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意法半導體高功率電子熔斷器集成增值保護功能，提高安全性和可靠性

　　意法半導體STEF01可編程電子熔斷器集成低導通電阻RDS(ON) 的VIPower?MOSFET功率管，在8V到48V的寬輸入電壓范圍內(nèi)，能夠維持高達4A的連續(xù)電流，并且插入損耗低，將動作快速的過載保護的優(yōu)勢延續(xù)到額定功率更高的應用產(chǎn)品?！　‘斉c主電源軌串聯(lián)時，STEF01可以防止過流和過壓損壞負載，電壓被限制在用戶使用外部電阻預設(shè)的最大電壓值以下，通過控制內(nèi)部功率MOSFET，過大的電流被限制在預設(shè)的安全限值以下，當檢測到過流較強或短路時，過流則降至下限?！　TEF01利用意法半導體的BCD8高
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