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          基于CAN總線的大容量漢字火災(zāi)樓層顯示器設(shè)計

          用于SD卡的NAND flash控制芯片的設(shè)計

          •   O 引言  Flash是一種非易失存儲器,它在掉電條件下仍然能夠長期保持數(shù)據(jù)。由于它具有容量大、速度快、功耗低、抗震性能好等優(yōu)點,近幾年在U盤、SD卡、SSD硬盤等各種移動存儲設(shè)備中得到了廣泛的應(yīng)用。本文給出了
          • 關(guān)鍵字: 芯片  設(shè)計  控制  flash  SD  NAND  用于  

          NAND Flash的壞塊管理設(shè)計

          • NAND Flash的壞塊管理設(shè)計,摘要:主要介紹了基于嵌入式Linux的NAND Flash壞塊管理設(shè)計和實現(xiàn)方案,詳細闡述了壞塊映射表的建立、維護及其相關(guān)算法,同時分析了此壞塊算法在Linux內(nèi)核及Bootloader中的具體應(yīng)用。測試結(jié)果表明該算法能夠處理NAND
          • 關(guān)鍵字: 設(shè)計  管理  Flash  NAND  

          NAND Flash管理算法的設(shè)計及實現(xiàn)

          • 給出了一款基于8051的高性能、低成本的NAND flash控制芯片的設(shè)計方法,文中集中研究了其中的軟件部分,探討了管理flash物理塊的算法,提出了塊級和頁級兩級地址映射機制以及映射信息在flash的存儲定義,同時還提出了對flash的分區(qū)方法。
          • 關(guān)鍵字: 設(shè)計  實現(xiàn)  算法  管理  Flash  NAND  

          MCU內(nèi)嵌Flash內(nèi)存成趨勢

          •   因應(yīng)MCU成長快速及程序數(shù)據(jù)儲存需要,MCU內(nèi)嵌Flash內(nèi)存設(shè)計成為主流趨勢,MCU大廠也紛紛以購并或結(jié)盟掌握內(nèi)嵌Flash的相關(guān)IP與制程技術(shù)。本文將探討內(nèi)嵌FlashIP制程技術(shù),為下一代FlashMCU帶來的技術(shù)變革。   
          • 關(guān)鍵字: MCU  Flash  

          基于FLASH的嵌入式存儲系統(tǒng)設(shè)計

          • 基于FLASH的嵌入式存儲系統(tǒng)設(shè)計,1 引言

            FLASH(閃速存儲器)作為一種安全、快速的存儲體,具有體積小、容量大、成本低、掉電數(shù)據(jù)不丟失等一系列優(yōu)點,已成為嵌入式系統(tǒng)中數(shù)據(jù)和程序最主要的載體。由于FLASH在結(jié)構(gòu)和操作方式上與硬盤、E2ROM等其
          • 關(guān)鍵字: 系統(tǒng)  設(shè)計  存儲  嵌入式  FLASH  基于  

          分析稱臺系DRAM廠明年可望大幅增長

          •   據(jù)集邦科技(TRENDFORCE)旗下研究部門 DRAMeXchange 日前發(fā)布研究報告指出,在臺系 DRAM 廠中,南科以及華亞科在明年將有產(chǎn)能提升及制程轉(zhuǎn)進兩大因素,使產(chǎn)出可能大幅成長年增率150%。   南科除今年將12寸月產(chǎn)能從3萬6千片提升至5萬片,明年上半年可達6萬片,華亞科也由今年平圴月產(chǎn)能不及10萬片提升至滿載產(chǎn)能13萬片,同時南科與華亞科皆在今年下半年加速50nm轉(zhuǎn)進及明年轉(zhuǎn)進42nm,預(yù)計明年南科及華亞科的DRAM產(chǎn)出成長率居全球之冠,以品牌銷售顆料計,南科明年將成為臺灣DRA
          • 關(guān)鍵字: 南科  DRAM  Flash  

          NAND Flash跌價深 上游大廠開始對模塊廠讓步

          •   NAND Flash價格經(jīng)歷一段大修正后,原本對于價格談判完全不肯讓步的上游NAND Flash大廠,在面對庫存節(jié)節(jié)攀高的情況下,態(tài)度已開始松動,部分模塊廠開始回補一些庫存,不過,全球兩大NAND Flash陣營三星電子(Samsung Electronics)和東芝(Toshiba)則因為有蘋果(Apple)訂單的撐腰,對于價格仍是相當(dāng)強硬,顯示蘋果仍是NAND Flash產(chǎn)業(yè)的唯一大補丸。   近期NAND Flash價格修正頗深,除了歐洲和美國市場需求不佳,尤其是返校需求完全是虛晃一招外,大陸
          • 關(guān)鍵字: 三星電子  NAND  Flash  

          分析稱臺系DRAM廠2011年可望大幅增長

          •   據(jù)集邦科技(TRENDFORCE)旗下研究部門 DRAMeXchange 日前發(fā)布研究報告指出,在臺系 DRAM 廠中,南科以及華亞科在明年將有產(chǎn)能提升及制程轉(zhuǎn)進兩大因素,使產(chǎn)出可能大幅成長年增率150%。   南科除今年將12寸月產(chǎn)能從3萬6千片提升至5萬片,明年上半年可達6萬片,華亞科也由今年平圴月產(chǎn)能不及10萬片提升至滿載產(chǎn)能13萬片,同時南科與華亞科皆在今年下半年加速50nm轉(zhuǎn)進及明年轉(zhuǎn)進42nm,預(yù)計明年南科及華亞科的DRAM產(chǎn)出成長率居全球之冠,以品牌銷售顆料計,南科明年將成為臺灣DRA
          • 關(guān)鍵字: 南科  DRAM   Flash  

          臺系DRAM廠的轉(zhuǎn)型與挑戰(zhàn)

          •   根據(jù)集邦科技 (TRENDFORCE)旗下研究部門DRAMeXchange最新研究報告指出,臺系DRAM廠中,南科以及華亞科在明年將有產(chǎn)能提升及制程轉(zhuǎn)進兩大因素,使產(chǎn)出可能大幅成長年增率150%。南科除今年將12吋月產(chǎn)能從3萬6千片提升至5萬片,明年上半年可達6萬片,華亞科也由今年平圴月產(chǎn)能不及10萬片提升至滿載產(chǎn)能13萬片,同時南科與華亞科皆在今年下半年加速50nm轉(zhuǎn)進及明年轉(zhuǎn)進42nm,預(yù)計明年南科及華亞科的DRAM產(chǎn)出成長率居全球之冠,以品牌銷售顆料計,南科明年將成為臺灣DRAM廠之冠。   
          • 關(guān)鍵字: 南科  DRAM  Flash  

          NAND Flash市況兩極 靜待8月底補貨潮

          •   2010年NAND Flash產(chǎn)業(yè)真是十分慘淡的1年,好不容易熬到第3季傳統(tǒng)旺季,8月初合約價卻還是跌不停,存儲器業(yè)者表示,蘋果(Apple)、諾基亞 (Nokida)等大廠需求仍十分強勁,但零售市場買氣不振,模塊廠拿貨意愿不高,把平均合約價給拉下來,其中,三星電子(Samsung Electronics)和東芝(Toshiba)主要供應(yīng)蘋果,走貨較順暢,但海力士(Hynix)、美光(Micron)、英特爾(Intel)等傳出庫存水位較高,但又不愿降價,與模塊廠陷入僵局。   近期大陸因為亞運因素,
          • 關(guān)鍵字: Apple  NAND  Flash  

          采用外接Flash存儲器件對SOPC系統(tǒng)開發(fā)的實現(xiàn)

          • 采用外接Flash存儲器件對SOPC系統(tǒng)開發(fā)的實現(xiàn),1 Flash在SOPC中的作用 Flash在SOPC中的作用主要表現(xiàn)在兩方面:一方面,可用Flash來保存FPGA的配置文件,從而可以省去EPCS芯片或解決EPCS芯片容量不夠的問題。當(dāng)系統(tǒng)上電后,從Flash中讀取配置文件,對FPGA進行配置。
          • 關(guān)鍵字: 系統(tǒng)  開發(fā)  實現(xiàn)  SOPC  器件  Flash  存儲  采用  

          DSP外部Flash存儲器在線編程的軟硬件設(shè)計

          • 摘要:詳細介紹DSP與Flash存儲器的兩種硬件接口方式及在線編程,分析了兩種硬件接口方式下在線編程的區(qū)別,給出了相應(yīng)的在線編程核心代碼并在實際電路上測試通過,可作為DSP嵌入式系統(tǒng)設(shè)計的參考。
            關(guān)鍵詞:在線編程
          • 關(guān)鍵字: 編程  軟硬件  設(shè)計  在線  存儲器  外部  Flash  DSP  
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          adobe flash介紹

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