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	sic肖特基二極管技術(shù)
          

          
	
          
    	
          
    	  	
          
              	
                                
          
                  

                                
          
                    
          安森美半導(dǎo)體基于SiC的混合IGBT 和隔離型大電流IGBT門極驅(qū)動器將在歐洲PCIM 2019推出
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 2019年4月30日 — 推動高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor，美國納斯達(dá)克上市代號：ON)，將于5月7日開始的德國紐倫堡歐洲PCIM 2019展會推出新的基于碳化硅(SiC)的混合IGBT和相關(guān)的隔離型大電流IGBT門極驅(qū)動器。AFGHL50T65SQDC采用最新的場截止IGBT和SiC肖特基二極管技術(shù)，提供低導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗，用于多方面的電源應(yīng)用，包括那些將得益于更低反向恢復(fù)損耗的應(yīng)用，如基于圖騰柱的無橋功率因數(shù)校正(PFC)和逆變器。該器件將硅基IGBT與SiC肖特基勢壘
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          • 關(guān)鍵字：
                        安森美半導(dǎo)體  IGBT  SiC肖特基二極管技術(shù)                          
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          sic肖特基二極管技術(shù)介紹
          
      			
          
		      	
          
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