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          臺積電CoW-SoW 預(yù)計(jì)2027年量產(chǎn)

          • 隨著IC設(shè)計(jì)業(yè)者透過增加芯片尺寸提高處理能力,考驗(yàn)芯片制造實(shí)力。英偉達(dá)達(dá)AI芯片Blackwell,被CEO黃仁勛譽(yù)為「非常非常大的GPU」,而確實(shí)也是目前業(yè)界面積最大的GPU,由兩顆Blackwell芯片拼接而成,并采用臺積電4納米制程,擁有2,080億個(gè)晶體管,然而難免遇到封裝方式過于復(fù)雜之問題。CoWoS-L封裝技術(shù),使用LSI(本地硅互連)橋接RDL(硅中介層)連接晶粒,傳輸速度可達(dá)10/TBs左右;不過封裝步驟由于橋接放置精度要求極高,稍有缺陷都可能導(dǎo)致價(jià)值4萬美元的芯片報(bào)廢,從而影響良率及獲利
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          臺積電2納米、SoIC 蘋果搶首批訂單

          • 臺積電2納米先進(jìn)制程及3D先進(jìn)封裝同獲蘋果大單!業(yè)者傳出,臺積電2納米制程傳本周試產(chǎn),蘋果將拿下2025年首波產(chǎn)能外,下世代3D先進(jìn)封裝平臺SoIC(系統(tǒng)整合芯片)也規(guī)劃于M5芯片導(dǎo)入該封裝技術(shù)并展開量產(chǎn),2026年預(yù)定SoIC產(chǎn)能將出現(xiàn)數(shù)倍以上成長。 半導(dǎo)體業(yè)者指出,隨SoC(系統(tǒng)單芯片)愈做愈大,未來12吋晶圓恐僅能擺一顆芯片也不為過,但這對晶圓代工廠良率及產(chǎn)能均是極大挑戰(zhàn);因此,以臺積電為首等生態(tài)系加速研發(fā)SoIC,希望透過立體堆棧芯片技術(shù),滿足SoC所需晶體管數(shù)量、接口數(shù)、傳輸質(zhì)量及速度等要求,并
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          蘋果規(guī)劃于M5芯片導(dǎo)入臺積電SoIC先進(jìn)封裝制程

          • 《科創(chuàng)板日報(bào)》15日訊,臺積電2nm制程傳出將在本周試產(chǎn),蘋果將拿下2025年首波產(chǎn)能外,下世代3D先進(jìn)封裝平臺SoIC(系統(tǒng)整合芯片)也規(guī)劃于M5芯片導(dǎo)入并展開量產(chǎn),2026年預(yù)計(jì)SoIC產(chǎn)能將出現(xiàn)數(shù)倍以上成長。 (臺灣工商時(shí)報(bào))
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          消息稱蘋果繼 AMD 后成為臺積電 SoIC 半導(dǎo)體封裝大客戶

          • 7 月 4 日消息,根據(jù)經(jīng)濟(jì)日報(bào)報(bào)道,在 AMD 之后,蘋果公司在 SoIC 封裝方案上已經(jīng)擴(kuò)大和臺積電的合作,預(yù)估在2025 年使用該技術(shù)。臺積電正在積極提高 CoWoS 封裝產(chǎn)能的同時(shí),也在積極推動下一代 SoIC 封裝方案落地投產(chǎn)。AMD 是臺積電 SoIC 的首發(fā)客戶,旗下的 MI300 加速卡就使用了 SoIC+CoWoS 封裝解決方案,可將不同尺寸、功能、節(jié)點(diǎn)的晶粒進(jìn)行異質(zhì)整合,目前在位于竹南的第五座封測廠 AP6 生產(chǎn)。臺積電目前已經(jīng)整合封裝工藝構(gòu)建 3D Fabric 系統(tǒng),其中分為 3
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          臺積電先進(jìn)封裝產(chǎn)能被訂光,一路包到明年

          • 英偉達(dá)、AMD 等沖刺高性能計(jì)算,大舉下單。
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          消息稱蘋果正小量試產(chǎn) 3D 堆疊技術(shù) SoIC

          • IT之家 7 月 31 日消息,據(jù)臺媒 MoneyDJ 援引業(yè)界消息稱,繼 AMD 后,蘋果正小量試產(chǎn)最新的 3D 堆疊技術(shù) SoIC(系統(tǒng)整合芯片),目前規(guī)劃采用 SoIC 搭配 InFO 的封裝方案,預(yù)計(jì)用在 MacBook,最快 2025~2026 年間有機(jī)會看到終端產(chǎn)品問世。據(jù)IT之家了解,臺積電 SoIC 是業(yè)界第一個(gè)高密度 3D 堆疊技術(shù),通過 Chip on Wafer(CoW)封裝技術(shù),可以將不同尺寸、功能、節(jié)點(diǎn)的晶粒進(jìn)行異質(zhì)整合,并于竹南六廠(AP6)進(jìn)入量產(chǎn)。其中,AMD 是
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          ANSYS獲臺積電SoIC先進(jìn)3D晶片堆疊技術(shù)認(rèn)證

          • ANSYS針對臺積電 (TSMC) 創(chuàng)新系統(tǒng)整合晶片 (TSMC-SoIC) 先進(jìn)3D晶片堆疊技術(shù)開發(fā)的解決方案已獲臺積電認(rèn)證。SoIC是一種運(yùn)用Through Silicon Via (TSV) 和chip-on-wafer接合制程,針對多晶粒堆疊系統(tǒng)層級整合的先進(jìn)互連技術(shù),對高度復(fù)雜、要求嚴(yán)苛的云端和資料中心應(yīng)用而言,能提供更高的電源效率和效能。
          • 關(guān)鍵字: ANSYS  臺積電  SoIC  

          Ramtron推出32Kb器件擴(kuò)展F-RAM串口存儲器

          •   世界頂尖的非易失性鐵電存儲器 (F-RAM) 和集成半導(dǎo)體產(chǎn)品開發(fā)商及供應(yīng)商Ramtron International Corporation宣布推出 FM24CL32,提供具高速讀/寫性能、低電壓運(yùn)行,以及出色的數(shù)據(jù)保持能力的串口非易失性RAM器件。FM24CL32是32Kb 非易失性存儲器,工作電壓為2.7V至3.6V,采用8腳SOIC封裝,使用二線制 (I2C) 協(xié)議;并提供快速訪問、無延遲 (NoDelay™) 寫入、幾乎無限的讀/寫次數(shù) (1E14) 及低功耗特性。FM24CL3
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          基于磁阻傳感器的弱磁信號采集系統(tǒng)設(shè)計(jì)

          •   0引 言   通常所用的數(shù)據(jù)采集系統(tǒng),其采樣對象都為大信號,即有用信號幅值大于噪聲信號,但在一些特殊場合采集的信號很微弱,并淹沒在大量的隨機(jī)噪聲中。此種情況下,一般的采集系統(tǒng)和測量方法無法檢測該信號,本采集系統(tǒng)硬件電路針對微弱小信號,優(yōu)化設(shè)計(jì)前端調(diào)理電路,利用儀表放大器有效抑制共模信號,保證采集數(shù)據(jù)的精度要求。   磁阻傳感器是感知磁性物體的存在或者磁性強(qiáng)度(在有效范圍內(nèi))的敏感元件。這些磁性物體除永磁體外,還包括順磁材料,也可感知通電線圈或?qū)Ь€周圍的磁場。本文選用霍尼韋爾磁阻傳感器HMC1002
          • 關(guān)鍵字: 傳感器  磁阻效應(yīng)  數(shù)據(jù)采集  SOIC  
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