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瑞薩科技與松下開發(fā)可實(shí)現(xiàn)45nm工藝傳統(tǒng)CMOS穩(wěn)定工作的片上SRAM制造技術(shù)

　　瑞薩科技公司與松下電器產(chǎn)業(yè)有限公司宣布共同開發(fā)出一種可以使45nm工藝傳統(tǒng)CMOS*1的SRAM（靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）穩(wěn)定工作的技術(shù)，這種SRAM可以嵌入在SoC（系統(tǒng)級(jí)芯片）器件和微處理器（MPU）當(dāng)中。采用這種技術(shù)的512Kb SRAM的實(shí)驗(yàn)芯片的測(cè)試已經(jīng)得到證實(shí)，可以在寬泛的溫度條件下（-40℃－125℃）穩(wěn)定工作，而且在工藝發(fā)生變化時(shí)具有較大的工作電壓范圍裕量。采用45nm CMOS工藝生產(chǎn)的用于實(shí)驗(yàn)的SRAM芯片集成了兩種不同的存儲(chǔ)單元設(shè)計(jì)，一個(gè)元件面積僅有0.327μm
關(guān)鍵字： 45nm工藝 SRAM制造技術(shù) 傳統(tǒng)CMOS 單片機(jī) 嵌入式系統(tǒng) 瑞薩科技松下開存儲(chǔ)器

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