tsv芯片 文章 進入tsv芯片技術(shù)社區(qū)
以碳納米管取代銅 TSV芯片效能更好
- 來自瑞典歌德堡(Gothenburg)的查默斯理工大學(Chalmers University of Technology)的研究人員發(fā)現(xiàn)，以碳納米管來填充采用硅穿孔技術(shù)(TSV)連結(jié)的 3D芯片堆棧，效果會比銅來得更好。 TSV是將芯片以3D堆棧方式形成一個系統(tǒng)，而非將它們平行排列在電路板上，以提高芯片之間通訊的速度;但遺憾的是，目前用以填充硅晶孔洞的銅，卻會導致熱膨脹(thermal expansion)的問題，因為銅遇熱會比周圍的硅材料膨脹更多。 「碳納米管的許多特性都優(yōu)于銅，包括熱
- 關(guān)鍵字： TSV芯片 CMOS
IBM開發(fā)TSV芯片連接技術(shù)
- 計世網(wǎng)消息 IBM公司將用一種相對較新的方式將芯片連接在一起，據(jù)IBM公司表示，這將有助于提高系統(tǒng)性能并降低能耗量。 這一被稱為TSV(通過硅芯片過程)的技術(shù)利用數(shù)以千計的導線將不同的諸如處理器和內(nèi)存，或者兩個芯片中不同內(nèi)核的組件連接起來。而在當前，芯片主要是通過被稱為總線的“通道”傳輸數(shù)據(jù)，總線有時會發(fā)生擁擠和堵塞等現(xiàn)象。而采用TSV技術(shù)，芯片每秒種能夠以一種更為節(jié)能的方式傳輸更多的數(shù)據(jù)。 IBM公司并不是第一家開始談?wù)揟SV的公司，第一家開始談?wù)揟SV的應(yīng)該是英特爾公司，但IBM
- 關(guān)鍵字： IBM TSV芯片 連接技術(shù) 消費電子 消費電子
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tsv芯片介紹
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