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聯(lián)發(fā)科攻中高端 10納米Helio X30、X35連發(fā)
- 聯(lián)發(fā)科為擴(kuò)大產(chǎn)品線覆蓋范圍，繼首顆10奈米晶片“X30”依計(jì)畫(huà)今年底、明年初就會(huì)量產(chǎn)，全力搶攻高階市場(chǎng)，考慮再推出同樣采用10奈米制程的“X35”，擴(kuò)大滿足中高階市場(chǎng)需求。 聯(lián)發(fā)科早已是臺(tái)積電首批10奈米客戶之一，市場(chǎng)最近傳出，聯(lián)發(fā)科內(nèi)部評(píng)估加開(kāi)一顆降規(guī)格版的10奈米晶片曦力(Helio)“X35”，法人認(rèn)為，這將有利拉高代工廠臺(tái)積電的10奈米產(chǎn)能利用率。 聯(lián)發(fā)科積極卡位高階市場(chǎng)，原規(guī)畫(huà)今年推出一到兩顆16奈米和一顆1
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聯(lián)發(fā)科Helio X35細(xì)節(jié)曝光：采用10nm工藝
- 據(jù)臺(tái)灣媒體報(bào)道，芯片廠商聯(lián)發(fā)科將在明年推出Helio X30。與此同時(shí)為了提高10nm工藝產(chǎn)能，聯(lián)發(fā)科也希望同樣采用10nm制程工藝來(lái)研制Helio X35。這種策略和之前發(fā)布的Helio X25和X20非常相似，這也是為了滿足更多中高端智能手機(jī)需求。 聯(lián)發(fā)科Helio X35細(xì)節(jié)曝光：采用10nm工藝(圖片來(lái)自于谷歌) 此前，聯(lián)發(fā)科COO朱尚祖曾透露Helio X30將采用臺(tái)積電10nm工藝，基帶支持3載波聚合，Cat.10-Cat.12的全網(wǎng)通，GPU方案拋棄了ARM Mali，而是來(lái)
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