SiC半導體1. SiC材料的物性和特征SiC（碳化硅）是一種由Si（硅）和C（碳）構成的化合物半導體材料。 不僅絕緣擊穿場強是Si的10倍，帶隙是Si的3倍，而且在器件制作時可以在較寬范圍內控制必要的p型、n型，所以被認為是一種超越Si極限的功率器件材料。 SiC中存在各種多型體（結晶多系），它們的物性值也各不相同。 用于功率器件制作，4H-SiC最為合適。2. 功率器件的特征SiC的絕緣擊穿場強是Si的10倍，因此與Si器件相比，能夠以具有更高的雜質濃度和更薄的厚度的漂移層作出600V～數千V的高耐壓
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SiC功率器件
據芯動半導體官微消息，12月1日，芯動半導體與博世汽車電子在上海簽署長期訂單合作協議。近年汽車市場電動化高速增長，SiC功率器件可大幅提高汽車性能并優化整車架構。本次芯動半導體與博世汽車電子在SiC業務的戰略合作，將助力芯動半導體SiC業務穩步發展。同時，也將促進芯動半導體形成更加集聚的發展格局，進一步推動產業鏈融合。
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芯動半導體 SiC功率器件 博世汽車電子
作為一家成立于2018年的企業，愛仕特科技成長迅速，成立的這幾年中，多次與國內外汽車企業合作，作為SiC功率器件及應用方案的引領者，推出了多款被市場承認的產品，在本次的慕尼黑華南電子展之上，愛仕特科技展出了多款SiC的新產品，全新的SiC功率模塊，其使用了行業先進的封裝技術，并且提供全橋、半橋和H橋三種常見的電路拓撲選型。其SiC功率模塊的產品特性優秀，最高結溫達到了175攝氏度，集成了負溫度系數傳感器，擁有2.5kv的絕緣電壓；而本次愛仕特所帶來的SiC MOSFET產品也同樣令人矚目，可以提供插入式和
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愛仕特科技 SiC功率器件
過去數十年，各種能源法規都強調了制造節能型產品的重要性。這大大促進了節能降耗[1]。此外，這些法規和標準為利用諸如SiC MOSFET等新技術優異的特性，設計出更富創新性的家用電器鋪平了道路[2]。采用這些技術有助于制造商獲得最高能效等級認證。引言不久前，英飛凌推出了一款新開發的高級集成功率器件（IPD）IM105-M6Q1B。IM105-M6Q1B采用7 mm x 7 mm四邊無引線扁平封裝（QFN），將英飛凌CoolSiCTM技術的諸多優點和堪稱行業標桿的高可靠的高壓驅動集成電路（IC）集于一體。使用
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家電電機驅動 SiC功率器件
作者 李健 今年CEATEC展會ROHM的展臺聚焦汽車電子和工業兩大主題，以SiC功率器件和模擬技術為重點，以輕量化飛行器為亮點，吸引了眾多觀眾的駐足觀賞?！ ∑囯娮邮橇_姆近年來重點開拓的市場領域，羅姆以虛擬車身框架的形式展示其全面遍及車身每個環節的產品和技術，特別是在電動化方面羅姆的產品廣泛應用于智能駕駛艙、SiC
MOSFET，功率動力單元、車燈及轉向燈控制，ADB以及高精度LCD驅動等方面，其中智能駕駛艙控制系統可以通過手機藍牙或指紋識別進行進入控制，智能車燈根據對面來車的燈光強度可以自行調
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CEATEC展會 ROHM展臺 SiC功率器件 201812
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