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          CMOS電路ESD保護(hù)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)

          •   1 引 言   靜電放電會(huì)給電子器件帶來(lái)破壞性的后果,它是造成集成電路失效的主要原因之一。隨著集成電路工藝不斷發(fā)展, CMOS電路的特征尺寸不斷縮小,管子的柵氧厚度越來(lái)越薄,芯片的面積規(guī)模越來(lái)越大,MOS管能承受的電流和電壓也越來(lái)越小,而外圍的使用環(huán)境并未改變,因此要進(jìn)一步優(yōu)化電路的抗ESD性能,如何使全芯片有效面積盡可能小、ESD性能可靠性滿足要求且不需要增加額外的工藝步驟成為IC設(shè)計(jì)者主要考慮的問(wèn)題。   2 ESD保護(hù)原理   ESD保護(hù)電路的設(shè)計(jì)目的就是要避免工作電路成為ESD的放電通路
          • 關(guān)鍵字: CMOS  ESD  MOS  

          淺談設(shè)計(jì)PCB時(shí)抗ESD的方法

          •   來(lái)自人體、環(huán)境甚至電子設(shè)備內(nèi)部的靜電對(duì)于精密的半導(dǎo)體芯片會(huì)造成各種損傷,例如穿透元器件內(nèi)部薄的絕緣層;損毀MOSFET和CMOS元器件的柵極;CMOS器件中的觸發(fā)器鎖死;短路反偏的PN結(jié);短路正向偏置的PN結(jié);熔化有源器件內(nèi)部的焊接線或鋁線。為了消除靜電釋放(ESD)對(duì)電子設(shè)備的干擾和破壞,需要采取多種技術(shù)手段進(jìn)行防范。   在PCB板的設(shè)計(jì)當(dāng)中,可以通過(guò)分層、恰當(dāng)?shù)牟季植季€和安裝實(shí)現(xiàn)PCB的抗ESD設(shè)計(jì)。在設(shè)計(jì)過(guò)程中,通過(guò)預(yù)測(cè)可以將絕大多數(shù)設(shè)計(jì)修改僅限于增減元器件。通過(guò)調(diào)整PCB布局布線,能夠很好
          • 關(guān)鍵字: PCB  ESD  CMOS  

          TI RS-485 十大設(shè)計(jì)技巧

          •   在TI經(jīng)常遇到這樣的問(wèn)題:在使用 RS-485 進(jìn)行設(shè)計(jì)時(shí),是否有一些技巧或訣竅需要掌握?為此,我們總結(jié)了使用 RS-485 時(shí)需要記住的一系列綜合而全面的重要準(zhǔn)則。  如何應(yīng)用  1) 使用圖 A 確定最大線纜長(zhǎng)度  2) 使用 Zo=120Ω 或 100Ω 的雙絞線線纜  3) 使用菊花鏈連接總線節(jié)點(diǎn)  4) 端接 RT1 = Z0 的線纜一端  在另一端應(yīng)用故障保護(hù)偏置  端接該端  5) 您可在相同的總線上運(yùn)行 3V 和 5V 器件?! ?) 使 stub 長(zhǎng)度不超過(guò)  7) 針對(duì) ± 7V
          • 關(guān)鍵字: TI  RS-485  ESD  

          一種汽車(chē)視頻控制器的ESD仿真分析

          • 本文介紹了適用于汽車(chē)零部件的ESD聯(lián)合仿真方法,可以通過(guò)多級(jí)仿真軟件進(jìn)行聯(lián)合仿真,準(zhǔn)確高效的模擬實(shí)際靜電槍產(chǎn)生的波形和對(duì)測(cè)試零部件的干擾進(jìn)行分析,并能快速找到失效原因和解決方案。
          • 關(guān)鍵字: 汽車(chē)電子  EMC  PCB  ESD  TFT  201406  

          日本發(fā)布新一代直接噴涂有機(jī)半導(dǎo)體材料技術(shù)

          •   近日,日本新一代涂布型電子元器件技術(shù)研究聯(lián)盟(ECOW)宣布開(kāi)發(fā)出了直接噴涂有機(jī)半導(dǎo)體材料的技術(shù)。新技術(shù)有望成為利用“靜電噴霧沉積法(ESD)”技術(shù)取代真空蒸鍍技術(shù)以及旋涂法和噴墨法等涂布技術(shù)的第三種有機(jī)半導(dǎo)體成膜技術(shù)。該聯(lián)盟包括理化學(xué)研究所、崎玉大學(xué)、康奈可、東麗工程、理研風(fēng)險(xiǎn)公司FLOX等共計(jì)8個(gè)團(tuán)體。   日本發(fā)布新一代直接噴涂有機(jī)半導(dǎo)體材料技術(shù)   ESD兼具真空蒸鍍技術(shù)和涂布技術(shù)的優(yōu)點(diǎn),可解決這兩項(xiàng)技術(shù)的很多問(wèn)題。在ESD中,噴嘴噴出的顆粒物粒徑非常小,在
          • 關(guān)鍵字: 有機(jī)半導(dǎo)體材料  ESD  

          日本發(fā)布新一代直接噴涂有機(jī)半導(dǎo)體材料技術(shù)

          •   近日,日本新一代涂布型電子元器件技術(shù)研究聯(lián)盟(ECOW)宣布開(kāi)發(fā)出了直接噴涂有機(jī)半導(dǎo)體材料的技術(shù)。新技術(shù)有望成為利用“靜電噴霧沉積法(ESD)”技術(shù)取代真空蒸鍍技術(shù)以及旋涂法和噴墨法等涂布技術(shù)的第三種有機(jī)半導(dǎo)體成膜技術(shù)。該聯(lián)盟包括理化學(xué)研究所、崎玉大學(xué)、康奈可、東麗工程、理研風(fēng)險(xiǎn)公司FLOX等共計(jì)8個(gè)團(tuán)體。   ESD兼具真空蒸鍍技術(shù)和涂布技術(shù)的優(yōu)點(diǎn),可解決這兩項(xiàng)技術(shù)的很多問(wèn)題。在ESD中,噴嘴噴出的顆粒物粒徑非常小,在抵達(dá)陰極前,涂料中的水分基本都蒸發(fā)了,由此能獲得接近
          • 關(guān)鍵字: 半導(dǎo)體材料  ESD  

          多層壓敏電阻

          • ????????·?與傳統(tǒng)產(chǎn)品相比體積減小80%,插入高度僅0.1mm  ·?ESD?脈沖吸收能力提高了50?倍。  ·?替代瞬態(tài)電壓抑制?(TVS)二極管的最佳選擇  2014年慕尼黑上海電子展產(chǎn)品亮點(diǎn)  TDK?公司推出了最新研發(fā)的愛(ài)普科斯?(EPCOS)?CeraDiode?系列的多層壓敏電阻,其中包括目前最緊湊、最堅(jiān)固耐用的超薄壓
          • 關(guān)鍵字: ESD  壓敏電阻  TDK  

          物聯(lián)網(wǎng)基礎(chǔ)設(shè)備 防雷防靜電(ESD)闡述

          •   一.什么是ESD   ESD   ESD(Electro-Staticdischarge)的意思是“靜電釋放”。國(guó)際上習(xí)慣將用于靜電防護(hù)的器材統(tǒng)稱為ESD,中文名稱為靜電抑制器。對(duì)電子產(chǎn)品而言,靜電放電往往是致命的——它可能導(dǎo)致元器件內(nèi)部線路受損,直接影響產(chǎn)品的正常使用壽命,甚至造成產(chǎn)品的損壞。IC自身防靜電的能力并未隨半導(dǎo)體工藝技術(shù)的發(fā)展而提高,反而下降。   二.ESD的種類(lèi)和優(yōu)劣勢(shì)比較
          • 關(guān)鍵字: 物聯(lián)網(wǎng)  ESD  

          通過(guò)發(fā)現(xiàn)ESD保護(hù)器件說(shuō)明書(shū)中的“不可告人的秘密”,更快地構(gòu)造可靠的電路保護(hù)設(shè)計(jì)

          •   為了防止新設(shè)計(jì)中不充分的ESD保護(hù)問(wèn)題的出現(xiàn),需要牢記:一些器件供應(yīng)商的數(shù)據(jù)表帶有夸大成分,因此要仔細(xì)檢查數(shù)據(jù)表的信息,包括所有的題注和腳注。如果電器特性規(guī)格與性能表中的信息相沖突,要對(duì)性能表中的信息提出質(zhì)疑,特別是在供應(yīng)商沒(méi)有提供繪圖來(lái)源時(shí)。如果說(shuō)明書(shū)或者繪圖太過(guò)完美,那么它很可能具有誤導(dǎo)性。
          • 關(guān)鍵字: ESD  保護(hù)器件  電路保護(hù)  201404  

          保護(hù)RS-485通信網(wǎng)絡(luò)不受有害EMC事件影響

          •   在實(shí)際工業(yè)和儀器儀表(I&I)應(yīng)用中,RS-485接口鏈路需要在惡劣電磁環(huán)境下工作。本文介紹各主要瞬變類(lèi)型,并針對(duì)RS-485通信端口的三種不同成本/保護(hù)級(jí)別,提出并演示三種不同的EMC兼容解決方案。
          • 關(guān)鍵字: RS-485  EMC  電磁兼容  ESD  201404  

          Exar推出4級(jí)IECESD保護(hù)的業(yè)界最低功耗容錯(cuò)收發(fā)器

          •   高性能模擬混合信號(hào)元器件和數(shù)據(jù)管理解決方案領(lǐng)先廠商Exar公司,?日前發(fā)布針對(duì)嚴(yán)苛的工業(yè)環(huán)境的加強(qiáng)型RS-485/RS-422收發(fā)器XR3070-78X產(chǎn)品系列。模擬總線引腳能夠承受高達(dá)±18V的直接短路,并具有IEC?4級(jí)?ESD保護(hù)能力?。該系列芯片工作于3.3V,300uA的靜態(tài)電流,僅是同類(lèi)的±18V容錯(cuò)收發(fā)器的一半。該系列9款芯片在全雙工或半雙工架構(gòu)下支持高達(dá)20Mbps的速率,可被廣泛用于能源計(jì)量、樓宇自動(dòng)化、安全系統(tǒng)、過(guò)程控制和其他工業(yè)自動(dòng)化應(yīng)用程
          • 關(guān)鍵字: Exar  XR3070-78X  RS-485/RS-422  ESD  

          TE新SESD器件可應(yīng)對(duì)復(fù)雜ESD和浪涌保護(hù)挑戰(zhàn)

          •   設(shè)計(jì)工程師充分了解在應(yīng)付由charged?board?event?(CBE)?所造成的較嚴(yán)重?fù)p壞時(shí),提供符合IEC?61000-4-2標(biāo)準(zhǔn)的靜電放電?(ESD)保護(hù)功能可能并不足夠。這些極強(qiáng)的浪涌事件具有高峰值電流和快速上升時(shí)間特性,可能損壞智能手機(jī)、平板電腦、汽車(chē)信息娛樂(lè)設(shè)備和其它敏感的電子產(chǎn)品的I/O端口。認(rèn)識(shí)到這一事實(shí),TE?Connectivity旗下的電路保護(hù)業(yè)務(wù)部門(mén)推出了全新的硅ESD?(SESD)系列器件,&
          • 關(guān)鍵字: TE  SESD  ESD  

          安森美展示汽車(chē)用高能效產(chǎn)品及方案

          •   展示的汽車(chē)產(chǎn)品及方案用于車(chē)身及舒適系統(tǒng)、動(dòng)力總成、車(chē)載信息娛樂(lè)系統(tǒng)、照明及車(chē)載網(wǎng)絡(luò)等  推動(dòng)高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體將參加于3月18日至20日在上海新國(guó)際博覽中心舉辦的慕尼黑上海電子展(Electronica?China),展示公司用于汽車(chē)空調(diào)、車(chē)門(mén)控制、儀表盤(pán)、動(dòng)力總成、車(chē)載信息娛樂(lè)系統(tǒng)、汽車(chē)照明系統(tǒng)、車(chē)載網(wǎng)絡(luò)等應(yīng)用的高能效產(chǎn)品及方案,并設(shè)有現(xiàn)場(chǎng)產(chǎn)品演示。安森美半導(dǎo)體的展位號(hào)是W1館1550號(hào),公司的技術(shù)專(zhuān)家將在現(xiàn)場(chǎng)解答設(shè)計(jì)應(yīng)用問(wèn)題?! “采腊雽?dǎo)體是全球領(lǐng)先的汽車(chē)半導(dǎo)體供應(yīng)商之一,為汽車(chē)
          • 關(guān)鍵字: 安森美  ESD  DSP  PPAP  汽車(chē)應(yīng)用  

          便攜應(yīng)用選擇適當(dāng)集成EMI濾波及ESD保護(hù)方案

          • 如今的手機(jī)等便攜設(shè)備的尺寸日趨小巧纖薄,同時(shí)又在集成越來(lái)越多的新功能或新特性,如大尺寸顯示屏、高分辨率相...
          • 關(guān)鍵字: 便攜應(yīng)用  EMI濾波    ESD  

          Littelfuse推出新款雙通道、通用型瞬態(tài)抑制二極管陣列系列

          • 2014年2月13日,Littelfuse公司是全球電路保護(hù)領(lǐng)域的領(lǐng)先企業(yè),宣布推出了新款雙通道、通用型瞬態(tài)抑制二極管陣列(SPA?二極管)系列,該系列針對(duì)保護(hù)敏感設(shè)備免受靜電放電(ESD)、電氣快速瞬變(EFT)和雷擊感應(yīng)浪涌造成的損壞進(jìn)行了優(yōu)化設(shè)計(jì)。
          • 關(guān)鍵字: Littelfuse  ESD  
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