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高壓功率VDMOSFET的設(shè)計與研制

摘要：按照功率VDMOSFET正向設(shè)計的思路，選取(100)晶向的襯底硅片，采用多晶硅柵自對準(zhǔn)工藝，結(jié)合MEDICI器件仿真和SUPREM-4工藝仿真軟件，提取參數(shù)結(jié)果，并最終完成工藝產(chǎn)品試制，達(dá)到了500 V／8 A高壓、大電流VDMOS
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