全球公認的卓越的模擬/混合信號晶圓代工廠X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）近日宣布，其光學傳感器產品平臺再添新成員——為滿足新一代圖像傳感器性能的要求，X-FAB現已在其備受歡迎的CMOS傳感器工藝平臺XS018（180納米）上開放了背照（BSI）功能。BSI工藝截面示意圖通過BSI工藝，成像感光像素性能將得到大幅增強。這一技術使得每個像素點接收到的入射光不會再被后端工藝的金屬層所遮擋，從而大幅提升傳感器的填充比，最高可達100%。由于其能夠獲得更高的像素感光靈敏度，因而在暗
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X-FAB 圖像傳感器 背照技術 CMOS傳感器
4 月 8 日消息，國外科技媒體 Windows Latest 幾周前受邀前往高通位于圣迭戈的總部，親身體驗了驍龍 X Elite 平臺產品，在最新博文中分享了跑分、游戲實測和 NPU 性能等相關信息。跑分該媒體使用 3D Mark、Jetstream 等軟件進行了相關測試，IT之家基于該媒體報道，附上 23W 驍龍 X Elite 處理器（系統瓦數，而非封裝瓦數）和英特爾酷睿 Ultra 7 155H 處理器的跑分對比：跑分 Snapdragon X Elite 23w Intel Core Ultra
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高通 驍龍 X Elite 芯片 AI
"極致數字化"的時代已然拉開帷幕，全新水平的復雜數據和生成式 AI
的"化學效應"，正在加速提升自動化工作流的智能水平，幫助企業擁有更廣泛且有競爭力的業務影響，同時通過實時洞察和決策來加速和擴展企業內部數字化轉型的議程。據IBM
商業價值研究院近期針對全球范圍內2,000 多名首席級高管開展的一項AI和自動化調研的洞察報告顯示，在生成式 AI 采用和數據主導式創新領域處于前沿的企業已經收獲了巨大的回報，其年凈利潤要比其他組織高出 72%，年收入增長率要高出
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IBM X-POWER 源卓微納 AI 制造業智能化
12月22日，科創板上市公司格科微（688728.sh）成功舉辦以“Fab-Lite新模式·引領中國芯未來”為主題的20周年慶典暨臨港工廠投產儀式，及2023年產品推介會暨CEO交流會。圖1 格科微20周年慶典暨臨港工廠投產儀式.JPG以讓世界看見中國的創新為使命，格科微經過二十年的發展，成功實現了從Fabless到Fab-Lite的戰略轉型，迎來了歷史最佳的經營局面。值此良機，格科微高端產品再傳佳訊，公司推出三款全新單芯片高階產品，為未來加速核心技術產品化，邁向嶄新的發展階段奠定了基礎。整個活動，政府領
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Fab-Lite 格科微 5000萬像素 圖像傳感器
據臨港新片區管委會官網披露文件顯示，日前，中芯國際臨港12英寸晶圓代工生產線項目城鎮污水排入排水管網許可順利獲批。據悉，中芯國際臨港12英寸晶圓代工生產線項目由中芯國際和中國（上海）自由貿易試驗區臨港新片區管理委員會合作規劃建設。根據協議，雙方共同成立合資公司，規劃建設產能為10萬片/月的12英寸晶圓代工生產線項目，聚焦于提供28納米及以上技術節點的集成電路晶圓代工與技術服務。據中芯國際發布的公告顯示，該項目計劃投資約88.7億美元（折合人民幣約573億元），這也是中芯國際在上海的第一個按照Twin Fa
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中芯國際 12英寸晶圓 代工廠 Twin Fab
全球公認的卓越的模擬/混合信號晶圓代工廠X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）近日宣布，推出專用近紅外版本的單光子雪崩二極管（SPAD）器件組合。與2021年發布的前一代SPAD保持同步，新版本也是基于X-FAB 180納米工藝的XH018平臺。得益于在制造過程中增加的額外工藝流程，在保持同樣低的本底噪聲水平的同時，顯著增強信號，而且不會對暗計數率、后脈沖和擊穿電壓等參數產生負面影響。X-FAB通過推出這一最新版本的產品，成功豐富了其SPAD產品的選擇范圍，提升了解決眾多視近紅外
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X-FAB 近紅外 SPAD
●? ?TMF8821可輸出多個點距離值，具有避障、防跌落和輔助建圖功能；●? ?TMF8821卓越的測距性能與出色的抗陽光干擾能力，能夠在各種光照環境下實現可靠檢測；●? ?TMF8821產線校準方式簡單，只需一次底噪校準就可完成；●? ?立功科技提供算法技術支持，優化功能效果。EBO X智能機器人全球領先的光學解決方案供應商艾邁斯歐司朗近日宣布，通過與立功科技合作，攜手家庭機器人供應商Enabot成功推出AI智能陪伴機器人
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艾邁斯歐司朗 立功科技 Enabot 智能機器人 EBO X 家庭陪伴
全球公認的卓越的模擬/混合信號晶圓代工廠X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）近日宣布，在電隔離技術領域取得重大進展——X-FAB在2018年基于其先進工藝XA035推出針對穩健的分立電容或電感耦合器優化之后，現又在此平臺上實現了將電隔離元件與有源電路的直接集成。這是X-FAB對半導體制造工藝上的又一重大突破。這一集成方法使隔離產品的設計更加靈活，從而應對可再生能源、EV動力系統、工廠自動化和工業電源領域的新興機遇。XA035基于350納米工藝節點，非常適合制造車用傳感器和高壓工
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X-FAB 電隔離解決方案
IT之家?10 月 25 日消息，2023 的高通峰會現在正式開始，高通推出的第一款產品就是為 PC 產品設計的全新驍龍 X 平臺，其旗艦產品命名為“驍龍 X Elite”。驍龍 X Elite 采用定制 Oryon CPU，基于 4nm 工藝打造，采用 12 顆 3.8GHz 大核，支持雙核睿頻至 4.3GHz，內存帶寬 136GB/s，緩存總數 42MB。IT之家匯總驍龍 X Elite 規格如下：規格CPUQualcomm Oryon CPU，64 位架構，12 核，最高 3.8 GHz，
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高通 驍龍 X
在人工智能（AI）、機器學習（ML）和數據挖掘的狂潮中，我們對數據處理的渴求呈現出前所未有的指數級增長。面對這種前景，內存帶寬成了數字時代的關鍵“動脈”。其中，以雙倍數據傳輸速率和更高的帶寬而聞名的 DDR（Double Data Rate）技術作為動態隨機存取存儲器（DRAM）的重要演進，極大地推動了計算機性能的提升。從 2000 年第一代 DDR 技術誕生，到 2020 年 DDR5，每一代 DDR 技術在帶寬、性能和功耗等各個方面都實現了顯著的進步。如今，無論是 PC、筆電還是人工智能，各行業正在加
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DDR5 Cadence Sigrity X
據華為官方微信號10月11日消息，2023全球移動寬帶論壇（Global MBB Forum 2022）期間，華為董事、ICT產品與解決方案總裁楊超斌重磅發布了全新一代5G室內數字化產品解決方案LampSite X系列，助力運營商打開商業新空間，加快邁向數智化新時代。楊超斌表示：“LampSite X將5G-A極致能力首次帶入室內場景，實現室內數字化全面升級：以最小體積、最輕重量、最簡部署、最低能耗實現萬兆體驗和多維能力升級，滿足消費者更極致的室內體驗需求，釋放千行百業更強大的數字生產力?！比A為無線網絡產
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華為 5G LampSite X
全球公認的卓越的模擬/混合信號晶圓代工廠X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）近日宣布，新增集成無源器件（IPD）制造能力，進一步增強其在射頻（RF）領域的廣泛實力。公司在歐洲微波展（9月17至22日，柏林）舉辦前夕推出XIPD工藝；參加此次活動的人員可與X-FAB技術人員（位于438C展位）就這一創新進行交流。X-FAB XIPD晶圓上的電感器測試結構XIPD源自廣受歡迎的X-FAB XR013 130nm RF SOI工藝——該技術利用工程基底和厚銅金屬化層，讓客戶能夠在其器
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X-FAB 無源器件 晶圓代工廠
6月19日消息，作為季度末促銷活動的一部分，特斯拉再次對某些庫存車型提供折扣，以尋求在第二季度結束前提振銷量。隨著季度末的臨近，特斯拉希望通過減少庫存來實現更好的財務業績。為了實現這一目標，特斯拉會定期實施特殊折扣或激勵措施，以便在季度末之前清空庫存車輛。據外媒報道，特斯拉近日將Model X和Model S的售價都下調了8000美元，并為6月30日之前購車的客戶提供三年免費超級充電服務。特斯拉官網顯示，這些舉措意味著，客戶現在可以8.3萬美元左右的價格買到2023年款特斯拉Model S，折扣金額為75
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特斯拉 Model S/X 充電
中國北京，2023年6月15日——全球公認的卓越的模擬/混合信號晶圓代工廠X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）今日宣布，正在開展photonixFAB項目---該項目旨在為中小企業和大型實體機構在光電子領域的創新賦能，使其能夠輕松獲得具有磷化銦（InP）和鈮酸鋰（LNO）異質集成能力的低損耗氮化硅（SiN）與絕緣體上硅（SOI）光電子平臺。在此過程中，模擬/混合信號晶圓代工領域的先進廠商X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）牽頭發起一項戰略倡議，旨在推
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中國北京，2023年6月2日——全球公認的卓越的模擬/混合信號晶圓代工廠X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）今日宣布，X-FAB成為業界首家推出110納米BCD-on-SOI解決方案的代工廠，由此加強了其在BCD-on-SOI技術領域的突出地位。全新XT011 BCD-on-SOI平臺反映了模擬應用中對更高數字集成和處理能力日益增長的需求。其將SOI和DTI極具吸引力的特性結合在一起，因此與傳統Bulk BCD工藝相比，高密度數字邏輯和模擬功能可以更容易地集成至單個芯片。X-F
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X-FAB 110納米 BCD-on-SOI
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