stm32l 文章 進(jìn)入stm32l技術(shù)社區(qū)
技術(shù)細(xì)節(jié)：STM32L如何實現(xiàn)超低功耗微？
- 意法半導(dǎo)體的EnergyLite?超低功耗技術(shù)平臺是STM32L取得業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的能效性能的關(guān)鍵。這個技術(shù)平臺也被廣泛用于意法半導(dǎo)體的8位微控制器STM8L系列產(chǎn)品。EnergyLite?超低功耗技術(shù)平臺基于意法半導(dǎo)體獨有的130nm制造工藝，為實現(xiàn)超低的泄漏電流特性，意法半導(dǎo)體對該平臺進(jìn)行了深度優(yōu)化。在工作和睡眠模式下，EnergyLite?超低功耗技術(shù)平臺可以最大限度提升能效。此外，該平臺的內(nèi)嵌閃存采用意法半導(dǎo)體獨有的低功耗閃存技術(shù)。這個平臺還集成了直接訪存(DMA)支持功能，在應(yīng)用系統(tǒng)運行過程中關(guān)閉
- 關(guān)鍵字： STM32L 低功耗
ST發(fā)布超低功耗的8位和32位微控制器技術(shù)平臺
- 微控制器的全球領(lǐng)導(dǎo)廠商意法半導(dǎo)體(紐約證券交易所代碼：STM)，發(fā)布用于制造8位和32位微控制器的全新超低功耗技術(shù)平臺的細(xì)節(jié)。新的技術(shù)平臺將有助于新一代電子產(chǎn)品降低功耗，滿足不斷升級的能效標(biāo)準(zhǔn)的要求，延長電池驅(qū)動設(shè)備的工作時間。滿足這些日益提高的標(biāo)準(zhǔn)需要全方位考慮微控制器的設(shè)計和制程技術(shù)，進(jìn)行全面的最大限度的改進(jìn)。 新平臺采用130nm制程，意法半導(dǎo)體對這個平臺進(jìn)行了深度優(yōu)化，邏輯功能采用超低漏電流晶體管，模擬功能采用低壓晶體管，同時選用創(chuàng)新的低功耗嵌入式存儲器、新的低壓低功耗標(biāo)準(zhǔn)外設(shè)和創(chuàng)新的電
- 關(guān)鍵字： ST 微控制器 電池驅(qū)動 超低漏電流晶體管 低壓晶體管 STM8L STM32L
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