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Vishay推出新型第三代1200 V SiC肖特基二極管，提升開關(guān)電源設(shè)計(jì)能效和可靠性
- 日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出16款新型第三代1200 V碳化硅（SiC）肖特基二極管。Vishay Semiconductors器件采用混合PIN 肖特基（MPS）結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，具有高浪涌電流保護(hù)能力，低正向壓降、低電容電荷和低反向漏電流低，有助于提升開關(guān)電源設(shè)計(jì)能效和可靠性。日前發(fā)布的新一代SiC二極管包括5 A至40 A器件，采用TO-220AC?2L、TO-247AD 2L和TO-247AD 3L插件封裝和D2PAK 2L（TO-263AB
- 關(guān)鍵字： Vishay SiC肖特基二極管 開關(guān)電源
Vishay推出新型第三代650 V SiC肖特基二極管
- 器件采用MPS結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，額定電流4 A~ 40 A，正向壓降、電容電荷和反向漏電流低 美國 賓夕法尼亞 MALVERN、中國 上海 — 2023年5月23日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出17款新型第三代650 V 碳化硅（SiC）肖特基二極管。Vishay Semiconductors器件采用混合PIN Schottky（MPS）結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，具有高浪涌電流保護(hù)能力，正向壓降、電容電荷和反向漏電流低，有助于提升開關(guān)電源設(shè)計(jì)
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