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欠電壓閉鎖的一種解釋
- 了解欠壓鎖定（UVLO）如何保護半導(dǎo)體器件和電子系統(tǒng)免受潛在危險操作的影響。當(dāng)提到電源或電壓驅(qū)動要求時，我們經(jīng)常使用簡化，如“這是一個3.3 V的微控制器”或“這個FET的閾值電壓為4 V”。這些描述沒有考慮到電子設(shè)備在一定電壓范圍內(nèi)工作——3.3 V的微型控制器可以在3.0 V至3.6 V之間的任何電源電壓下正常工作，而具有4 V閾值電壓的MOSFET可能在3.5 V至5 V之間獲得足夠的導(dǎo)電性。但即使是這些基于范圍的規(guī)范也可能具有誤導(dǎo)性。當(dāng)VDD軌降至2.95V時，接受3.0至3.6 V電源電壓的數(shù)字
- 關(guān)鍵字： 欠電壓閉鎖，UVLO MOSFET，IC
意法半導(dǎo)體發(fā)布隔離式柵極驅(qū)動器，可安全控制碳化硅MOSFET
- STGAP2SiCS能夠產(chǎn)生高達26V的柵極驅(qū)動電壓，將欠壓鎖定(UVLO)閾壓提高到15.5V，滿足SiC MOSFET開關(guān)管正常導(dǎo)通要求。如果電源電壓低引起驅(qū)動電壓太低，UVLO保護機制將確保MOSFET處于關(guān)斷狀態(tài)，以免產(chǎn)生過多的耗散功率。這款驅(qū)動器有雙兩個輸入引腳，讓設(shè)計人員可以定義柵極驅(qū)動信號的極性。STGAP2SiCS在輸入部分和柵極驅(qū)動輸出之間設(shè)計6kV電氣隔離，電隔離有助于確保消費電子和工業(yè)設(shè)備的用電安全。4A吸電流/拉電流驅(qū)動能力使其適用于高端家用電器、工業(yè)驅(qū)動裝置、風(fēng)扇、電磁爐、電焊機
- 關(guān)鍵字： MOSFET UVLO
TI LMG341xR050 GaN功率級在貿(mào)澤開售，支持高密度電源轉(zhuǎn)換設(shè)計
- 專注于引入新品并提供海量庫存的電子元器件分銷商貿(mào)澤電子 (?Mouser Electronics?) 即日起開始備貨Texas Instruments (TI) 的LMG341xR050氮化鎵 (GaN) 功率級。這款 600V、500 mΩ的器件具有集成柵極驅(qū)動器和強大的保護功能，可讓設(shè)計人員在電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)中實現(xiàn)更高的效率，適用于高密度工業(yè)和消費類電源、高壓電池充電器、光伏逆變器和多電平轉(zhuǎn)換器等應(yīng)用。貿(mào)澤電子備貨的TI LMG341xR050 GaN功率級與硅MOSFET相比擁有多種
- 關(guān)鍵字： GaN UVLO
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