhàn)

          •   繼海力士(Hynix)和惠普(HP)宣布合作開發(fā)新世代內(nèi)存ReRAM(Resistive Random-Access Memory)技術(shù)和材料,爾必達(Elpida)與夏普(Sharp)亦宣布共同研發(fā)ReRAM,讓次世代內(nèi)存技術(shù)研發(fā)掀起跨領(lǐng)域結(jié)盟熱潮,內(nèi)存業(yè)者預期,未來ReRAM、3D NAND Flash、相變化內(nèi)存(Phase Change RAM;PRAM)和磁性隨機存取內(nèi)存(Magnetic RAM;MRAM)等次世代內(nèi)存,將會有一番激烈競爭。  
          • 關(guān)鍵字: 爾必達  ReRAM  次世代內(nèi)存  

          夏普聯(lián)袂爾必達開發(fā)下一代ReRAM閃存芯片

          •   日經(jīng)新聞報道,夏普正與爾必達聯(lián)手開發(fā)下一代ReRAM可變電阻式閃存芯片,預計在2013年實現(xiàn)量產(chǎn)。   
          • 關(guān)鍵字: 夏普  閃存芯片  ReRAM  

          惠普宣布與海力士合作開發(fā)新型內(nèi)存

          •   據(jù)國外媒體報道,惠普周二宣布與韓國海力士半導體(Hynix Semiconductor)達成合作協(xié)議,共同研發(fā)下一代內(nèi)存技術(shù)電阻式內(nèi)存并將其推向市場。   據(jù)一份聲明顯示,兩家公司將合作開發(fā)新型材料和技術(shù),實現(xiàn)電阻式內(nèi)存(ReRAM)技術(shù)的商業(yè)化。海力士將會采用由惠普實驗室研發(fā)出的新型元件憶阻器(memristor)。憶阻器相比現(xiàn)有的固態(tài)存儲技術(shù)能耗更低,速度更快,而且能在斷電時存儲數(shù)據(jù)?;萜战衲甏杭痉Q表示,憶阻器也能夠執(zhí)行邏輯。   ReRAM技術(shù)的初衷是成為低功耗Flash的替代品。ReRAM
          • 關(guān)鍵字: 海力士  內(nèi)存  ReRAM  
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          reram介紹

            日本富士通的川崎實驗室透露,他們研發(fā)除了一種新型的非揮發(fā)ReRAM(電阻式記憶體),能提供更低的功耗.   包含鈦鎳氧化物結(jié)構(gòu)的ReRAM,在刷寫時只需要100mA的電流甚至更少,相比傳統(tǒng)ReRAM,研究人員還降低了90%的波動電阻值,這一技術(shù)指標在反復高速寫入和擦除時會影響產(chǎn)品質(zhì)量和壽命.   新的技術(shù)可以更快地完成存取,5毫秒內(nèi)存取10000次.   這種ReRAM未來可以替代目前的 [ 查看詳細 ]

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