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ROHM的SiC MOSFET和SiC SBD成功應(yīng)用于Apex Microtechnology的工業(yè)設(shè)備功率模塊系列
- 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）的SiC MOSFET和SiC肖特基勢壘二極管（以下簡稱“SiC SBD”）已被成功應(yīng)用于大功率模擬模塊制造商Apex Microtechnology的功率模塊系列產(chǎn)品。該電源模塊系列包括驅(qū)動(dòng)器模塊“SA310”（非常適用于高耐壓三相直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)）和半橋模塊“SA110”“SA111”（非常適用于眾多高電壓應(yīng)用）兩種產(chǎn)品。ROHM的1,200V SiC MOSFET“S4101”和650V SiC SBD“S6203”是以裸芯片的形式提供的，采用ROHM的
- 關(guān)鍵字： ROHM SiC MOSFET SiC SBD Apex 工業(yè)設(shè)備功率模塊
Microchip推出3kW瞬態(tài)電壓抑制二極管陣列產(chǎn)品，實(shí)現(xiàn)嚴(yán)苛環(huán)境下出色的電路保護(hù)
- 航空航天系統(tǒng)依賴于引擎控制單元、環(huán)境控制、儀器和執(zhí)行器中的數(shù)字和邏輯功能與電路才能完成關(guān)鍵的工作。數(shù)據(jù)中心、5G基礎(chǔ)設(shè)施和通信系統(tǒng)同樣依賴于復(fù)雜的電路，而這些電路需要得到妥善保護(hù)。即便有閃電、太陽活動(dòng)和電磁事故引起的電壓浪涌和尖峰，系統(tǒng)仍必須保持連續(xù)運(yùn)行。Microchip Technology Inc.（美國微芯科技公司）今日宣布推出其最新瞬態(tài)電壓抑制器（TVS）垂直陣列產(chǎn)品組合 — MDA3KP瞬態(tài)電壓抑制器（TVS）。?該3kW二極管系列擁有超過25款產(chǎn)品，具有不同的篩選級(jí)別、極性和認(rèn)證標(biāo)
- 關(guān)鍵字： TVS SBD ESD EFT MSL RTCA
電信基帶單元的系統(tǒng)方框圖 (SBD)
- 具有TI無線SoC處理器以及時(shí)鐘和接口解決方案的電信基帶單元的系統(tǒng)方框圖(SBD)。當(dāng)今用于蜂窩式電信網(wǎng)絡(luò)的無線基站必須具備強(qiáng)大的信號(hào)處理功能，以便能夠處理網(wǎng)絡(luò)中不斷增加的大量語音和數(shù)據(jù)流量，并支持正廣泛...
- 關(guān)鍵字： 電信基帶 系統(tǒng)方框 SBD
東芝擴(kuò)大650V碳化硅肖特基勢壘二極管產(chǎn)品陣容
- 東京—東芝公司(TOKYO：6502)旗下的半導(dǎo)體&存儲(chǔ)產(chǎn)品公司今天宣布，該公司將通過添加TO-220F-2L絕緣封裝產(chǎn)品擴(kuò)大其650V碳化硅(SiC)肖特基勢壘二極管(SBD)系列產(chǎn)品。四款新產(chǎn)品將擴(kuò)大現(xiàn)有TO-220-2L封裝產(chǎn)品的6A、8A、10A和12A陣容。量產(chǎn)出貨即日啟動(dòng)?！ BD適合各種應(yīng)用，包括光伏發(fā)電系統(tǒng)用的服務(wù)器電源和功率調(diào)節(jié)器。此外，它還可作為開關(guān)電源中的硅二極管的替換件，能夠?qū)⑿侍嵘?0%(東芝調(diào)查)?！ iC功率器件提供比當(dāng)前硅器件更加穩(wěn)定的運(yùn)行，即便是在高電壓
- 關(guān)鍵字： 東芝 SBD SiC
東芝擴(kuò)大650V碳化硅肖特基勢壘二極管產(chǎn)品陣容
- 東京—東芝公司(TOKYO：6502)旗下的半導(dǎo)體&存儲(chǔ)產(chǎn)品公司今天宣布，該公司將通過添加TO-220F-2L絕緣封裝產(chǎn)品擴(kuò)大其650V碳化硅(SiC)肖特基勢壘二極管(SBD)系列產(chǎn)品。四款新產(chǎn)品將擴(kuò)大現(xiàn)有TO-220-2L封裝產(chǎn)品的6A、8A、10A和12A陣容。量產(chǎn)出貨即日啟動(dòng)。 SBD適合各種應(yīng)用，包括光伏發(fā)電系統(tǒng)用的服務(wù)器電源和功率調(diào)節(jié)器。此外，它還可作為開關(guān)電源中的硅二極管的替換件，能夠?qū)⑿侍嵘?0%(東芝調(diào)查)。 SiC功率器件提供比當(dāng)前硅器件更加穩(wěn)定的運(yùn)行，即便是在高電壓
- 關(guān)鍵字： 東芝 SBD SiC
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