對于高壓開關電源應用，碳化硅或 SiC MOSFET 與傳統硅 MOSFET 和 IGBT 相比具有顯著優勢。開關超過 1,000 V的高壓電源軌以數百 kHz 運行并非易事，即使是最好的超結硅 MOSFET 也難以勝任。IGBT 很常用，但由于其存在“拖尾電流”且關斷緩慢，因此僅限用于較低的工作頻率。因此，硅 MOSFET 更適合低壓、高頻操作，而 IGBT 更適合高壓、大電流、低頻應用。SiC MOSFET 很好地兼顧了高壓、高頻和開關性能優勢。它是電壓控制的場效應器件，能夠像 IGBT 一樣進行高壓
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SiC MOSFET IGBT WBG
減少能源轉換損耗和提高能效是人們的不懈追求，新的寬帶隙 (WBG) 半導體是一個切實可靠的節能降耗解決方案，可以通過系統方式減少碳足跡來減輕技術對環境的影響。例如，我們最新的 650 V、
750 V 和 1,200 V STPOWER 系列碳化硅 MOSFET 晶體管，可以讓設計人員開發續航里程更長的電動汽車動力總成系統。更高的能效可以大幅簡化冷卻系統設計，更小更輕的電子設備有助于最大限度降低車自重，在相同電量條件下，自重更輕的汽車行跑得更遠。意法半導體汽車和分立器件產品部(ADG)?Fil
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202207 寬帶隙 WBG 意法半導體
受訪人：Filippo Di Giovanni（意法半導體汽車和分立器件產品部(ADG)）1.氮化鎵和碳化硅同屬第三代半導體，在材料特性上有什么相似之處和不同之處？根據其不同的特性，分別適用在哪些應用領域？貴公司目前在SiC和GaN兩種材料的半導體器件方面都有哪些主要的產品？ 意法半導體的第三代碳化硅是我們的STPOWER SiC MOSFET技術改良研發活動取得的新進展，是為了更好地滿足電動汽車廠商在用碳化硅設計的動力電機逆變器、車載充電機和DC-DC轉換器時的嚴格要求。在高端工業領域，我們的第三代碳
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意法半導體 寬帶隙 WBG
以GaN和SiC為代表第三代半導體正處于高速發展的階段，Si和GaAs等第一、二代半導體材料也仍在產業中大規模應用。但不可否認，第三代半導體確實具有更多的性能優勢。
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碳化硅 SiC 氮化鎵 GaN 寬禁帶 WBG
0? ?引言近年來，電力電子領域最重要的發展是所謂的寬禁帶（WBG）材料的興起，即碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）。WBG 材料的特性有望實現更小、更快、更高效的電力電子產品。WBG 功率器件已經對從普通電源和充電器到太陽能發電和能量存儲的廣泛應用和拓撲結構產生了影響。SiC 功率器件進入市場的時間比氮化鎵長，通常用于更高電壓、更高功率的應用。電機在工業應用的總功率中占了相當大的比例。它們被用于暖通空調（HVAC）、重型機器人、物料搬運和許多其他功能。提高電機驅動的能效和可靠性是降低
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202106 MOSFET WBG 202106
我國正在大力興起新基建，帶來了5G、數據中心、工業互聯網、汽車充電樁、特高壓等對新一代電源產品的需求。為此，本刊邀請了部分業內領軍企業，介紹了相關的市場機會與技術趨勢。
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PWM WBG CARG EV 202009
全球領先的電子元器件供應商基美電子（“KEMET”），近日繼續通過使用KONNEKT高密度封裝技術擴展其廣受歡迎的KC-LINK系列來增強其電源轉換解決方案，從而滿足業界對快速開關寬禁帶（WBG）半導體、EV/HEV、LLC諧振轉換器和無線充電應用不斷增長的需求。這項技術將KC-LINK堅固耐用的專有C0G賤金屬電極（BME）電介質系統與KONNEKT的創新型瞬態液相燒結（TLPS）材料相結合，創建了一種表面貼裝多芯片解決方案，其非常適合高密度封裝和高效率的應用使用，所產生的電容高達單個多層陶瓷電容器的四
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WBG BME TLPS
近日，推動高能效創新的安森美半導體（ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ON），推出另兩個碳化硅（SiC） MOSFET系列，擴展了其寬禁帶（WBG）器件系列。?這些新器件適用于各種高要求的高增長應用，包括太陽能逆變器、電動汽車（EV）車載充電、不間斷電源（UPS）、服務器電源和EV充電樁，提供的性能水平是硅（Si）?MOSFET根本無法實現的。安森美半導體的新的1200伏（V）和900 V N溝道SiC MOSFET提供比硅更快的開關性能和更高的可靠性?？焖俦菊鞫?/li>
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SiC WBG
眾所周知，封裝技術是讓寬帶隙 (WBG) 器件發揮潛力的關鍵所在。碳化硅器件制造商一直在快速改善器件技術的性能表征，如單位面積的導通電阻 (RdsA)，同時同步降低電容以實現快速開關。新的分立封裝即將推出，它能讓用戶更好地利用寬帶隙快速開關性能?？捎玫臉藴誓K越來越多，而且有越來越多的新先進技術通過實現快速開關、降低熱阻與提高可靠性來提高產品價值。器件技術SiC 肖特基二極管銷售額占了 SiC 銷售額的?50% 以上，其中大部分是 650V、1200V 和1700V 等級。650V 二極管用于計
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WBG RdsA
汽車領域正迅速邁向采用純電動汽車(EV)，并采用將最終實現全自動駕駛汽車的精密ADAS。安森美半導體在這一領域處于技術前沿，持續開發和推出器件及集成的系統方案，以使強固、可靠并完全符合最新汽車標準的高性能電子成分遍及整個車輛。
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安森美半導體 自動駕駛 WBG
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