加利福尼亞州戈萊塔 – 2024 年 1 月 17 日 — 全球領先的氮化鎵（GaN）功率半導體供應商 Transphorm, Inc.（納斯達克：TGAN）今日宣布推出兩款采用 4 引腳 TO-247 封裝（TO-247-4L）的新型 SuperGaN? 器件。新發布的 TP65H035G4YS 和 TP65H050G4YS FET 器件分別具有 35 毫歐和 50 毫歐的導通電阻，并配有一個開爾文源極端子，以更低的能量損耗為客戶實現更全面的開關功能。新
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Transphorm 高功率服務器 工業電力轉換 氮化鎵場效應晶體管 碳化硅 SiC
1月12日消息，日前，半導體解決方案供應商瑞薩電子與氮化鎵（GaN）器件領導者Transphorm達成最終協議，根據協議，瑞薩電子的子公司將以每股5.10美元的價格收購Transphorm，較Transphorm 在1月10日的收盤價溢價約35%，總估值約為3.39億美元。此次收購將為瑞薩提供GaN的內部技術，從而擴展其在電動汽車、計算（數據中心、人工智能、基礎設施）、可再生能源、工業電源以及快速充電器/適配器等快速增長市場的業務范圍。據悉，瑞薩將采用Transphorm的汽車級GaN技術來開發新的增強型
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瑞薩 氮化鎵 收購 Transphorm
2024 年 1 月 11 日 3:00 p.m. JST，日本東京 | 2024 年 1 月 10 日 10:00 p.m. PST 加利福尼亞州戈利塔訊 - 全球半導體解決方案供應商瑞薩電子（以下“瑞薩”，TSE：6723）與全球氮化鎵（GaN）功率半導體供應商Transphorm, Inc.（以下“Transphorm”，Nasdaq：TGAN）于今天宣布雙方已達成最終協議，根據該協議，瑞薩子公司將以每股5.10美元現金收購Transphorm所有已發行普通股，較Transphorm在2024年1月
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瑞薩 Transphorm GaN
Weltrend新參考設計表明，擁有成本優勢的SuperGaN SiP IC，適用于65瓦和100瓦適配器 ，為客戶帶來規模經濟以及無與倫比的氮化鎵穩健性?2023 年 12 月 28 日 — 全球領先的氮化鎵（GaN）功率半導體供應商Transphorm, Inc.（Nasdaq：TGAN）與適配器USB-C PD控制器集成電路的全球領導者Weltrend Semiconductor Inc.（偉詮電子，TWSE：2436）宣布合作推出100瓦USB-C PD電源適配器參考設計。該參考設計電路
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Transphorm 偉詮 氮化鎵系統級封裝
2023 年 12月 21 日－全球領先的氮化鎵（GaN）功率半導體供應商 Transphorm, Inc.（納斯達克股票代碼TGAN）宣布推出兩款面向電動車充電應用的全新參考設計。300W和600W恒流/恒壓（CC/CV）電池充電器采用 Transphorm 的70毫歐和150毫歐 SuperGaN? 器件，以極具競爭力的成本實現高效的 AC-DC 功率轉換和高功率密度。這兩款參考設計旨在幫助兩輪和三輪電動車充電器快速實現量產。 據悉，印度和中國的兩輪和三輪電動車年銷量分別超過 1,
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Transphorm 三輪電動車 電池充電器 二輪電動車
全球領先的氮化鎵（GaN）功率半導體供應商 Transphorm, Inc.近日宣布與為運動控制和節能系統提供電源及傳感半導體技術的全球領先企業Allegro MicroSystems, Inc.（Allegro）開展合作，使用Transphorm 的 SuperGaN?場效應晶體管和Allegro的AHV85110隔離式柵極驅動器，針對大功率應用擴展氮化鎵電源系統設計。Transphorm 的 SuperGaN ?FET可用于各種拓撲結構，并能夠提供多種封裝形式，支持廣泛的功率級，滿足不同終端
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Transphorm Allegro 氮化鎵電源
加利福尼亞州戈萊塔 – 2023 年 11 月 7日 －新世代電力系統的未來、氮化鎵(GaN)功率半導體的全球領先供應商 Transphorm, Inc.（納斯達克股票代碼：TGAN）近日宣布，推出三款TOLL封裝的 SuperGaN? FET，導通電阻分別為35、50和72毫歐。Transphorm的TOLL封裝配置采用行業標準，這意味著TOLL封裝的SuperGaN功率管可作為任何使用e-mode TOLL方案的直接替代器件。新器件還具備Transphorm經驗證的高壓動態(開關)導通電阻可
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Transphorm 氮化鎵 GaN
氮化鎵功率半導體產品的全球領先企業Transphorm, Inc.近日發布了題為『Normally-off D-Mode 氮化鎵晶體管的根本優勢』的最新白皮書。該技術文獻科普了共源共柵 (常閉) d-mode氮化鎵平臺固有的優勢。重要的是，該文章還解釋了e-mode平臺為實現常閉型解決方案，從根本上 (物理層面) 削弱了諸多氮化鎵自身的性能優勢。要點白皮書介紹了 normally-off d-mode 氮化鎵平臺的幾個關鍵優勢，包括：1.性能更高：優越的 TCR (~25%)，更低的動態與靜態導通電阻比
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Transphorm 常閉耗盡型 D-Mode 增強型 E-Mode 氮化鎵
1 專注GaN的垂直整合Transphorm 是GaN（氮化鎵）功率半導體領域的全球領先企業，致力于設計和制造用于新世代電力系統的高性能、高可靠性650 V、900 V 和1 200 V（ 目前處于開發階段）氮化鎵器件。Transphorm 擁有1 000 多項專利，氮化鎵器件為單一業務。Transphorm 是唯一一家以垂直整合商業模式運營的上市公司，這意味著在器件開發的每個關鍵階段，我們均能做到自主可控和創新——包括GaN HEMT 器件設計、外延片材料、晶圓制程工藝，直至最終氮化鎵場效應晶體管芯片。
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新世代電力系統的未來，氮化鎵（GaN）功率半導體的全球領先供應商 Transphorm, Inc.近日宣布，DAH Solar Co., Ltd.的世界首個集成型光伏（PV）系統采用了Transphorm氮化鎵平臺，DAH Solar是安徽大恒新能源技術公司的子公司。該集成型光伏系統已應用在大恒能源的最新SolarUnit 產品。DAH Solar對系統中所使用的Transphorm的GaN FET器件給予高度評價，認為能夠生產出更小、更輕、更可靠的太陽能電池板系統，同時還能以更低的能耗提供更高的總發電量
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Transphorm 氮化鎵器件 DAH Solar 大恒能源 微型逆變器光伏系統
新世代電力系統的未來，氮化鎵（GaN）功率半導體產品的全球領先供應商Transphorm, Inc.近日宣布，利用該公司的一項專利技術，在氮化鎵功率晶體管上實現了長達5微秒的短路耐受時間（SCWT）。這是同類產品有記錄以來首次達到的成就，也是整個行業的一個重要里程碑，證明?Transphorm 的氮化鎵器件能夠滿足伺服電機、工業電機和汽車動力傳動系統等傳統上由硅?IGBT 或碳化硅（SiC）MOSFET 提供支持的堅固型功率逆變器所需的抗短路能力 --- 氮化鎵在這類應用領域未來五年的
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Transphorm 氮化鎵器件 電機驅動 抗短路穩健性
加利福尼亞州戈萊塔 – 2023 年 6 月 15 日 –新世代電力系統的未來, 氮化鎵（GaN）功率轉換產品的全球領先供應商Transphorm, Inc.（Nasdaq: TGAN）發布了一款高性能、低成本的驅動器解決方案。這款設計方案面向中低功率的應用，適用于LED照明、充電、微型逆變器、UPS和電竟電腦，加強了公司在這個30億美元電力市場客戶的價值主張。 不同于同類競爭的 e-mode GaN 解決方案需要采用定制驅動器或柵極保護器件的電平移位電路，Transphorm 的 SuperG
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Transphorm SuperGaN FET 驅動器
加州戈利塔--(2023年5月31日)-- 高可靠性、高性能氮化鎵(GaN)電源轉換產品的先鋒企業和全球供應商Transphorm, Inc. (Nasdaq: TGAN)宣布推出其1200伏功率管仿真模型及初始規格書。TP120H070WS功率管是迄今為止推出的唯一一款1200伏GaN-on-Sapphire功率半導體，領先同類產品。這款產品的發布展現Transphorm有能力支持未來的汽車電力系統，以及已普遍用于工業、數據通信和可再生能源市場的三相電力系統。與替代技術相比，這些應用可受益于1
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Transphorm 1200伏 GaN-on-Sapphire器件 常關型 氮化鎵.三相電力系統
Transphorm將在APEC2023會議上展出該產品(展位#853)。加州戈利塔和臺灣新竹—March 1, 2023 -- 高可靠性、高性能氮化鎵(GaN)功率轉換產品的先鋒企業和全球供貨商Transphorm, Inc.?(Nasdaq: TGAN)與偉詮電子 (Weltrend Semiconductor Inc.，TWSE: 2436)今天宣布雙方合作推出首款系統級封裝(SiP)的氮化鎵電源控制芯片。偉詮電子是用于適配器USB PD的控制器IC的全球領導者之一，新推出的WT7162R
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Transphorm 偉詮 集成式GaN SiP
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