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淺析存儲器數(shù)據(jù)的軟誤差率(SER)問題
- 軟誤差率(SER)問題是于上個世紀70年代后期作為一項存儲器數(shù)據(jù)課題而受到人們的廣泛關(guān)注的，當時DRAM開始呈現(xiàn)出隨機故障的征兆。隨著工藝幾何尺寸的不斷縮小，引起失調(diào)所需的臨界電荷的減少速度要比存儲單元中的電荷聚
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存儲器數(shù)據(jù)的軟誤差率(SER)問題
- 存儲器數(shù)據(jù)的軟誤差率(SER)問題, 軟誤差率(SER)問題是于上個世紀70年代后期作為一項存儲器數(shù)據(jù)課題而受到人們的廣泛關(guān)注的，當時DRAM開始呈現(xiàn)出隨機故障的征兆。隨著工藝幾何尺寸的不斷縮小，引起失調(diào)所需的臨界電荷的減少速度要比存儲單元中的電
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軟誤差率(SER)問題是于上個世紀70年代后期作為一項存儲器數(shù)據(jù)課題而受到人們的廣泛關(guān)注的，當時DRAM開始呈現(xiàn)出隨機故障的征兆。隨著工藝幾何尺寸的不斷縮小，引起失調(diào)所需的臨界電荷的減少速度要比存儲單元中的電荷聚集區(qū)的減小速度快得多。這意味著： 當采用諸如90nm這樣的較小工藝幾何尺寸時，軟誤差是一個更加值得關(guān)注的問題，并需要采取進一步的措施來確保軟誤差率被維持在一個可以接受的水平上。 α粒 [ 查看詳細 ]
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