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VSCEL光芯片能否國(guó)產(chǎn)化 關(guān)鍵在這兩大核心工藝！
- 對(duì)于VSCEL這種高精密光芯片來(lái)說(shuō)，在外延片的量產(chǎn)過(guò)程中，如何確保激射時(shí)所需的波長(zhǎng)，并獲得高反射率的DBR也是國(guó)產(chǎn)廠商亟待突破的另一大瓶頸。據(jù)記者了解，作為外延工藝中的關(guān)鍵組成部分，激射過(guò)程主要是為了在有源區(qū)部分將電子空穴對(duì)轉(zhuǎn)化為光子，然后將其在諧振腔中不斷放大，最后在DBR反射率較低的一面激射出激光，而個(gè)中關(guān)鍵在于諧振腔中將電子空穴對(duì)轉(zhuǎn)化為光子的有源區(qū)，這與VCSEL晶片量子阱的材料組分和構(gòu)成有很大關(guān)系?！ 榱吮ＷC激射的效果，目前常規(guī)獲得940nm波段輸出的VCSEL主要采用的是InGaAs/Al
- 關(guān)鍵字： VSCEL，光芯片
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