arm total design 文章 進(jìn)入arm total design技術(shù)社區(qū)
ARM開發(fā)步步深入之SDRAM編程示例
- 實(shí)驗(yàn)?zāi)康模焊淖儭包c(diǎn)燈大法”的執(zhí)行地點(diǎn),從NandFlash的Steppingstone轉(zhuǎn)到SDRAM中執(zhí)行,借此掌握存儲控制器的使用?! ?shí) 驗(yàn)環(huán)境及說明:恒頤S3C2410開發(fā)板H2410。H2410核心板擴(kuò)展有64MB的SDRAM,用于設(shè)置程序堆棧和存放各種變量。SDRAM選用了兩 片三星公司的K4S561632(4M*16bit*4BANK),兩片拼成32位數(shù)據(jù)寬度的SDRAM存儲系統(tǒng),并映射到S3C2410的 SROM/SDRAM的BANK6,地址范圍是0x300
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美國組建半導(dǎo)體工作組或與中國推進(jìn)海外并購發(fā)生沖突
- 日前,美國總統(tǒng)科學(xué)和技術(shù)顧問委員會(PCAST)宣布成立一個(gè)新的工作組,旨在研究影響美國半導(dǎo)體行業(yè)的問題,尤其當(dāng)它們涉及國家經(jīng)濟(jì)和安全利益時(shí)。據(jù)悉,該工作組將專注于半導(dǎo)體行業(yè)所面臨的核心挑戰(zhàn),提出加強(qiáng)行業(yè)和維護(hù)美國在全球領(lǐng)導(dǎo)地位的建議。這一舉措凸顯了美國半導(dǎo)體業(yè)正在遭遇挑戰(zhàn),美國政府開始尋找措施,維護(hù)其既有的地位。 值得注意的是,該舉措有可能地對當(dāng)前中國正在推進(jìn)的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展計(jì)劃造成影響,有必要認(rèn)真面對。 有玩笑稱,現(xiàn)在的美國,對外輸出的產(chǎn)品可以用“三片”來統(tǒng)稱,
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ARM進(jìn)軍AI領(lǐng)域 成立OPEN AI LAB生態(tài)聯(lián)盟
- 2016年12月1日,由ARM生態(tài)系統(tǒng)加速器安創(chuàng)空間聯(lián)合全志科技、地平線機(jī)器人發(fā)起的開放人工智能實(shí)驗(yàn)室OPEN AI LAB在北京正式成立。OPEN AI LAB旨在探索新的合作模式推進(jìn)嵌入式人工智能的軟硬件和應(yīng)用產(chǎn)業(yè)化協(xié)同發(fā)展。 中科院院士、清華大學(xué)張鈸教授蒞臨發(fā)布會現(xiàn)場祝賀,并在成立儀式上致辭,對OPEN AI LAB表達(dá)深切的關(guān)注。工信部軟件與集成電路促進(jìn)中心盧山主任對OPEN AI LAB的成立表示祝賀,期望行業(yè)上下游領(lǐng)軍企業(yè)在嵌入式人工智能產(chǎn)業(yè)化的道路上加強(qiáng)協(xié)作,共同努力推動基礎(chǔ)技術(shù)發(fā)
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[ARM應(yīng)用]按鍵中斷驅(qū)動實(shí)例
- 1 實(shí)驗(yàn)?zāi)康摹 ?1)了解按鍵原理及其與S3C2410的接口電路設(shè)計(jì) (2)了解S3C2410芯片的外部中斷處理機(jī)制 (3)掌握按鍵中斷驅(qū)動的編寫及測試過程 2 實(shí)驗(yàn)原理 (1)按鍵的硬件原理 在嵌入式系統(tǒng)中,按鍵的硬件原理比較簡單,通過一個(gè)上拉電阻將處理器的外部中斷(或GPIO)引腳拉高,電阻的另一端連接按鍵并接地即可實(shí)現(xiàn)。如圖2-1所示: 圖 2-1按鍵接口電路 仔細(xì)看圖2-1,不難知道,當(dāng)按鍵被按下時(shí),EINT0上將產(chǎn)生低電平,
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英特爾任命ARM前任執(zhí)行長為物聯(lián)網(wǎng)集團(tuán)領(lǐng)導(dǎo)
- 英特爾公司表示,Tom Lantzsch將成為英特爾物聯(lián)網(wǎng)集團(tuán)的高級副總裁兼總經(jīng)理。 此前,他是ARM公司戰(zhàn)略執(zhí)行副總裁,也是物聯(lián)網(wǎng)市場的主要參與者。 英特爾的舉動突出了如何越來越多地在公司外部帶來領(lǐng)導(dǎo)。 請記住去年英特爾曾任命Venkata博士“Murthy”Renduchintala——前Qualcomm高管,來負(fù)責(zé)公司的客戶、物聯(lián)網(wǎng)和系統(tǒng)架構(gòu)組。 Renduchintala說,Lantzsch將是物聯(lián)網(wǎng)創(chuàng)新的“加速器&r
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Surface Studio拆解:內(nèi)部有ARM處理器 可輕松更換硬盤
- Surface Studio原定于今年12月15日發(fā)貨,不過誠意滿滿的微軟為更好的迎接購物季已經(jīng)于日前開始陸續(xù)發(fā)貨。國外知名維修團(tuán)隊(duì)iFixit團(tuán)隊(duì)在拿到這款一體機(jī)之后馬不停蹄的進(jìn)行了拆解,最終給出了5分的評價(jià)(總分為10分,分?jǐn)?shù)越高代表越容易維修)?! ?nbsp; 首先值得注意的地方在28英寸屏幕下方有個(gè)ARM處理器,iFixit團(tuán)隊(duì)并未解釋為何英特爾處理器驅(qū)動的x86架構(gòu)PC下會有一個(gè)ARM處理器,外媒猜測可能是幫助承擔(dān)微軟PixelSense屏幕的輔助計(jì)算?! 〕?/li>
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ARM開發(fā)步步深入之MMU初窺
- 實(shí)驗(yàn)?zāi)康模簡⒂肕MU,映射SDRAM的地址空間,操作虛擬地址實(shí)現(xiàn)“點(diǎn)燈大法”,借此掌握MMU的使用?! ?shí) 驗(yàn)環(huán)境及說明:恒頤S3C2410開發(fā)板H2410。H2410核心板擴(kuò)展有64MB的K4S561632 SDRAM(4M*16bit*4BANK),地址范圍是0x30000000~0x33FFFFFF。GPIO端口的地址范圍是 0x56000000~0X560000B0?! ?shí) 驗(yàn)思路:開發(fā)板上電啟動后,自動將NandFlash開始的4K數(shù)據(jù)復(fù)制到SRAM中
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ARM匯編常用偽操作總結(jié)
- 在分析 2410 工程中啟動代碼的過程中,除了一些常用的匯編如 ldr,str,bic 等,還有一些很陌生的符號讓我們很困惑,到網(wǎng)上一查資料,噢,原來是 ARM 的一些偽操作。為了在閱讀啟動代碼的過程中不會出現(xiàn)很大的閱讀與理解障礙,就總結(jié)了啟動代碼中用到的偽操作以供熟悉和查閱 PS: 這里說一下自己對匯編指令的看法,感覺就如英語單詞似的,在進(jìn)行閱讀之前必須具備一些詞匯量,但不需要精記,因?yàn)榫浀脑捔刻筇s,不容易掌握,效果也不好
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[ARM筆記]存儲控制器及其訪問外設(shè)的原理
- 1. S3C2410/S3C2440地地址空間 S3C2410/S3C2440對外引出的27根地址線ADDR0~ADDR26的訪問范圍只有128MB,那么是如何達(dá)到1GB的空間的呢?CPU對外還引出了8根片選信號nGCS0~nGCS7,對應(yīng)于BANK0~BANK7,當(dāng)訪問BANKx的地址空間時(shí),nGCSx引腳輸出低電平用來選中外接的設(shè)備。這樣,每個(gè)nGCSx對應(yīng)128MB的地址空間,8個(gè)nGCSx信號總共就對應(yīng)了1GB的地址空間。這8個(gè)BANK的地址空間如:http://weimenlov
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三星準(zhǔn)備丟開ARM,開發(fā)RISC-V架構(gòu)自主CPU內(nèi)核
- 今年三星的半導(dǎo)體部門已經(jīng)開始嘗試一些大的飛躍,其運(yùn)用于Galaxy S7旗艦的Exynos 8890處理器,首次采用了自主定制的CPU內(nèi)核M1?,F(xiàn)在來看,三星正計(jì)劃擴(kuò)大芯片定制開發(fā)的實(shí)力,因?yàn)槿涨案鶕?jù)業(yè)內(nèi)人士透露的消息了解,三星設(shè)備解決方案(Device Solution)事業(yè)部正在為研發(fā)32位的MCU微控制器定制一種CPU內(nèi)核,并且似乎是以可穿戴設(shè)備或物聯(lián)網(wǎng)市場為目標(biāo)。 據(jù)稱,三星研發(fā)中的這個(gè)CPU內(nèi)核基于開源的RISC-V指令集架構(gòu),而不是我們常見的ARM架構(gòu)(例如三星旗艦機(jī)長期所用的ARM
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[ARM筆記]內(nèi)存管理單元地址變換過程
- 1. 地址的分類 以前的程序很小,可以全部裝入內(nèi)存中運(yùn)行,隨著技術(shù)的發(fā)展,出現(xiàn)了如下兩種情況: 1)有的程序很大,它要求的內(nèi)存空間超過了內(nèi)存總?cè)萘?不能一次性裝入內(nèi)存中; 2)多任務(wù)系統(tǒng)中有很多程序需要同時(shí)運(yùn)行,它們要求的內(nèi)存空間超過了內(nèi)存總?cè)萘?不能把所有的程序全部裝入內(nèi)存中?! ?shí)際上,一個(gè)程序在運(yùn)行前,沒有必要全部裝入內(nèi)存,而僅需要將那些當(dāng)前要運(yùn)行的部分先裝入內(nèi)存,其余部分在用到的時(shí)候再從磁盤調(diào)入,而當(dāng)內(nèi)存耗光時(shí),再將暫時(shí)不用的部分調(diào)出到磁盤。這使得一個(gè)大程序可以在較小的內(nèi)存空間
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arm total design介紹
您好,目前還沒有人創(chuàng)建詞條arm total design!
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對arm total design的理解,并與今后在此搜索arm total design的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
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