rowhammer 內(nèi)存攻擊 文章 進入rowhammer 內(nèi)存攻擊技術(shù)社區(qū)

研究顯示 AMD 處理器也受 Rowhammer 內(nèi)存攻擊影響，官方給出緩解措施

• IT之家 3 月 27 日消息，根據(jù)瑞士蘇黎世聯(lián)邦理工學(xué)院研究人員的最新研究，AMD 的 Zen2 至 Zen4 架構(gòu)處理器也會受到 Rowhammer 內(nèi)存攻擊影響。AMD 官方就此給出了回應(yīng)和緩解措施。IT之家注：Rowhammer 攻擊利用了現(xiàn)代 DRAM 內(nèi)存的物理特性，通過對內(nèi)存的反復(fù)讀取和寫入，改變相鄰存儲單元中的電荷狀態(tài)，實現(xiàn)位翻轉(zhuǎn)。攻擊者可通過誘導(dǎo)特定位置的位翻轉(zhuǎn)，實現(xiàn)對敏感數(shù)據(jù)的訪問或提升權(quán)限。Rowhammer 攻擊此前常見于英特爾 CPU 和 Arm 架構(gòu)處理器上。在 AM
• 關(guān)鍵字： AMD  Rowhammer 內(nèi)存攻擊