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mos場(chǎng)效應(yīng)管工作原理

場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor縮寫(xiě)(FET)）簡(jiǎn)稱場(chǎng)效應(yīng)管。一般的晶體管是由兩種極性的載流子,即多數(shù)載 ...
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VMOS場(chǎng)效應(yīng)管的檢測(cè)方法

VMOS場(chǎng)效應(yīng)管（VMOSFET）簡(jiǎn)稱VMOS管或功率場(chǎng)效應(yīng)管，其全稱為V型槽MOS場(chǎng)效應(yīng)管。它是繼MOSFET之后新發(fā)展起來(lái)的高 ...
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電路基礎(chǔ)

1、　模擬信號(hào)和數(shù)字信號(hào)：　　電子技術(shù)所處理的對(duì)象是載有信息的電信號(hào)，按信號(hào)的特點(diǎn)不同分為兩大類，即模擬信 ...
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邏輯門(mén)電路的識(shí)別分類及測(cè)量

邏輯門(mén)電路的識(shí)別分類及測(cè)量一、　符號(hào)：　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　A，B為輸入端，Y為輸出 ...
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二極管的識(shí)別分類及測(cè)量

二極管的識(shí)別分類及測(cè)量一、　符號(hào)：　“D、VD、ZD” 　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　普 ...
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晶振的識(shí)別分類及測(cè)量

晶振的識(shí)別分類及測(cè)量一、單位：赫茲“Hz”　　　　　1MHz=103kHz=106Hz　　　符號(hào)：　“X、Y” 　　　　　 ...
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電感器的識(shí)別分類及測(cè)量

電感器的識(shí)別分類及測(cè)量一、單位：亨利簡(jiǎn)稱“亨”(H)　　　　　1H=103mH=106uH符號(hào)：　“L” 　　　　　　　 ...
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電容的識(shí)別分類及測(cè)量

電容的識(shí)別分類及測(cè)量一、單位：法拉(F)　　　1F=103mF=106uF=109nF=1012pF　　　符號(hào)：　“C、ＴＣ、ＭＣ、ＥＣ” 　　 ...
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電阻器的識(shí)別分類及測(cè)量

電阻器的識(shí)別分類及測(cè)量一、單位：歐姆(Ω)　　　1MΩ=1000kΩ　 1kΩ=1000Ω　　符號(hào)：　“Ｒ” 　　　　　 ...
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可控硅的工作原理及基本特性

1、可控硅元件的工作原理可控硅是P1N1P2N2四層三端結(jié)構(gòu)元件，共有三個(gè)PN結(jié)，分析原理時(shí)，可以把它看作由一個(gè)PNP ...
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什么是LAN接口?(局域網(wǎng)接口)

什么是LAN接口?LAN接口(局域網(wǎng)接口)主要是用于路由器與局域網(wǎng)進(jìn)行連接，因局域網(wǎng)類型也是多種多樣的，所以這 ...
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可控硅的基礎(chǔ)知識(shí)

可控硅的知識(shí)資料一、可控硅的概念和結(jié)構(gòu)？晶閘管又叫可控硅。自從20世紀(jì)50年代問(wèn)世以來(lái)已經(jīng)發(fā)展成了一個(gè)大 ...
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硅單向開(kāi)關(guān)(SUS-單向觸發(fā)晶體管)

硅單向開(kāi)關(guān)(SUS)硅單向開(kāi)關(guān)SUS(Silicon Unidirectional Switch)亦稱單向觸發(fā)晶體管，上繼雙向觸發(fā)二極管（DI ...
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可控硅詳細(xì)介紹

可控硅詳細(xì)介紹可控硅是可控硅整流元件的簡(jiǎn)稱，是一種具有三個(gè)PN 結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件。實(shí)際上，可 ...
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固體繼電器SSR

固體繼電器SSR 固體繼電器（Solid State Relay SSR)是利用現(xiàn)代微電子技術(shù)與電力電子技術(shù)相結(jié)合而發(fā)展起來(lái)的 ...
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美國(guó)模擬器件公司 Analog Device Instrument 美國(guó)模擬器件公司（Analog Devices, Inc. 紐約證券交易所代碼：ADI）自從1965年創(chuàng)建以來(lái)到2005年經(jīng)歷了悠久歷史變遷，取得了輝煌業(yè)績(jī)，樹(shù)立起成立40周年的里程碑?；仡橝DI公司的成功歷程——從位于美國(guó)馬薩諸塞州劍橋市一座公寓大樓地下室的簡(jiǎn)陋實(shí)驗(yàn)室開(kāi)始起步——經(jīng)過(guò)40多年的努力，發(fā)展成全世界特許半導(dǎo)體行業(yè) [ 查看詳細(xì) ]