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3D SiC技術(shù)閃耀全場，基本半導(dǎo)體參展PCIM Asia引關(guān)注

• 　　6月26日-28日，基本半導(dǎo)體成功參展PCIM?Asia 2018上海國際電力元件、可再生能源管理展覽會?！　』景雽?dǎo)體展臺以充滿科技感和未來感的藍白為主色調(diào)，獨有的3D SiC?技術(shù)和自主研發(fā)的碳化硅功率器件吸引了眾多國內(nèi)外參展觀眾的眼球?！　∪颡殑?chuàng)3D SiC?技術(shù)　　展會期間，基本半導(dǎo)體技術(shù)團隊詳細介紹了公司獨創(chuàng)的3D SiC?外延技術(shù)，該技術(shù)能夠充分利用碳化硅的材料潛力，通過外延生長結(jié)構(gòu)取代離子注入，使碳化硅器件在高溫應(yīng)用中擁有更高的穩(wěn)定性。優(yōu)良的外延質(zhì)量和設(shè)計靈活性也有利于實現(xiàn)高電流密度的
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