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生成式人工智能音頻快速發(fā)展：高信噪比MEMS麥克風(fēng)功不可沒(méi)

最新一代人工智能或?qū)㈤_啟新一輪科技革命，全面提升各種人機(jī)交互體驗(yàn)。人工智能日益融入人們的日常生活，在方方面面帶來(lái)深刻變化。基于人工智能的文本和圖像生成工具可以創(chuàng)建出令人難以置信的內(nèi)容。不僅如此，人工智能的觸角已從視覺和文字媒介，伸向語(yǔ)音轉(zhuǎn)文字（STT）和自然語(yǔ)言處理（NLP）等音頻應(yīng)用，展現(xiàn)出巨大潛力。然而，音頻應(yīng)用質(zhì)量大幅提高是否僅僅歸功于最新一代基于大語(yǔ)言模型的生成式人工智能？還是說(shuō)硬件依然功不可沒(méi)？就拿高信噪比（SNR）微機(jī)電系統(tǒng)（MEMS）麥克風(fēng)來(lái)說(shuō)，它為實(shí)現(xiàn)這種必將改變?nèi)藗內(nèi)粘Ｉ畹男沦|(zhì)人機(jī)交互
關(guān)鍵字： NLP STT SNR MEMS 麥克風(fēng)

全球電子元器件與開發(fā)服務(wù)分銷商 e絡(luò)盟新近發(fā)布名為《AIoT時(shí)代——AIoT發(fā)展背景、功能與未來(lái)》的電子書，旨在為專業(yè)工程師、創(chuàng)客和電子愛好者提供人工智能相關(guān)專業(yè)知識(shí)，助力他們更加順利地進(jìn)行人工智能應(yīng)用開發(fā)并開拓出更多新型市場(chǎng)應(yīng)用。本冊(cè)電子書匯集了人工智能詳細(xì)路線圖和類別，闡釋了人工智能、機(jī)器學(xué)習(xí)（ML）和深度學(xué)習(xí)（DL）之間的關(guān)系，并詳細(xì)介紹了神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)相關(guān)技術(shù)。書中還向讀者推薦了數(shù)款適用于首次進(jìn)行人工智能物聯(lián)網(wǎng)方案開發(fā)的優(yōu)質(zhì)平臺(tái)。人工智能和物聯(lián)網(wǎng)將徹底改變?nèi)祟惖墓ぷ鞣绞?。目前，人?/li>
關(guān)鍵字： TTS STT AIoT CNN RNN GAN

　　半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正在迎來(lái)下一代存儲(chǔ)器技術(shù)的新紀(jì)元，幾大主要變化趨勢(shì)正在成形。這其中包括磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器 (MRAM) 的出現(xiàn)。我將在幾篇相關(guān)文章中介紹推動(dòng)MRAM 得以采用的背景，重點(diǎn)說(shuō)明初始階段面臨的一些挑戰(zhàn)，并探討實(shí)現(xiàn) STT MRAM 商業(yè)可行性的進(jìn)展?！　?yīng)用材料公司為實(shí)現(xiàn) STT MRAM 的制造提供了多項(xiàng)重要?jiǎng)?chuàng)新，包括基于Endura? 平臺(tái)上的PVD創(chuàng)新以及特別的蝕刻技術(shù)。利用這些新技術(shù)并借助梅丹技術(shù)中心的設(shè)施來(lái)加工并測(cè)試器件陣列，我們驗(yàn)證了 STT MRAM 的性能和可擴(kuò)展性?！　∪缃?，除了邏
關(guān)鍵字： STT MRAM

　　MRAM市場(chǎng)可能會(huì)在明年開始變得越來(lái)越“擁擠”──開發(fā)OST-MRAM (Orthogonal Spin Transfer MRAM)技術(shù)的美國(guó)業(yè)者Spin Transfer Technologies (STT)日前宣布在自家研發(fā)晶圓廠制作出僅20奈米的垂直MRAM磁穿隧接面(perpendicular magnetic tunnel junction，pMTJ)，其目標(biāo)是在明年第一季開始提供其MRAM樣品，并在2018年讓產(chǎn)品正式上市。　　STT執(zhí)行長(zhǎng)Barry Hobe
關(guān)鍵字： STT MRAM

　　東芝(Toshiba)與SK海力士(SK Hynix)宣布將共同開發(fā)下一代半導(dǎo)體制程技術(shù)，同時(shí)東芝也撤銷對(duì)SK海力士提出的1.1兆韓元(約9.1億美元)損害賠償訴訟。兩企業(yè)決定集中火力爭(zhēng)取半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)未來(lái)主導(dǎo)權(quán)，取代相互耗損的專利訴訟。　　據(jù)ET News報(bào)導(dǎo)，東芝與SK海力士曾維持很長(zhǎng)時(shí)間的合作關(guān)系。2007年締結(jié)專利授權(quán)合約，并自2011年開始共同開發(fā)下一代記憶體STT-MRAM。2014年3月因記憶體半導(dǎo)體技術(shù)外流，東芝向SK海力士提出告訴，要求1.1兆韓元規(guī)模的民事賠償，雙方關(guān)系因此破裂。
關(guān)鍵字：東芝 SK海力士 STT-MRAM

　　韓國(guó)Hynix與日本東芝公司近日宣布兩家公司將共同開發(fā)STT-MRAM(spin-transfer torque magnetoresistence RAM:自旋轉(zhuǎn)移矩磁阻RAM)技術(shù),兩家公司均認(rèn)為這項(xiàng)技術(shù)是非常重要的下一代非易失性存儲(chǔ)技術(shù)之一。一旦有關(guān)的技術(shù)研發(fā)完成之后，兩家公司計(jì)劃成立一家專門生產(chǎn)STT-MRAM的芯片制造公司。另外，作為這次合作戰(zhàn)略的其它部分，兩家公司還將擴(kuò)大專利交叉授權(quán)的范圍。
關(guān)鍵字： Hynix STT-MRAM

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