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如何用SmartPRO 6000糾正NAND Flash燒錄過程位反轉(zhuǎn)
- 如何用SmartPRO 6000糾正NAND Flash燒錄過程位反轉(zhuǎn),關(guān)于使用燒錄器燒錄Nand Flash，一直都是很多用戶頭疼的難點(diǎn)，他們強(qiáng)調(diào)已經(jīng)使用了正確的壞塊管理方案，也制定了規(guī)范的操作流程，但是燒錄的良品率還是無(wú)法提高，只能每天眼睜睜看著一盤盤“廢品”被燒錄器篩選出來!
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DSP硬件設(shè)計(jì)需要知道的注意事項(xiàng)
- 數(shù)字信號(hào)處理芯片(DSP) 具有高性能的CPU(時(shí)鐘性能超過100MHZ)和高速先進(jìn)外圍設(shè)備，通過CMOS處理技術(shù)，DSP芯片的功耗越來越低。這些巨大的進(jìn)步增加了DSP
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NAND flash和NOR flash的區(qū)別詳解
- 我們使用的智能手機(jī)除了有一個(gè)可用的空間(如蘋果8G、16G等)，還有一個(gè)RAM容量，很多人都不是很清楚，為什么需要二個(gè)這樣的芯片做存儲(chǔ)呢，這就是我
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東芝跑第一，64 層 3D Flash 開始試產(chǎn)送樣
- 據(jù)海外媒體報(bào)道，韓國(guó)三星電子為全球第一家量產(chǎn) 3D 架構(gòu) NAND 型快閃存儲(chǔ)器(Flash Memory)的廠商，不過其NAND Flash 最大競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手東芝(Toshiba)追趕速度驚人，宣布已領(lǐng)先全球同業(yè)，研發(fā)出堆疊 64 層的 3D Flash 產(chǎn)品(見首圖)，且開始進(jìn)行送樣。 東芝 27 日發(fā)布新聞稿宣布，已研發(fā)出堆疊 64 層的 3D Flash 制程技術(shù)，并自今日起領(lǐng)先全球同業(yè)開始進(jìn)行樣品出貨，且預(yù)計(jì)將透過甫于 7 月完工的四日市工廠“新第 2 廠房”進(jìn)行生
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全快閃儲(chǔ)存導(dǎo)入新型Flash存儲(chǔ)器以降低成本、生態(tài)大洗牌
- 許多廠商開始將重心轉(zhuǎn)移到降低全快閃儲(chǔ)存陣列的成本，如Dell與EMC都已在全快閃產(chǎn)品中導(dǎo)入低成本的TLCFlash記憶體;眾多廠商爭(zhēng)相發(fā)展全快閃儲(chǔ)存陣列，也改變了既有的全快閃儲(chǔ)存市場(chǎng)消長(zhǎng) 在全快閃儲(chǔ)存陣列這類型產(chǎn)品誕生初期，唯一的賣點(diǎn)便是高效能，應(yīng)用面向也局限于線上交易處理等高IO需求領(lǐng)域。為了擴(kuò)展應(yīng)用環(huán)境，后來的全快閃儲(chǔ)存陣列發(fā)展也有了不同的發(fā)展。 我們可以把全快閃儲(chǔ)存陣列的發(fā)展分為4個(gè)階段： 第一階段是效能導(dǎo)向。提供高效能，是全快閃儲(chǔ)存陣列這類產(chǎn)品誕生的目的，早期的全快閃儲(chǔ)存陣列
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全快閃儲(chǔ)存導(dǎo)入新型Flash存儲(chǔ)器以降低成本、生態(tài)大洗牌
- 許多廠商開始將重心轉(zhuǎn)移到降低全快閃儲(chǔ)存陣列的成本，如Dell與EMC都已在全快閃產(chǎn)品中導(dǎo)入低成本的TLC Flash記憶體;眾多廠商爭(zhēng)相發(fā)展全快閃儲(chǔ)存陣列，也改變了既有的全快閃儲(chǔ)存市場(chǎng)消長(zhǎng) 在全快閃儲(chǔ)存陣列這類型產(chǎn)品誕生初期，唯一的賣點(diǎn)便是高效能，應(yīng)用面向也局限于線上交易處理等高IO需求領(lǐng)域。為了擴(kuò)展應(yīng)用環(huán)境，后來的全快閃儲(chǔ)存陣列發(fā)展也有了不同的發(fā)展。 我們可以把全快閃儲(chǔ)存陣列的發(fā)展分為4個(gè)階段： 第一階段是效能導(dǎo)向。提供高效能，是全快閃儲(chǔ)存陣列這類產(chǎn)品誕生的目的，早期的全快閃儲(chǔ)存陣
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NAND Flash供貨吃緊態(tài)勢(shì)明顯 價(jià)格走揚(yáng)
- 第三季NAND Flash供貨吃緊的態(tài)勢(shì)越發(fā)明顯，TLC-Wafer與現(xiàn)貨卡片價(jià)格自4月初以來已連續(xù)三個(gè)月份逐步走揚(yáng)。 TrendForce旗下記憶體儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange最新報(bào)價(jià)顯示，第三季NAND Flash供貨吃緊的態(tài)勢(shì)越發(fā)明顯，TLC-Wafer與現(xiàn)貨卡片價(jià)格自4月初以來已連續(xù)三個(gè)月份逐步走揚(yáng)，而近一個(gè)月漲幅開始增加。 DRAMeXchange研究協(xié)理?xiàng)钗牡帽硎?，NAND Flash原廠持續(xù)降低對(duì)于通路(Channel)的供貨比重來滿足eMMC/eMCP與固態(tài)硬碟(SS
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下半年NAND Flash一定缺貨，且會(huì)非常缺
- 全球儲(chǔ)存型快閃記憶體(NAND Flash)晶片最大供應(yīng)商慧榮科技總經(jīng)理茍嘉章昨(21)日表示，固態(tài)硬碟(SSD)價(jià)格已到甜蜜點(diǎn)，今年出貨將大爆發(fā)，成為成長(zhǎng)最強(qiáng)勁的記憶體產(chǎn)品;法人預(yù)估臺(tái)廠概念股群聯(lián)、創(chuàng)見、威剛、宇瞻、廣穎、宜鼎等，可望掀比價(jià)效應(yīng)。 慧榮是以臺(tái)灣為研發(fā)重心，立足全球的國(guó)際公司，上周五(20日)股價(jià)以每股42.19美元?jiǎng)?chuàng)2005年6月在美國(guó)那斯達(dá)克掛牌以來新高，市值達(dá)1.48億美元(約新臺(tái)幣48.5億元)，同創(chuàng)歷史新高。 茍嘉章昨天主持慧榮愛心園游會(huì)后，針對(duì)今年NAND Fl
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發(fā)展Flash晶圓制造的四大投資方向
- 中國(guó)大陸業(yè)者在NANDFlash產(chǎn)業(yè)鏈的相關(guān)布局與投資不斷開展，成為中國(guó)大陸半導(dǎo)體業(yè)揮軍全球的下一波焦點(diǎn)。 某研究所最新研究報(bào)告顯示，隨著紫光國(guó)芯(原同方國(guó)芯)投資、武漢新芯擴(kuò)廠，及國(guó)際廠如三星、英特爾增加產(chǎn)能，預(yù)估2020年中國(guó)大陸國(guó)內(nèi)Flash月產(chǎn)能達(dá)59萬(wàn)片，相較于2015年增長(zhǎng)近7倍。 預(yù)估2012~2016年NANDFlash生產(chǎn)端年平均位元增長(zhǎng)率達(dá)47%，其最終消費(fèi)端需求年平均位增長(zhǎng)率亦高達(dá)46%，顯示NANDFlash仍為高速發(fā)展產(chǎn)業(yè)。 拓墣
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TrendForce：2020年中國(guó)大陸國(guó)內(nèi)Flash月產(chǎn)能上看59萬(wàn)片
- 中國(guó)大陸業(yè)者在NAND Flash產(chǎn)業(yè)鏈的相關(guān)布局與投資不斷開展，成為中國(guó)大陸半導(dǎo)體業(yè)揮軍全球的下一波焦點(diǎn)。TrendForce旗下拓墣產(chǎn)業(yè)研究所最新研究報(bào)告顯示，隨著紫光國(guó)芯(原同方國(guó)芯)投資、武漢新芯擴(kuò)廠，及國(guó)際廠如三星、英特爾增加產(chǎn)能，預(yù)估2020年中國(guó)大陸國(guó)內(nèi)Flash月產(chǎn)能達(dá)59萬(wàn)片，相較于2015年增長(zhǎng)近7倍。 TrendForce預(yù)估2012~2016年NAND Flash生產(chǎn)端年平均位元增長(zhǎng)率達(dá)47%，其最終消費(fèi)端需求年平均位增長(zhǎng)率亦高達(dá)46%，顯示NAND Flash仍為高速發(fā)
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Flash芯片你都認(rèn)識(shí)嗎？
- Flash存儲(chǔ)器，簡(jiǎn)稱Flash，它結(jié)合了ROM和RAM的長(zhǎng)處，不僅具備電子可擦除可編程的性能，還不會(huì)因斷電而丟失數(shù)據(jù)，具有快速讀取數(shù)據(jù)的特點(diǎn);在現(xiàn)在琳瑯滿目的電子市場(chǎng)上，F(xiàn)lash總類可謂繁多，功能各異，而你對(duì)它了解有多少呢? 為了讓大家更深入了解Flash，今天將主要根據(jù)芯片的通信協(xié)議并且結(jié)合Flash的特點(diǎn)，給大家一個(gè)全新認(rèn)識(shí)?！ ∫?、IIC?EEPROM IIC?EEPROM，采用的是IIC通信協(xié)議;IIC通信協(xié)議具有的特點(diǎn)：簡(jiǎn)單的兩條總線線路，一條串行數(shù)據(jù)線(SDA)
- 關(guān)鍵字： Flash EEPROM
Flash與SAS硬碟價(jià)格2015年恐現(xiàn)死亡交叉
- 資料儲(chǔ)存解決方案大廠NetApp表示，經(jīng)由云端與Flash兩股推力驅(qū)動(dòng)，讓近年IT基礎(chǔ)架構(gòu)進(jìn)入新一波的轉(zhuǎn)型期，其中2016年經(jīng)由融合式基礎(chǔ)架構(gòu)(Converged Infrastructure)、DevOps(Development and Operations)系統(tǒng)工具應(yīng)用性竄升，將讓2016年成為IT的精簡(jiǎn)之年。 此外值得注意的是，TLC架構(gòu)的Flash存儲(chǔ)器借由需求性提升及單位成本快速下降，預(yù)期今年每GB的FLash價(jià)格也將較SAS硬碟更低，并讓All Flash資料中心的將進(jìn)入主流儲(chǔ)存領(lǐng)
- 關(guān)鍵字： Flash SAS
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