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以碳納米管取代銅　TSV芯片效能更好

　　來(lái)自瑞典歌德堡(Gothenburg)的查默斯理工大學(xué)(Chalmers University of Technology)的研究人員發(fā)現(xiàn)，以碳納米管來(lái)填充采用硅穿孔技術(shù)(TSV)連結(jié)的 3D芯片堆棧，效果會(huì)比銅來(lái)得更好。　　TSV是將芯片以3D堆棧方式形成一個(gè)系統(tǒng)，而非將它們平行排列在電路板上，以提高芯片之間通訊的速度;但遺憾的是，目前用以填充硅晶孔洞的銅，卻會(huì)導(dǎo)致熱膨脹(thermal expansion)的問(wèn)題，因?yàn)殂~遇熱會(huì)比周?chē)墓璨牧吓蛎浉唷? 　　「碳納米管的許多特性都優(yōu)于銅，包括熱
關(guān)鍵字： TSV芯片 CMOS

計(jì)世網(wǎng)消息 IBM公司將用一種相對(duì)較新的方式將芯片連接在一起，據(jù)IBM公司表示，這將有助于提高系統(tǒng)性能并降低能耗量。這一被稱(chēng)為T(mén)SV(通過(guò)硅芯片過(guò)程)的技術(shù)利用數(shù)以千計(jì)的導(dǎo)線(xiàn)將不同的諸如處理器和內(nèi)存，或者兩個(gè)芯片中不同內(nèi)核的組件連接起來(lái)。而在當(dāng)前，芯片主要是通過(guò)被稱(chēng)為總線(xiàn)的“通道”傳輸數(shù)據(jù)，總線(xiàn)有時(shí)會(huì)發(fā)生擁擠和堵塞等現(xiàn)象。而采用TSV技術(shù)，芯片每秒種能夠以一種更為節(jié)能的方式傳輸更多的數(shù)據(jù)。 IBM公司并不是第一家開(kāi)始談?wù)揟SV的公司，第一家開(kāi)始談?wù)揟SV的應(yīng)該是英特爾公司，但I(xiàn)BM
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