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格羅方德推出性能增強型130nm 硅鍺射頻技術，以促進下一代無線網(wǎng)絡通信發(fā)展
- 格羅方德半導體(GlobalFoundries)于今日宣布針對硅鍺(SiGe)高性能技術組合，推出新一代射頻芯片解決方案。該項技術專為需要更優(yōu)性能解決方案的客戶而打造，適用于汽車雷達、衛(wèi)星通信、5G毫米波基站等其他無線或有線通信網(wǎng)絡的應用。 格羅方德半導體的硅鍺 8XP技術是該公司130nm高性能硅鍺系列產品的最新成員，它可協(xié)助客戶制定射頻解決方案，以在更遠距離實現(xiàn)更快的數(shù)據(jù)吞吐量，同時耗能更少。這項先進技術大幅提升了異質結雙極晶體管(HBT)的性能、降低噪聲指數(shù)、改善信號完整性并將硅鍺 8XP
- 關鍵字： 格羅方德 SiGe
瑞薩電子推出新型SiGe:C異質接面晶體管
- 2011年9月13日 日本東京訊—高級半導體廠商瑞薩電子株式會社（TSE：6723，以下簡稱“瑞薩電子”）宣布推出新款SiGe:C異質接面晶體管 (SiGe:C HBT, 注1)NESG7030M04，可作為低噪聲放大晶體管用于無線局域網(wǎng)絡系統(tǒng)、衛(wèi)星無線電及類似應用。本裝置的制程采用全新開發(fā)的硅鍺：碳(SiGe:C)材料 (注2) 并達到領先業(yè)界的低噪聲效能。
- 關鍵字： 瑞薩 晶體管 SiGe:C HBT
Maxim推出GPS/GNSS低噪聲放大器
- Maxim推出GPS/GNSS低噪聲放大器(LNA)產品線的最新成員MAX2667/MAX2669。這兩款完全集成的LNA采用Maxim先進的SiGe工藝設計，具有0.65dB的超低噪聲系數(shù)，與分立方案或高集成度CMOS方案相比可有效提高接收機的靈敏度和讀取范圍。MAX2667/MAX2669具有業(yè)內最佳的性能、最小的尺寸和最低的電流損耗，是智能手機、個人導航設備(PND)及其它電池供電手持設備的理想選擇。 MAX2667/MAX2669提供不同的線性指標選項，以滿足不同的系統(tǒng)要求。對于要求在存
- 關鍵字： Maxim LNA SiGe MAX2667 MAX2669
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