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適用于復(fù)雜負(fù)載點(diǎn)應(yīng)用的數(shù)字增強(qiáng)型電源模擬直流/直流控制器
- 在許多系統(tǒng)中，使用單片機(jī)來控制多個(gè)負(fù)載點(diǎn)(POL)直流/直流轉(zhuǎn)換器，從而構(gòu)成混合控制系統(tǒng)以管理系統(tǒng)啟動行為、監(jiān)視電氣參數(shù)并管理外設(shè)子系統(tǒng)的功耗。不過，最復(fù)雜的解決方案可在計(jì)算機(jī)主板、圖形卡或服務(wù)器的CPU刀片上找到，其中穩(wěn)壓器模塊(VRM)直接與其負(fù)載通信來調(diào)整電源電壓，并且/或者甚至調(diào)整其控制特性來適應(yīng)臨時(shí)的工作條件。這種“智能”電源轉(zhuǎn)換管理和控制在總體系統(tǒng)效率、性能和可靠性方面具有顯著優(yōu)勢——簡而言之：是工業(yè)、醫(yī)療、汽車以及消費(fèi)類細(xì)分市場的首選解決方案
- 關(guān)鍵字： 控制器 MCP19111 POL VRM
LED基礎(chǔ)：12個(gè)LED重要性能指標(biāo)
- 要想深入了解LED，不僅需要了解LED的一些基本知識，還要了解LED的性能指標(biāo)，因?yàn)長ED性能指標(biāo)是整個(gè)LED的核心部分。筆者將LED性能指標(biāo)分為12個(gè)關(guān)鍵詞，下面讓筆者給網(wǎng)友進(jìn)行詳細(xì)的分析。
- 關(guān)鍵字： LED 性能指標(biāo) VRm
改善VRM輸出瞬態(tài)響應(yīng)的辦法
- 除了由于輸出濾波電容的ESR、ESL，使頻繁高速變化的電流引起VRM輸出電壓的變化外，電路中其他的寄生參數(shù)，如...
- 關(guān)鍵字： VRM 輸出瞬態(tài)響應(yīng)
使用功率MOSFET封裝技術(shù)解決計(jì)算應(yīng)用的高功耗問題
- 對于主板設(shè)計(jì)師來說，要設(shè)計(jì)處理器電壓調(diào)節(jié)模塊(VRM)來滿足計(jì)算機(jī)處理器永無止境的功率需求實(shí)在是個(gè)大挑戰(zhàn)。Pentium 4處理器要求VRM提供的電流提高了約3倍。英特爾將其VRM指標(biāo)從8.4版本升級到9.0版本，涵蓋了新的功率要求，以繼續(xù)追隨摩爾(Moore)定律。 在過去的10年間，VRM電流要求一直在增加，正如英特爾所公布的，IccMAX從VRM9.0中的60A發(fā)展成驅(qū)動高端4核處理器的VRM11.0所要求的150A。與此同時(shí)，電流切換速率要求也有相當(dāng)大的提高；芯片插座處的dI／dT從45
- 關(guān)鍵字： MOSFET VRM 英特爾 低功耗 芯片 PWB
開關(guān)電源技術(shù)發(fā)展的十個(gè)關(guān)注點(diǎn)
- 上世紀(jì)60年代，開關(guān)電源的問世，使其逐步取代了線性穩(wěn)壓電源和SCR相控電源。40多年來，開關(guān)電源技術(shù)有了飛迅發(fā)展和變化，經(jīng)歷了功率半導(dǎo)體器件、高頻化和軟開關(guān)技術(shù)、開關(guān)電源系統(tǒng)的集成技術(shù)三個(gè)發(fā)展階段。 功率半導(dǎo)體器件從雙極型器件(BPT、SCR、GTO)發(fā)展為MOS型器件(功率MOSFET、IGBT、IGCT等)，使電力電子系統(tǒng)有可能實(shí)現(xiàn)高頻化，并大幅度降低導(dǎo)通損耗，電路也更為簡單。 自上世紀(jì)80年代開始，高頻化和軟開關(guān)技術(shù)的開發(fā)研究，使功率變換器性能更好、重量更輕、尺寸更小。高頻化和軟開關(guān)
- 關(guān)鍵字： 模擬技術(shù) 電源技術(shù) 系統(tǒng)集成 電磁 VRM 電源
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vrm介紹
VRM的英文全稱是Voltage Regulator Module，中文意思是電壓調(diào)節(jié)模塊，其主要作為了通過對主板上直流—>直流(簡稱DC—>DC)轉(zhuǎn)換電路的控制來為CPU提供穩(wěn)定的工作電壓，同時(shí)也對電腦啟動時(shí)電壓的變化情況和時(shí)序作出了明確的要求。根據(jù)VRM標(biāo)準(zhǔn)制定的電源電路能夠滿足不同CPU的要求，減少人工干預(yù)的復(fù)雜性，簡化了穩(wěn)壓電路的電壓控制設(shè)計(jì)。這個(gè)VRM標(biāo)準(zhǔn)是Intel專門為自 [ 查看詳細(xì) ]
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