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          ROHM的SiC MOSFET和SiC SBD成功應(yīng)用于Apex Microtechnology的工業(yè)設(shè)備功率模塊系列

          • 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都市)的SiC MOSFET和SiC肖特基勢壘二極管(以下簡稱“SiC SBD”)已被成功應(yīng)用于大功率模擬模塊制造商Apex Microtechnology的功率模塊系列產(chǎn)品。該電源模塊系列包括驅(qū)動(dòng)器模塊“SA310”(非常適用于高耐壓三相直流電機(jī)驅(qū)動(dòng))和半橋模塊“SA110”“SA111”(非常適用于眾多高電壓應(yīng)用)兩種產(chǎn)品。ROHM的1,200V SiC MOSFET“S4101”和650V SiC SBD“S6203”是以裸芯片的形式提供的,采用ROHM的
          • 關(guān)鍵字: ROHM  SiC MOSFET  SiC SBD  Apex  工業(yè)設(shè)備功率模塊   

          Diodes公司發(fā)表首款碳化硅肖特基勢壘二極管(SBD)

          • Diodes 公司?(Diodes)近日宣布推出首款碳化硅?(SiC) 蕭特基勢壘二極管?(SBD)。產(chǎn)品組合包含?DIODES DSCxxA065系列,共有十一項(xiàng)?650V 額定電壓?(4A、6A、8A 和?10A) 的產(chǎn)品,以及?DIODES DSCxx120系列,共有八款?1200V 額定電壓?(2A、5A 和?10A) 產(chǎn)品。這些寬帶隙?SBD 的優(yōu)點(diǎn)包括可大幅提高效率和高溫可靠
          • 關(guān)鍵字: Diodes  碳化硅  肖特基勢壘二極管  SBD  

          SiC-SBD與Si-PND的正向電壓比較

          • 本文對二極管最基本的特性–正向電壓VF特性的區(qū)別進(jìn)行說明。
          • 關(guān)鍵字: SiC  碳化硅  SBD  

          SiC-SBD與Si-PND的反向恢復(fù)特性比較

          • 反向恢復(fù)特性是二極管、特別是高速型二極管的基本且重要的參數(shù),所以不僅要比較trr的數(shù)值,還要理解其波形和溫度特性,這樣有助于有效使用二極管。
          • 關(guān)鍵字: SiC  碳化硅  SBD  

          SiC肖特基勢壘二極管的特征,及與Si二極管的比較

          • 繼SiC功率元器件的概述之后,將針對具體的元器件進(jìn)行介紹。首先從SiC肖特基勢壘二極管開始。
          • 關(guān)鍵字: 碳化硅  SiC  SBD  肖基特二極管  

          Microchip推出3kW瞬態(tài)電壓抑制二極管陣列產(chǎn)品,實(shí)現(xiàn)嚴(yán)苛環(huán)境下出色的電路保護(hù)

          • 航空航天系統(tǒng)依賴于引擎控制單元、環(huán)境控制、儀器和執(zhí)行器中的數(shù)字和邏輯功能與電路才能完成關(guān)鍵的工作。數(shù)據(jù)中心、5G基礎(chǔ)設(shè)施和通信系統(tǒng)同樣依賴于復(fù)雜的電路,而這些電路需要得到妥善保護(hù)。即便有閃電、太陽活動(dòng)和電磁事故引起的電壓浪涌和尖峰,系統(tǒng)仍必須保持連續(xù)運(yùn)行。Microchip Technology Inc.(美國微芯科技公司)今日宣布推出其最新瞬態(tài)電壓抑制器(TVS)垂直陣列產(chǎn)品組合 — MDA3KP瞬態(tài)電壓抑制器(TVS)。?該3kW二極管系列擁有超過25款產(chǎn)品,具有不同的篩選級別、極性和認(rèn)證標(biāo)
          • 關(guān)鍵字: TVS  SBD  ESD  EFT  MSL  RTCA  

          電信基帶單元的系統(tǒng)方框圖 (SBD)

          • 具有TI無線SoC處理器以及時(shí)鐘和接口解決方案的電信基帶單元的系統(tǒng)方框圖(SBD)。當(dāng)今用于蜂窩式電信網(wǎng)絡(luò)的無線基站必須具備強(qiáng)大的信號處理功能,以便能夠處理網(wǎng)絡(luò)中不斷增加的大量語音和數(shù)據(jù)流量,并支持正廣泛...
          • 關(guān)鍵字: 電信基帶  系統(tǒng)方框  SBD  

          東芝擴(kuò)大650V碳化硅肖特基勢壘二極管產(chǎn)品陣容

          •   東京—東芝公司(TOKYO:6502)旗下的半導(dǎo)體&存儲產(chǎn)品公司今天宣布,該公司將通過添加TO-220F-2L絕緣封裝產(chǎn)品擴(kuò)大其650V碳化硅(SiC)肖特基勢壘二極管(SBD)系列產(chǎn)品。四款新產(chǎn)品將擴(kuò)大現(xiàn)有TO-220-2L封裝產(chǎn)品的6A、8A、10A和12A陣容。量產(chǎn)出貨即日啟動(dòng)。  SBD適合各種應(yīng)用,包括光伏發(fā)電系統(tǒng)用的服務(wù)器電源和功率調(diào)節(jié)器。此外,它還可作為開關(guān)電源中的硅二極管的替換件,能夠?qū)⑿侍嵘?0%(東芝調(diào)查)?! iC功率器件提供比當(dāng)前硅器件更加穩(wěn)定的運(yùn)行,即便是在高電壓
          • 關(guān)鍵字: 東芝  SBD  SiC  

          東芝擴(kuò)大650V碳化硅肖特基勢壘二極管產(chǎn)品陣容

          •   東京—東芝公司(TOKYO:6502)旗下的半導(dǎo)體&存儲產(chǎn)品公司今天宣布,該公司將通過添加TO-220F-2L絕緣封裝產(chǎn)品擴(kuò)大其650V碳化硅(SiC)肖特基勢壘二極管(SBD)系列產(chǎn)品。四款新產(chǎn)品將擴(kuò)大現(xiàn)有TO-220-2L封裝產(chǎn)品的6A、8A、10A和12A陣容。量產(chǎn)出貨即日啟動(dòng)。  SBD適合各種應(yīng)用,包括光伏發(fā)電系統(tǒng)用的服務(wù)器電源和功率調(diào)節(jié)器。此外,它還可作為開關(guān)電源中的硅二極管的替換件,能夠?qū)⑿侍嵘?0%(東芝調(diào)查)?! iC功率器件提供比當(dāng)前硅器件更加穩(wěn)定的運(yùn)行,即便是在高電壓
          • 關(guān)鍵字: 東芝  SBD  SiC  

          ROHM超小型元器件RASMID?

          • ROHM于2011年開發(fā)了03015(0.3 mm×0.15 mm)尺寸的世界最小貼片電阻器,相比以往的0402產(chǎn)品尺寸成功減小了44%。2012年開發(fā)了世界最小半導(dǎo)體—0402尺寸的齊納二極管。2013年,產(chǎn)品陣容中增加了0402尺寸的肖特基勢壘二極管(SBD),同時(shí)實(shí)現(xiàn)了03015尺寸的貼片電阻器量產(chǎn)。
          • 關(guān)鍵字: ROHM  小型化  SBD  貼片電阻  

          新日本無線新推出粗銅線絲焊類型的音頻SiC-SBD

          • 新日本無線的這款新MUSES音頻系列產(chǎn)品 MUSES7001 是采用了粗銅線絲焊方式的音頻碳化硅肖特基二極管(SiC-SBD:Silicon Carbide-Schottky Barrier Diode),粗銅線有利于降低損耗提高效率,SiC-SBD專長于高速開關(guān)動(dòng)作,再加上注重最佳音質(zhì)的制造工藝技術(shù),能夠?qū)崿F(xiàn)高音質(zhì)音響效果。
          • 關(guān)鍵字: 新日本無線  SiC-SBD  MUSES  
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