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          意法半導(dǎo)體第四代碳化硅功率技術(shù)問世!為下一代電動汽車電驅(qū)逆變器量身定制

          • 意法半導(dǎo)體(簡稱ST)推出第四代STPOWER碳化硅(SiC)MOSFET技術(shù)。第四代技術(shù)有望在能效、功率密度和穩(wěn)健性三個方面成為新的市場標(biāo)桿。在滿足汽車和工業(yè)市場需求的同時,意法半導(dǎo)體還針對電動汽車電驅(qū)系統(tǒng)的關(guān)鍵部件逆變器特別優(yōu)化了第四代技術(shù)。公司計劃在2027年前推出更多先進(jìn)的SiC技術(shù)創(chuàng)新成果,履行創(chuàng)新承諾。意法半導(dǎo)體模擬、功率與分立器件、MEMS和傳感器產(chǎn)品部(APMS)總裁Marco Cassis表示:“意法半導(dǎo)體承諾為市場提供尖端的碳化硅技術(shù),推動電動汽車和高能效工業(yè)的未來發(fā)展。我們將繼續(xù)在器
          • 關(guān)鍵字: STPOWER  SiC  MOSFET  

          【測試案例分享】 如何評估熱載流子引導(dǎo)的MOSFET衰退

          • 隨著MOSFET柵極長度的減小,熱載流子誘發(fā)的退化已成為重要的可靠性問題之一。在熱載流子效應(yīng)中,載流子被通道電場加速并被困在氧化物中。這些被捕獲的電荷會引起測量器件參數(shù)的時間相關(guān)位移,例如閾值電壓 (VTH)、跨導(dǎo) (GM)以及線性 (IDLIN) 和飽和 (IDSAT) 漏極電流。隨著時間的推移,可能會發(fā)生實質(zhì)性的器件參數(shù)退化,從而導(dǎo)致器件失效。用于測量HCI的儀器必須提供以下三個關(guān)鍵功能:自動提取設(shè)備參數(shù)創(chuàng)建具有各種應(yīng)力時間的應(yīng)力測量序列輕松導(dǎo)出測量數(shù)據(jù)進(jìn)行高級分析本文說明描述了如何在Kei
          • 關(guān)鍵字: 泰克科技  MOSFET  

          Littelfuse推出高頻應(yīng)用的IX4341和IX4342雙5安培低壓側(cè)MOSFET柵極驅(qū)動器

          • 芝加哥,2024年9月19日--Littelfuse公司(NASDAQ:LFUS)是一家工業(yè)技術(shù)制造公司,致力于為可持續(xù)發(fā)展、互聯(lián)互通和更安全的世界提供動力。公司榮幸地宣布推出IX4341和IX4342雙5安培低壓側(cè)MOSFET柵極驅(qū)動器。這些柵極驅(qū)動器專為驅(qū)動MOSFET而設(shè)計,通過增加其余兩個邏輯輸入版本完善了現(xiàn)有的IX434x驅(qū)動器系列。IX434x系列現(xiàn)在包括雙路同相、雙路反相以及同相和反相輸入版本,為客戶提供了全面的選擇。IX4341和IX4342驅(qū)動器具有16納秒的短傳播延遲時間和7納秒的短暫
          • 關(guān)鍵字: littlefuseli  MOSFET  

          高壓柵極驅(qū)動器的功率耗散和散熱分析,一文get√

          • 高頻率開關(guān)的MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動器,可能會產(chǎn)生大量的耗散功率。因此,需要確認(rèn)驅(qū)動器功率耗散和由此產(chǎn)生的結(jié)溫,確保器件在可接受的溫度范圍內(nèi)工作。高壓柵極驅(qū)動集成電路(HVIC)是專為半橋開關(guān)應(yīng)用設(shè)計的高邊和低邊柵極驅(qū)動集成電路,驅(qū)動高壓、高速MOSFET 而設(shè)計?!陡邏簴艠O驅(qū)動器的功率耗散和散熱分析》白皮書從靜態(tài)功率損耗分析、動態(tài)功率損耗分析、柵極驅(qū)動損耗分析等方面進(jìn)行了全面介紹。圖 1 顯示了 HVIC 的典型內(nèi)部框圖。主要功能模塊包括輸入級、欠壓鎖定保護(hù)、電平轉(zhuǎn)換器和輸出驅(qū)動級。柵極驅(qū)動器損耗
          • 關(guān)鍵字: MOSFET  IGBT  柵極驅(qū)動器  功率耗散  

          我國首次突破溝槽型碳化硅MOSFET芯片制造技術(shù)

          • 9 月 3 日消息,“南京發(fā)布”官方公眾號于 9 月 1 日發(fā)布博文,報道稱國家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心(南京)歷時 4 年自主研發(fā),成功攻關(guān)溝槽型碳化硅 MOSFET 芯片制造關(guān)鍵技術(shù),打破平面型碳化硅 MOSFET 芯片性能“天花板”,實現(xiàn)我國在該領(lǐng)域的首次突破。項目背景碳化硅是第三代半導(dǎo)體材料的主要代表之一,具有寬禁帶、高臨界擊穿電場、高電子飽和遷移速率和高導(dǎo)熱率等優(yōu)良特性。碳化硅 MOS 主要有平面結(jié)構(gòu)和溝槽結(jié)構(gòu)兩種結(jié)構(gòu),目前業(yè)內(nèi)應(yīng)用主要以平面型碳化硅 MOSFET 芯片為主。平面碳化硅 MOS
          • 關(guān)鍵字: 碳化硅  mosfet  第三代半導(dǎo)體  寬禁帶  

          國家隊加持,芯片制造關(guān)鍵技術(shù)首次突破

          • 據(jù)南京發(fā)布近日消息,國家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心(南京)歷時4年自主研發(fā),成功攻關(guān)溝槽型碳化硅MOSFET芯片制造關(guān)鍵技術(shù),打破平面型碳化硅MOSFET芯片性能“天花板”。據(jù)悉這是我國在這一領(lǐng)域的首次突破。公開資料顯示,碳化硅是第三代半導(dǎo)體材料的主要代表之一,具有寬禁帶、高臨界擊穿電場、高電子飽和遷移速率和高導(dǎo)熱率等優(yōu)良特性。碳化硅MOS主要有平面結(jié)構(gòu)和溝槽結(jié)構(gòu)兩種結(jié)構(gòu)。目前業(yè)內(nèi)應(yīng)用主要以平面型碳化硅MOSFET芯片為主。平面碳化硅MOS結(jié)構(gòu)的特點是工藝簡單,元胞一致性較好、雪崩能量比較高;缺點是當(dāng)電流被
          • 關(guān)鍵字: 碳化硅  溝槽型碳化硅  MOSFET  

          羅姆第4代SiC MOSFET裸芯片批量應(yīng)用于吉利集團(tuán)電動汽車品牌“極氪”3種主力車型

          • 8月29日上午,備受矚目的2024年武漢鐵人三項亞洲杯賽、2024年武漢全國鐵人三項冠軍杯系列賽暨U系列冠軍杯賽、2024年中國·武漢鐵人三項公開賽新聞發(fā)布會成功召開。發(fā)布會上,賽事組委會發(fā)布了賽事宣傳片、賽事分組、競賽距離、競賽日程、公開賽標(biāo)志、賽事獎牌等相關(guān)內(nèi)容。武漢市體育局黨組成員、副局長洪旭艷,江夏區(qū)人民政府黨組成員、副區(qū)長梁爽出席此次發(fā)布會;武漢市社會體育指導(dǎo)中心副主任邱海防代表武漢市體育局發(fā)布賽事信息;江夏區(qū)文化和旅游局(體育局)局長繆璐進(jìn)行江夏區(qū)文旅推介,向社會各界發(fā)出“跟著賽事游江夏”的邀
          • 關(guān)鍵字: 羅姆  SiC MOSFET  極氪  

          PCIM2024論文摘要|離網(wǎng)場景下SiC MOSFETs應(yīng)用于三相四橋臂變流器的優(yōu)勢

          • 梗概隨著全球低碳化的進(jìn)程,可再生能源發(fā)電占比及滲透率越來越高,此種背景下,儲能系統(tǒng)的引入有效抑制了新能源發(fā)電的波動性,PCS作為儲能系統(tǒng)的核心裝置應(yīng)用廣泛。在工商業(yè)應(yīng)用里,存在單相負(fù)載與三相不平衡負(fù)載,為了滿足單相供電需求以及對三相不平衡電壓的抑制,三相四線變流器拓?fù)涫欠浅1匾?,常見的拓?fù)湫问接幸韵聨追N:a)三橋臂分裂電容式拓?fù)鋌) 平衡橋臂拓?fù)鋱D一分裂電容式拓?fù)?,由于N線電流流過母線電容,電容容量需求增大,且直流電壓利用率較低,諧波畸變較大,抑制三相不平衡能力相對有限,平衡橋臂式拓?fù)渫ㄟ^硬件電路增強(qiáng)中
          • 關(guān)鍵字: 英飛凌  MOSFET  

          Nexperia最新擴(kuò)充的NextPower 80/100V MOSFET產(chǎn)品組合可提供更高的設(shè)計靈活性

          • Nexperia近日宣布,公司正在持續(xù)擴(kuò)充其NextPower 80 V和100 V MOSFET產(chǎn)品組合,并推出了幾款采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)5x6 mm和8x8 mm尺寸的新型LFPAK器件。這些新型NextPower 80/100 V MOSFET針對低RDS(on)和低Qrr進(jìn)行了優(yōu)化,可在服務(wù)器、電源、快速充電器和USB-PD等各種應(yīng)用以及各種電信、電機(jī)控制和其他工業(yè)設(shè)備中提供高效率和低尖峰。設(shè)計人員可以從80 V和100 V器件中進(jìn)行選擇,RDS(on)選型從1.8 mΩ到15 mΩ不等。許多MOSFET
          • 關(guān)鍵字: Nexperia  NextPower  MOSFET  

          ROHM開發(fā)出安裝可靠性高的車載Nch MOSFET,非常適用于汽車車門、座椅等所用的各種電機(jī)以及LED前照燈等應(yīng)用!

          • ~符合汽車電子產(chǎn)品可靠性標(biāo)準(zhǔn)AEC-Q101,有助于車載應(yīng)用的高效運行和小型化~全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都市)開發(fā)出具有低導(dǎo)通電阻*1優(yōu)勢的車載Nch MOSFET*2“RF9x120BKFRA”、“RQ3xxx0BxFRA”和“RD3x0xxBKHRB”。新產(chǎn)品非常適用于汽車門鎖和座椅調(diào)節(jié)裝置等所用的各種電機(jī)以及LED前照燈等應(yīng)用。目前,3種封裝10種型號的新產(chǎn)品已經(jīng)開始銷售,未來會繼續(xù)擴(kuò)大產(chǎn)品陣容。在汽車領(lǐng)域,隨著安全性和便捷性的提高,電子產(chǎn)品逐漸增加,使得所安裝的電子元器件數(shù)量也
          • 關(guān)鍵字: ROHM  Nch MOSFET  汽車車門  座椅  電機(jī)  LED前照燈  

          很基礎(chǔ)的MOS管知識

          • 半導(dǎo)體三極管中參與導(dǎo)電的有兩種極性的載流子,所以也稱為雙極型三極管。本文將介紹另一種三極管,這種三極管只有一種載流子參與導(dǎo)電,所以也稱為單極型三極管,因為這種管子是利用電場效應(yīng)控制電流的,所以也叫場效應(yīng)三極管(FET),簡稱場效應(yīng)管。場效應(yīng)管可以分成兩大類,一類是結(jié)型場效應(yīng)管(JFET),另一類是絕緣柵場效應(yīng)管(MOSFET)。在如果你在某寶里搜索“場效應(yīng)管”你會發(fā)現(xiàn),搜索出來的基本上是絕緣柵場效應(yīng)管。即使搜索“結(jié)型場效應(yīng)管”,出來的也只有幾種,你是不是懷疑結(jié)型場效應(yīng)管已經(jīng)被人類拋棄了的感覺,沒錯,JFE
          • 關(guān)鍵字: 三極管  MOSFET  JFET  

          實現(xiàn)3.3KW高功率密度雙向圖騰柱PFC數(shù)字電源方案

          • 隨著社會經(jīng)濟(jì)發(fā)展、能源結(jié)構(gòu)變革,近幾年全球?qū)矣脙δ芟到y(tǒng)的需求量一直保持相當(dāng)程度的增長。2023年,全球家用儲能系統(tǒng)市場銷售額達(dá)到了87.4億美元,預(yù)計2029年將達(dá)到498.6億美元,年復(fù)合增長率(CAGR)為33.68%(2023-2029);便攜儲能市場經(jīng)過了一輪爆發(fā)式增長的狂歡后,現(xiàn)在也迎來了穩(wěn)定增長期,從未來看,預(yù)計在2027年便攜儲能市場將達(dá)到900億元;AI Server市場規(guī)模持續(xù)增長,帶來了數(shù)字化、智能化服務(wù)器所需的高功率服務(wù)器電源的需求,現(xiàn)在單機(jī)3KW的Power也成為了標(biāo)配。對于
          • 關(guān)鍵字: Infineon  XMC1400  CoolSiC  Mosfet   高功率密度  雙向圖騰柱  PFC  數(shù)字電源  

          還分不清結(jié)型場效應(yīng)管與絕緣柵?看這一文就夠了,圖表展現(xiàn)

          • JFET 與 MOSFET的區(qū)別JFET 和 MOSTFET 之間的主要區(qū)別在于,通過 JFET 的電流通過反向偏置 PN 結(jié)上的電場引導(dǎo),而在 MOSFET 中,導(dǎo)電性是由于嵌入在半導(dǎo)體上的金屬氧化物絕緣體中的橫向電場。JFET 與 MOSFET的區(qū)別兩者之間的下一個關(guān)鍵區(qū)別是,JFET 允許的輸入阻抗比 MOSFET 小,因為后者嵌入了絕緣體,因此漏電流更少。JFET?通常被稱為“ON 器件”是一種耗盡型工具,具有低漏極電阻,而?MOSFET?通常被稱為“OFF 器件”,
          • 關(guān)鍵字: 結(jié)型場效應(yīng)管  jfet  MOSFET  電路設(shè)計  

          貿(mào)澤開售適合能量轉(zhuǎn)換應(yīng)用的新型英飛凌CoolSiC G2 MOSFET

          • 專注于引入新品的全球電子元器件和工業(yè)自動化產(chǎn)品授權(quán)代理商貿(mào)澤電子?(Mouser Electronics)?即日起開售英飛凌公司的CoolSiC? G2 MOSFET。CoolSiC? G2 MOSFET系列采用新一代碳化硅?(SiC) MOSFET溝槽技術(shù),開啟了電力系統(tǒng)和能量轉(zhuǎn)換的新篇章,適用于光伏逆變器、能量儲存系統(tǒng)、電動汽車充電、電源和電機(jī)驅(qū)動應(yīng)用。貿(mào)澤供貨的英飛凌CoolSiC? G2?MOSFET可在所有常見電源方案組合(AC-DC、DC-DC和DC-A
          • 關(guān)鍵字: 貿(mào)澤  英飛凌  CoolSiC G2  MOSFET  

          英飛凌OptiMOS? 7 40V 車規(guī)MOSFET ,助力汽車控制器應(yīng)用

          • OptiMOS? 7 40V 車規(guī)MOSFET概況采用OptiMOS? 7 技術(shù)的40V車規(guī)MOSFET產(chǎn)品系列,進(jìn)一步提升比導(dǎo)通電阻,減小RDSON*A,即在同樣的晶圓面積下實現(xiàn)更低的RDSON,或者說在更小的晶圓面積下實現(xiàn)相同的RDSON。如下圖所示,英飛凌40V MOSFET不同代際產(chǎn)品在比導(dǎo)通電阻的演進(jìn)。英飛凌40V MOSFET比導(dǎo)通電阻代際演進(jìn)英飛凌OptiMOS? 7 技術(shù)是英飛凌開發(fā)的第五代溝槽技術(shù),是當(dāng)今領(lǐng)先的雙多晶硅溝槽技術(shù)。無引腳封裝結(jié)合銅夾技術(shù)的使用,大幅提高了產(chǎn)品的電流能
          • 關(guān)鍵字: OptiMOS  MOSFET  英飛凌  
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