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	sic磊晶技術(shù)
          

          
	
          
    	
          
    	  	
          
              	
                                
          
                  

                                
          
                    
          Cree積極擴廠開發(fā)功率及射頻元件，GaN on SiC磊晶技術(shù)發(fā)展待觀察
          
                                                            
            
                    	
          • 全球SiC晶圓市場規(guī)模約為8千多億美元，SiC晶圓與GaN on SiC磊晶技術(shù)大廠Cree為求強化自身功率及射頻元件研發(fā)能力，決議2019年5月于美國總部北卡羅萊納州特勒姆市，擴建1座先進自動化8寸SiC晶圓生產(chǎn)工廠與1座材料超級工廠(Mega Factory)，期望借此擴建案，提升Cree在SiC晶圓上的生產(chǎn)尺寸與提升晶圓使用市占，并提供GaN on SiC先進磊晶技術(shù)進一步應(yīng)用于功率及射頻元件中。
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          • 關(guān)鍵字：
                        Cree  射頻  GaN on SiC磊晶技術(shù)                          
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	共1條
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          sic磊晶技術(shù)介紹
          
      			
          
		      	
          
		      			      			      	您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條sic磊晶技術(shù)!
           
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