- 現代半導體工藝極其復雜，包含成百上千個互相影響的獨立工藝步驟。在開發這些工藝步驟時，上游和下游的工藝模塊之間常出現不可預期的障礙，造成開發周期延長和成本增加。本文中，我們將討論如何使用 SEMulator3D?中的實驗設計 (DOE) 功能來解決這一問題。在 3D NAND 存儲器件的制造中，有一個關鍵工藝模塊涉及在存儲單元中形成金屬柵極和字線。這個工藝首先需要在基板上沉積數百層二氧化硅和氮化硅交替堆疊層。其次，在堆疊層上以最小圖形間隔來圖形化和刻蝕存儲孔陣列。此時，每層氮化硅（即將成為字線）的外表變得像
- 關鍵字：
泛林 SEMulator3D 虛擬工藝
- ●? ?介紹隨著技術推進到1.5nm及更先進節點，后段器件集成將會遇到新的難題，比如需要降低金屬間距和支持新的工藝流程。為了強化電阻電容性能、減小邊緣定位誤差，并實現具有挑戰性的制造工藝，需要進行工藝調整。為應對這些挑戰，我們嘗試在1.5nm節點后段自對準圖形化中使用半大馬士革方法。我們在imec生產了一組新的后段器件集成掩膜版，以對單大馬士革和雙大馬士革進行電性評估。新掩膜版的金屬間距分別為14nm、16nm、18nm、20nm和22nm，前兩類是1.5nm節點后段的最小目標金屬間距
- 關鍵字：
半大馬士革 后段器件集成 1.5nm SEMulator3D
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