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          SJ-MOS與VDMOS動(dòng)態(tài)性能比較
          
                                                            
            
                    	
          • 引言：為了打破傳統(tǒng)的VDMOS工藝MOS導(dǎo)通電阻與反向擊穿電壓之間制約，半導(dǎo)體物理學(xué)界提出的一種新型MOS結(jié)構(gòu)，稱為...
            • 
                    	                        
          • 關(guān)鍵字：
                        SJ-MOS  VDMOS                          
            • 
                   	
          
                    
          
                
          
                                
          
                    
          基于Arrhenius模型快速評(píng)價(jià)功率VDMOS可靠性
          
                                                            
            
                    	
          • 0 引言　　垂直導(dǎo)電雙擴(kuò)散場(chǎng)（VDMOS）效應(yīng)晶體管是新一代集成化半導(dǎo)體電力器件的代表［1］。與功率晶體管相比，具有輸入阻抗高、熱穩(wěn)定性高、開關(guān)速度快、驅(qū)動(dòng)電流小、動(dòng)態(tài)損耗小、失真小等優(yōu)點(diǎn)。因此VDMOS廣泛應(yīng)用在
            • 
                    	                        
          • 關(guān)鍵字：
                        Arrhenius  VDMOS  模型  可靠性                            
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          大功率VDMOS(200V)的設(shè)計(jì)研究
          
                                                            
            
                    	
          • 功率MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管是新一代電力電子開關(guān)器件，在微電子工藝基礎(chǔ)上實(shí)現(xiàn)電力設(shè)備高功率大電流的要求。自從垂直導(dǎo)電雙擴(kuò)散VDMOS(VerticalDou-ble-diff used Metal Oxide Semiconductor)新結(jié)構(gòu)誕生以來，電力MOSFET得到
            • 
                    	                        
          • 關(guān)鍵字：
                        研究  設(shè)計(jì)  200V  VDMOS  大功率                          
            • 
                   	
          
                    
          
                
          
                                
          
                    
          大功率VDMOS(200 V)的設(shè)計(jì)研究
          
                                                            
            
                    	
          • 摘要：介紹了大功率VDMOS(200 V)的設(shè)計(jì)方法。對(duì)設(shè)計(jì)參數(shù)進(jìn)行了理論分析，并使用仿真工具時(shí)設(shè)計(jì)參數(shù)進(jìn)行了驗(yàn)證和優(yōu)化。設(shè)計(jì)中主要考慮了漏源電壓和導(dǎo)通電阻等參數(shù)指標(biāo)，通過器件和工藝的仿真，確定了該器件合理的參數(shù)
            • 
                    	                        
          • 關(guān)鍵字：
                        研究  設(shè)計(jì)  VDMOS  大功率                          
            • 
                   	
          
                    
          
                
          
                                
          
                    
          功率直流無(wú)刷電機(jī)的控制器VDMOS正確使用
          
                                                            
            
                    	
          • 在電動(dòng)自行車?yán)?，直流無(wú)刷電機(jī)的逆變器由六個(gè)功率VDMOS管和六個(gè)續(xù)流二極管組成，六個(gè)續(xù)流二極管分別寄生在這六個(gè)VDMOS管里，因而從控制器外面看只有六個(gè)VDMOS管。這六個(gè)VDMOS管通過大電流，它們的輸出直接是定子的繞
            • 
                    	                        
          • 關(guān)鍵字：
                        正確  使用  VDMOS  控制器  直流  電機(jī)  功率                          
            • 
                   	
          
                    
          
                
          
                                
                                
          
                    
          VDMOS器件損傷的DC／DC轉(zhuǎn)換器輻射預(yù)兆單元設(shè)計(jì)
          
                                                            
            
                    	
          •     航天用DC／DC轉(zhuǎn)換器工作在太空輻射環(huán)境下，輻射損傷是其主要失效機(jī)理。DC／DC轉(zhuǎn)換器的可靠性關(guān)系到整個(gè)航天器的可靠性，國(guó)內(nèi)外廣泛研究了DC／DC轉(zhuǎn)換器輻射損傷失效機(jī)理、失效模式和抗輻射篩選與加固措施。隨著
            • 
                    	                        
          • 關(guān)鍵字：
                        DC  預(yù)兆  單元  設(shè)計(jì)  輻射  轉(zhuǎn)換器  器件  損傷  VDMOS  DC／DC轉(zhuǎn)換器                          
            • 
                   	
          
                    
          
                
          
                                
          
                    
          一種減少VDMOS寄生電容的新結(jié)構(gòu)
          
                                                            
            
                    	
          • 分析影響VDMOS開關(guān)特性的各部分電容結(jié)構(gòu)及參數(shù)，為了減少寄生電容，提高開關(guān)速度，在此提出一種減少VDMOS寄生電容的新型結(jié)構(gòu)。該方法是部分去除傳統(tǒng)VDMOS的neck區(qū)多晶硅條，并利用多晶硅作掩模注入P型區(qū)，改變VDMOS柵下耗盡區(qū)形狀，減小寄生電容。在此增加了neck區(qū)寬度，并增加了P阱注入。利用TCAD工具模擬，結(jié)果表明：這種新型結(jié)構(gòu)與傳統(tǒng)VDMOS相比，能有效減小器件的寄生電容，減少柵電荷量，提高開關(guān)時(shí)間，提高器件的動(dòng)態(tài)性能。
            • 
                    	                        
          • 關(guān)鍵字：
                        VDMOS  寄生電容                            
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          DC／DC輻照損傷與VDMOS器件1／f噪聲相關(guān)性研究
          
                                                            
            
                    	
          • 通過對(duì)DC／DC轉(zhuǎn)換器低頻噪聲測(cè)試技術(shù)以及在y輻照前后電性能與1/f噪聲特性變化的對(duì)比分析，發(fā)現(xiàn)使用低頻噪聲表征DC／DC轉(zhuǎn)換器的可靠性是對(duì)傳統(tǒng)電參數(shù)表征方法的一種有效補(bǔ)充。對(duì)DC／DC轉(zhuǎn)換器輻照損傷與其內(nèi)部VDMOS器件1/f噪聲相關(guān)性進(jìn)行了研究，討論了引起DC／DC轉(zhuǎn)換器輻照失效的原因。
            • 
                    	                        
          • 關(guān)鍵字：
                        DC  相關(guān)性  研究  噪聲  VDMOS  輻照  損傷  器件  轉(zhuǎn)換器                          
            • 
                   	
          
                    
          
                
          
                                                

                
          
	                
          
		                	
          
	
          
	共9條
	1/1															1								
	
          
		                
          
	               	
          
                
          
        	
          
            
          
        
          
	
          
	
          
  		
          
    		
          
      			
          
          			
          vdmos介紹
          
      			
          
		      	
          
		      			      			      	　　垂直雙擴(kuò)散金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管
　　VDMOS兼有雙極晶體管和普通MOS器件的優(yōu)點(diǎn)，無(wú)論是開關(guān)
　　應(yīng)用還是線形應(yīng)用，VDMOS都是理想的功率器件，VDMOS主要
　　應(yīng)用于電機(jī)調(diào)速、逆變器、不間斷電源、電子開關(guān)、高保真音
　　響、汽車電器和電子鎮(zhèn)流器等。 
　　特征: 
　　接近無(wú)限大的靜態(tài)輸入阻抗特性，非常快的開關(guān)時(shí)間，導(dǎo)通
　　電阻正溫度系數(shù)，近似常數(shù)的跨導(dǎo)， 高		      	[ 查看詳細(xì) ]
		      			      	
          
    		
          
  		
          
  		  		  		
  		  		  		  		        		  		
          
    		
          
      			
          
        			
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