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用于檢測(cè)裸硅圓片上少量金屬污染物的互補(bǔ)性測(cè)量技術(shù)

• I.?前言本文旨在解決硅襯底上的污染問題，將討論三種不同的金屬污染。第一個(gè)是鎳擴(kuò)散，又稱為快速擴(kuò)散物質(zhì)[1]，它是從晶圓片邊緣上的一個(gè)污點(diǎn)開始擴(kuò)散的金屬污染。第二個(gè)是鉻污染，它是從Bulk體區(qū)內(nèi)部擴(kuò)散到初始氧化膜[2]，并在晶圓片上形成了一層較厚的氧化物。第三個(gè)是晶圓片邊緣周圍的不銹鋼污染。本文的研究目的是根據(jù)金屬和圖1所示的污染特征找到污染的根源。圖1 三個(gè)金屬污染示例的映射圖。從左至右：鎳擴(kuò)散的微掩膜缺陷圖；較厚的鉻氧化沉積層；晶圓片邊緣上不銹鋼污染電子晶圓片檢測(cè)(EWS)映射圖AI.&nb
• 關(guān)鍵字： 金屬污染  測(cè)量  熱處理  SPV  TXRF