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          三星電子開發(fā)出其首款基于第八代V-NAND的車載SSD

          • 三星電子今日宣布成功開發(fā)其首款基于第八代V-NAND技術(shù)的PCIe 4.0車載SSD。三星新款A(yù)M9C1車載SSD憑借行業(yè)前沿的速度和更高的可靠性,成為適配車載應(yīng)用端側(cè)人工智能功能的解決方案。三星新款256GB AM9C1車載SSD相比前代產(chǎn)品AM991,能效提高約50%,順序讀寫速度分別高達(dá)4,400MB/s和400MB/s。三星半導(dǎo)體基于第八代V-NAND技術(shù)的車載SSD AM9C1三星電子副總裁兼存儲(chǔ)器事業(yè)部汽車業(yè)務(wù)負(fù)責(zé)人Hyunduk Cho表示:“我們正在與全球自動(dòng)駕駛汽車廠商合作,為這些企業(yè)提
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          三星首款!第八代V-NAND車載SSD發(fā)布:讀取4400MB/s

          • 9月24日消息,今日,三星電子宣布成功開發(fā)其首款基于第八代V-NAND 技術(shù)的PCIe 4.0車載SSD——AM9C1。相比前代產(chǎn)品AM991,AM9C1能效提高約50%,順序讀寫速度分別高達(dá)4400MB/s和400MB/s。三星表示,AM9C1能滿足汽車半導(dǎo)體質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)AEC-Q1003的2級(jí)溫度測(cè)試標(biāo)準(zhǔn),在-40°C至105°C寬幅的溫度范圍內(nèi)能保持穩(wěn)定運(yùn)行。據(jù)介紹,AM9C1采用三星5nm主控,用戶可將TLC狀態(tài)切換至SLC模式,以此大幅提升讀寫速度。其中,讀取速度高達(dá)4700MB/s,寫入速度高達(dá)1
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          2024二季度NAND Flash出貨增長放緩,AI SSD推動(dòng)營收季增14%

          • 根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新調(diào)查,由于Server(服務(wù)器)終端庫存調(diào)整接近尾聲,加上AI推動(dòng)了大容量存儲(chǔ)產(chǎn)品需求,2024年第二季NAND Flash(閃存)價(jià)格持續(xù)上漲,但因?yàn)镻C和智能手機(jī)廠商庫存偏高,導(dǎo)致第二季NAND Flash位元出貨量季減1%,平均銷售單價(jià)上漲了15%,總營收達(dá)167.96億美元,較前一季增長了14.2%。第二季起所有NAND Flash供應(yīng)商已恢復(fù)盈利狀態(tài),并計(jì)劃在第三季擴(kuò)大產(chǎn)能,以滿足AI和服務(wù)器的強(qiáng)勁需求,但由于PC和智能手機(jī)今年上半年市場(chǎng)表現(xiàn)不佳,
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          TrendForce:今年 Q2 NAND 閃存出貨增長放緩,AI SSD 推動(dòng)營收環(huán)比增長 14%

          • IT之家 9 月 9 日消息,TrendForce 集邦咨詢今天下午發(fā)布報(bào)告指出,由于服務(wù)器終端庫存調(diào)整接近尾聲,加上 AI 推動(dòng)了大容量存儲(chǔ)產(chǎn)品需求,今年第二季度 NAND Flash(閃存)價(jià)格持續(xù)上漲。但由于 PC 和智能手機(jī)廠商庫存偏高,導(dǎo)致 Q2 NAND Flash 位元出貨量環(huán)比下降 1%,平均銷售單價(jià)上漲了 15%,總營收達(dá) 167.96 億美元(IT之家備注:當(dāng)前約 1193.37 億元人民幣),較前一季實(shí)現(xiàn)環(huán)比增長 14.2%。各廠商營收情況如下:三星:第二季時(shí)積極回應(yīng)客戶對(duì)
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          消息稱三星電子確認(rèn)平澤 P4 工廠 1c nm DRAM 內(nèi)存產(chǎn)線投資,目標(biāo)明年 6 月投運(yùn)

          • IT之家 8 月 12 日消息,韓媒 ETNews 報(bào)道稱,三星電子內(nèi)部已確認(rèn)在平澤 P4 工廠建設(shè) 1c nm DRAM 內(nèi)存產(chǎn)線的投資計(jì)劃,該產(chǎn)線目標(biāo)明年 6 月投入運(yùn)營。平澤 P4 是一座綜合性半導(dǎo)體生產(chǎn)中心,分為四期。在早前規(guī)劃中,一期為 NAND 閃存,二期為邏輯代工,三期、四期為 DRAM 內(nèi)存。三星已在 P4 一期導(dǎo)入 DRAM 生產(chǎn)設(shè)備,但擱置了二期建設(shè)。而 1c nm DRAM 是第六代 20~10 nm 級(jí)內(nèi)存工藝,各家的 1c nm(或?qū)?yīng)的 1γ nm)產(chǎn)品目前均尚未正式
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          1000層3D NAND Flash時(shí)代即將到來

          • Lam Research 推出低溫蝕刻新技術(shù),為 1000 層 3D NAND 鋪平道路。
          • 關(guān)鍵字: NAND Flash  

          存儲(chǔ)亮劍!NAND技術(shù)多點(diǎn)突破

          • 人工智能(AI)市場(chǎng)持續(xù)火熱,新興應(yīng)用對(duì)存儲(chǔ)芯片DRAM和NAND需求飆升的同時(shí),也提出了新的要求。近日恰逢全球存儲(chǔ)會(huì)議FMS 2024(the Future of Memory and Storage)舉行,諸多存儲(chǔ)領(lǐng)域議題與前沿技術(shù)悉數(shù)亮相。其中TrendForce集邦咨詢四位資深分析師針對(duì)HBM、NAND、服務(wù)器等議題展開了深度討論,廓清存儲(chǔ)行業(yè)未來發(fā)展方向。此外,大會(huì)現(xiàn)場(chǎng),NVM Express組織在會(huì)中發(fā)布了 NVMe 2.1 規(guī)范,進(jìn)一步統(tǒng)一存儲(chǔ)架構(gòu)、簡化開發(fā)流程。另外包括Kioxia
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          為 1000 層 NAND 閃存制造鋪平道路,泛林推出新一代低溫介質(zhì)蝕刻技術(shù) Lam Cyro 3.0

          • IT之家 8 月 1 日消息,泛林集團(tuán) Lam Research 當(dāng)?shù)貢r(shí)間昨日宣布推出面向 3D NAND 閃存制造的第三代低溫介質(zhì)蝕刻技術(shù) Lam Cyro 3.0。泛林集團(tuán)全球產(chǎn)品部高級(jí)副總裁 Sesha Varadarajan 表示:Lam Cryo 3.0 為(我們的)客戶實(shí)現(xiàn) 1000 層 3D NAND 鋪平了道路。泛林低溫蝕刻已被用于 500 萬片晶圓的生產(chǎn),而我們的最新技術(shù)是 3D NAND 生產(chǎn)領(lǐng)域的一項(xiàng)突破。它能以埃米級(jí)精度創(chuàng)建高深寬比(IT之家注:High Aspect R
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          消息指 SK 海力士加速 NAND 研發(fā),400+ 層閃存明年末量產(chǎn)就緒

          • IT之家 8 月 1 日消息,韓媒 ETNews 報(bào)道稱,SK 海力士將加速下一代 NAND 閃存的開發(fā),計(jì)劃 2025 年末完成 400+ 層堆疊 NAND 的量產(chǎn)準(zhǔn)備,2026 年二季度正式啟動(dòng)大規(guī)模生產(chǎn)。SK 海力士此前在 2023 年展示了 321 層堆疊 NAND 閃存的樣品,并稱這一顆粒計(jì)劃于 2025 上半年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。▲ SK 海力士 321 層 NAND 閃存按照韓媒的說法,SK 海力士未來兩代 NAND 的間隔將縮短至約 1 年,明顯短于業(yè)界平均水平。IT之家注:從代際發(fā)布間隔
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          消息稱 SK 海力士考慮推動(dòng) NAND 業(yè)務(wù)子公司 Solidigm 在美 IPO

          • IT之家 7 月 29 日消息,綜合外媒《韓國經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)》(Hankyung)與 Blocks & Files 報(bào)道,SK 海力士考慮推動(dòng) NAND 閃存與固態(tài)硬盤子公司 Solidigm 在美 IPO。SK 海力士于 2020 年 10 月宣布收購英特爾 NAND 與 SSD 業(yè)務(wù),而 Solidigm 是 SK 海力士于 2021 年底完成收購第一階段后成立的獨(dú)立美國子公司。▲ Solidigm D5-P5336,E1.L 規(guī)格,61.44TB由于內(nèi)外部因素的共同影響,Sol
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          長江存儲(chǔ)再度“亮劍”,在美國起訴美光侵犯其 11 項(xiàng)專利

          • IT之家 7 月 22 日消息,據(jù)外媒 Tomshardware 報(bào)道,中國 3D NAND 閃存制造商長江存儲(chǔ),日前再次將美光告上法院,在美國加州北區(qū)指控美光侵犯了長江存儲(chǔ)的 11 項(xiàng)專利,涉及 3D NAND Flash 和 DRAM 產(chǎn)品。長江存儲(chǔ)還要求法院命令美光停止在美國銷售侵權(quán)的存儲(chǔ)產(chǎn)品,并支付專利使用費(fèi)。長江存儲(chǔ)指控稱,美光的 96 層(B27A)、128 層(B37R)、176 層(B47R)和 232 層(B58R)3D NAND Flash,以及美光的一些 DDR5 SDRA
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          為什么QLC可能是NAND閃存的絕唱?

          • NAND 閃存已經(jīng)達(dá)到了一定的密度極限,無法再進(jìn)一步擴(kuò)展。
          • 關(guān)鍵字: NAND  

          三星發(fā)布了其首款60TB固態(tài)硬盤,能否搶占先機(jī)?

          • 內(nèi)存和存儲(chǔ)芯片制造商三星發(fā)布了其首款容量高達(dá)60TB的企業(yè)級(jí)固態(tài)硬盤(SSD),專為滿足企業(yè)用戶的需求而設(shè)計(jì)。得益于全新主控,三星表示未來甚至可以制造120TB的固態(tài)硬盤。對(duì)比2020年發(fā)布的上一代BM1733,BM1733采用了第5代V-NAND技術(shù)的QLC閃存、堆疊層數(shù)為96層、最大容量為15.36TB,顯然BM1743的存儲(chǔ)密度有了大幅度提升。三星以往的固態(tài)硬盤容量上限為32TB,此次推出的BM1743固態(tài)硬盤則將容量提升至了驚人的60TB。值得注意的是,目前三星在該細(xì)分市場(chǎng)將面臨的競(jìng)爭(zhēng)相對(duì)較少,因
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          鎧俠產(chǎn)能滿載 傳7月量產(chǎn)最先進(jìn)NAND Flash產(chǎn)品

          • 《科創(chuàng)板日?qǐng)?bào)》4日訊,鎧俠產(chǎn)線稼動(dòng)率據(jù)悉已在6月回升至100%水準(zhǔn)、且將在7月內(nèi)量產(chǎn)最先進(jìn)存儲(chǔ)芯片(NAND Flash)產(chǎn)品,借此開拓因生成式AI普及而急增的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)需求。據(jù)悉,鎧俠將開始量產(chǎn)的NAND Flash產(chǎn)品堆疊218層數(shù)據(jù)存儲(chǔ)元件,和現(xiàn)行產(chǎn)品相比,存儲(chǔ)容量提高約50%,寫入數(shù)據(jù)時(shí)所需的電力縮減約30%。 (MoneyDJ)
          • 關(guān)鍵字: 鎧俠  NAND Flash  

          NAND市場(chǎng),激戰(zhàn)打響

          • 隨著人工智能(AI)相關(guān)半導(dǎo)體對(duì)高帶寬存儲(chǔ)(HBM)需求的推動(dòng),NAND 閃存市場(chǎng)也感受到了這一趨勢(shì)的影響。目前,NAND 閃存市場(chǎng)的競(jìng)爭(zhēng)正在加劇,存儲(chǔ)巨頭三星和 SK 海力士正加緊努力,以提升 NAND 產(chǎn)品的性能和容量。兩大巨頭輪番出手三星投產(chǎn)第九代 V-NAND 閃存今年 4 月,三星宣布其第九代 V-NAND 1Tb TLC 產(chǎn)品開始量產(chǎn),這將有助于鞏固其在 NAND 閃存市場(chǎng)的卓越地位。那么 V-NAND 閃存是什么呢?眾所周知,平面 NAND 閃存不僅有 SLC、MLC 和 TLC 類型之分,
          • 關(guān)鍵字: 三星  第九代 V-NAND  
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