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          美高森美宣布推出專門用于SiC MOSFET技術(shù)的 極低電感SP6LI封裝 實現(xiàn)高電流、高開關(guān)頻率和高效率

          •   致力于在功耗、安全、可靠性和性能方面提供差異化的領(lǐng)先半導(dǎo)體技術(shù)方案供應(yīng)商美高森美公司(Microsemi Corporation) 發(fā)布專門用于高電流、低導(dǎo)通阻抗(RDSon) 碳化硅 (SiC) MOSFET功率模塊的極低電感封裝。這款全新封裝專為用于公司SP6LI 產(chǎn)品系列而開發(fā),經(jīng)設(shè)計提供適用于SiC MOSFET技術(shù)的2.9 nH雜散電感,同時實現(xiàn)高電流、高開關(guān)頻率以及高效率。美高森美將在德國紐倫堡展覽中心舉行的PCIM 歐洲電力電子展上展示使用新封裝的SP6LI功率模塊,以及其它現(xiàn)有產(chǎn)品系列
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