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          Vishay最新推出高性能60 V TrenchFET? 第四代 N溝道功率MOSFET
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　2019年2月21日—日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出新款6.15 mm x 
5.15 mm PowerPAK? SO-8單體封裝的60 V TrenchFET? 第四代 n溝道功率MOSFET---SiR626DP。Vishay 
Siliconix SiR626DP專門用于提高功率轉(zhuǎn)換拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的效率，導(dǎo)通電阻比前代器件降低36%，同時柵極電荷和輸出電荷達(dá)到同類產(chǎn)品最低水平。　　日前發(fā)布的器件10 V條件下最大導(dǎo)通電阻降至1
            • 
                    	                        
          • 關(guān)鍵字：
                        Vishay  SiR626DP                          
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