由于能源成本上升和人們積極應對全球變暖,電力電子設備的能源效率已經變得越來越重要。為了提升電力電子設備的能源效率,具有較低功率損耗的功率半導體器件技術是關鍵所在。在半導體器件中,功率損耗的降低可以改善
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VCESAT 1200V 開關 碳化硅
新型低VCEsat BJT技術為傳統的平面MOSFET(電流介于500mA與5A之間的應用)提供了一種可行的低成本替代方案。采用低VCEsat BJT有助于設計人員設計出成本更低、更具競爭優(yōu)勢的產品。 便攜式產品(如手機、數碼照相機、
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比較 MOSFET 晶體管 雙極結 VCEsat
近年來,中功率雙極晶體管在飽和電阻及功率選擇范圍方面的重大改進,極大地拓寬了此類器件的應用領域。恩智浦最新推出的SMD封裝型中功率晶體管BISS 4充分展示了雙極晶體管的技術優(yōu)勢,它在為開關應用帶來大功率低損耗解決方案的同時,也創(chuàng)造了新的應用領域。
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雙極晶體管 晶體管架構 VCesat 201010
恩智浦半導體(NXP Semiconductors)近日宣布推出新第四代低VCEsat (BISS)晶體管的前8種產品。該產品家族分成兩種優(yōu)化的分支:超低VCEsat晶體管以及高速開關晶體管。其電壓范圍為20 V - 60 V,采用小型SMD封裝SOT23 (2.9 x 1.3 x 1 mm)和SOT457 (2.9 x 1.5 x 1 mm)。
這些晶體管稱為突破性小信號(BISS)晶體管,正如其名,它們?yōu)闇p少打開導通電阻確立了新的基準,使開關時間減到絕對最小值。超低VCEsat 分支的晶體管
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NXP 晶體管 VCEsat
恩智浦半導體(由飛利浦創(chuàng)建的獨立半導體公司)發(fā)布了最新一代低VCEsat晶體管,與普通晶體管相比,其功率損耗可減少80%。恩智浦新型BISS(小信號擊穿)晶體管具有超低飽和電壓(1安培時低于60毫瓦)、高電路效率和更低的能源消耗,并能減少便攜式電池供電產品(如筆記本電腦、PDA和數碼相機)的發(fā)熱量。先進的BISS雙極晶體管還可用于需要低等效導通電阻的工業(yè)及汽車領域。
華碩公司研發(fā)處主任鄭慶福表示:“卓越的節(jié)能性能是華碩科技(ASUSTek)非常關注的一項重要性能,也是我們獲得世界首個筆記本電腦T
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VCEsat 單片機 恩智浦 晶體管 嵌入式系統
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