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          arm匯編u-boot-nand-spl啟動過 文章 進入arm匯編u-boot-nand-spl啟動過技術(shù)社區(qū)

          NAND閃存需求提升 東芝調(diào)高上半年獲利預(yù)測

          •   先前,因為受到連續(xù)7年作假帳風(fēng)波,因而導(dǎo)致公司商譽嚴重受損,并且沖擊投資人信心的日本電子大廠東芝(Toshiba),28日宣布上調(diào)2016年上半年度的獲利預(yù)測,預(yù)估將上調(diào)至850億日元的水準,較原本預(yù)估的700億日元調(diào)高21.43%,每股EPS也將達到20.08日元,等于宣告正式擺脫公司作假帳的陰霾。   東芝于28日發(fā)出的消息表示,由于受惠于智能手機對于NAND閃存的提升,尤其在中國市場,在手機制造商不斷提升產(chǎn)品的儲存能力,所以需要性能越來越好的NAND閃存產(chǎn)品,導(dǎo)致相關(guān)價格的不斷上揚,如此以進一
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          三大變化為日本半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)業(yè)增添活力

          •   日媒稱,日本半導(dǎo)體制造裝置協(xié)會日前宣布8月份半導(dǎo)體制造設(shè)備的訂貨金額(3個月移動平均值,速報值)為1348億日元(約合人民幣90億元),同比增長30.8%。這是自2014年3月(34.0%)以來時隔29個月增長率首次超過30%。中國半導(dǎo)體制造商興起、半導(dǎo)體的微細化、立體化這三大變化為整個產(chǎn)業(yè)帶來了活力。另一方面,半導(dǎo)體設(shè)備制造商之間的優(yōu)勝劣汰也有可能變得更加明顯。   據(jù)外媒報道,“采購設(shè)備的時間提前了”,東電電子社長河合利樹無法掩飾他對半導(dǎo)體制造商們強烈設(shè)備投資欲的驚訝。
          • 關(guān)鍵字: 半導(dǎo)體  NAND  

          日媒:中國半導(dǎo)體制造設(shè)備市場大幅增長

          •   據(jù)韓聯(lián)社9月19日報道,韓國市場調(diào)研機構(gòu)IHS和半導(dǎo)體業(yè)界19日消息,三星電子在今年第二季度整合元件制造商排名中位列第二,銷售額占有率為11.3%,與英特爾的差距縮小到3.4個百分點。   今年第二季度三星電子銷售額達94.52億美元,排名第一的美國英特爾半導(dǎo)體銷售額達122.72億美元,市場份額為14.7%。   三星與英特爾的市場份額差距在2012年達5.3個百分點,2013年為4.2個百分點,2014年3.4個百分點,2015年為3.2個百分點。雖然,今年第一季度差距拉大到4個百分點以上,但
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          第二季NAND Flash品牌營收排行

          •   第二季NAND Flash品牌商營收較上季成長3.4%,結(jié)束前兩季連續(xù)衰退的頹勢。   受惠于中國智慧型手機品牌的高容量eMMC/eMCP及iPhone 7備貨需求,第二季整體NAND Flash供貨逐漸吃緊;TrendForce旗下記憶體儲存事業(yè)處DRAMeXchange最新報告顯示,2016年第二季eMMC、用戶級固態(tài)硬碟與企業(yè)級固態(tài)硬碟的合約價跌幅開始收斂,通路端wafer價格更從四月起逐月走揚,第二季NAND Flash品牌商營收逆勢季成長3.4%,結(jié)束前兩季連續(xù)衰退的頹勢。   DRAM
          • 關(guān)鍵字: NAND  三星  

          美光3D NAND創(chuàng)新低成本制程分析

          •   美光公司日前開始量產(chǎn)其32層(32L) 3D NAND快閃記憶體,包含該元件的首批商用下游產(chǎn)品之一是Crucial 750GB SATA 2.5寸固態(tài)硬碟(SSD)。如圖1所示,這款產(chǎn)品的連續(xù)讀取/寫入速度分別高達每秒530MB與每秒510MB;其功耗較一般硬碟驅(qū)動器(HDD)改善了90倍,據(jù)稱也更加耐用。   Crucial SSD的售價為200美元,這使其成為筆記型電腦應(yīng)用最具吸引力的選項,而且我們發(fā)現(xiàn)有越來越多的電腦設(shè)備開始利用SSD取代傳統(tǒng)HDD。HDD也許將逐漸被市場所淘汰,不過必須承認的
          • 關(guān)鍵字: 美光  3D NAND  

          TrendForce:市況逐步回穩(wěn),第二季NAND Flash品牌商營收季成長3.4%

          •   受惠于中國智能手機品牌的高容量eMMC/eMCP及iPhone 7備貨需求,第二季整體NAND Flash供貨逐漸吃緊。   TrendForce集邦科技旗下存儲研究品牌DRAMeXchange(全球半導(dǎo)體觀察)最新報告顯示,第二季eMMC、消費級固態(tài)硬盤與企業(yè)級固態(tài)硬盤的合約價跌幅開始收斂,渠道端wafer價格更從4月起逐月上揚,第二季NAND Flash品牌商營收逆勢季成長3.4%,結(jié)束前兩季度連續(xù)衰退的頹勢。        DRAMeXchange研究協(xié)理楊文得表示,第三季
          • 關(guān)鍵字: 美光  NAND   

          基于AM335x的U-Boot/SPL 的CCS 調(diào)試

          • 基于AM335x的U-Boot/SPL 的CCS 調(diào)試, 在基于Linux的AM335x軟件開發(fā)流程中,第一步就是U-Boot/SPL(SecondProgram Loader)的移植。在移植中遇到問題比較常見,而U-Boot/SPL的調(diào)試手段比較簡陋,不便于迅速找到問題。利用仿真器可以單步調(diào)試的特點,就可以
          • 關(guān)鍵字: AM335x  spl  u-boot  CCS  

          美光:始終專注企業(yè)級閃存 觀望3D NAND

          • 在全球第二大DRAM芯片制造商的密切關(guān)注之下,2D或者說平面NAND仍將在3D技術(shù)普及之前繼續(xù)統(tǒng)治存儲領(lǐng)域。作為佐證,美光(Micron)公司有意將這套已出現(xiàn)兩
          • 關(guān)鍵字: 美光  企業(yè)級閃存  NAND   

          IC Insights:NAND與DRAM朝3D發(fā)展

          • 隨著DRAM和NAND技術(shù)持續(xù)邁向更先進幾何制程與多層次存儲器的道路,IC Insights密切觀察有關(guān)DRAM和NAND供應(yīng)商的最新動態(tài),期望能提供更清楚的DRAM/NAND發(fā)展
          • 關(guān)鍵字: NAND  DRAM   

          三星3D垂直NAND閃存量產(chǎn) SSD容量可輕松提升

          • 韓國三星公司剛剛宣布旗下的最新一代采用3D垂直閃存(V-NAND)的固態(tài)硬盤驅(qū)動器已經(jīng)開始進行量產(chǎn)。最新的3D垂直閃存與傳統(tǒng)的NAND存儲芯片相比,具有包
          • 關(guān)鍵字: 3D垂直閃存  V-NAND  固態(tài)硬盤   

          三星3D V-NAND固態(tài)盤加速企業(yè)閃存進化

          • 三星最新的產(chǎn)品是一種面向企業(yè)級應(yīng)用、高可靠的固態(tài)盤存儲--V-NAND固態(tài)盤。最新用于固態(tài)盤V-NAND技術(shù)帶來性能上的提升,節(jié)省電力消耗,并提高了急需
          • 關(guān)鍵字: 三星  V-NAND  3D  固態(tài)盤   

          8月NAND合約價 較上月跌近2成

          • 根據(jù)研調(diào)機構(gòu)集邦科技旗下存儲器儲存事業(yè)處DRAMeXchange調(diào)查顯示,NAND Flash合約價在8月上旬下跌6~8%后,8月下旬續(xù)跌5~10%,亦即8月合約價較7月重跌11~18%
          • 關(guān)鍵字: 存儲器  NAND  Flash芯片   

          SK海力士業(yè)務(wù)重整 DRAM、NAND等目標并進

          • 南韓半導(dǎo)體大廠SK海力士(SK Hynix)將重整業(yè)務(wù)組織,將DRAM、NAND Flash、CMOS影像感測器(CIS)等三大事業(yè)群分開各自營運,事業(yè)群自行加強競爭力,而SK海力士
          • 關(guān)鍵字: SK海力士  DRAM  NAND   

          三星、東芝競擴產(chǎn),NAND Flash恐跌三成

          • 全球NAND Flash(儲存型快閃記憶體)供給成長持續(xù)大于需求,預(yù)估NAND Flash今年底報價將較去年跌掉三成,且跌勢恐將一直延續(xù)至2018年。市調(diào)機構(gòu)IHS iSuppli最
          • 關(guān)鍵字: 三星  東芝  NAND  Flash   

          武漢新芯“3D NAND”項目獲業(yè)內(nèi)權(quán)威專家一致認可

          • 武漢東湖新技術(shù)開發(fā)區(qū)管委會在武漢組織召開了武漢新芯“三維數(shù)據(jù)型閃存(3D NAND Flash)技術(shù)開發(fā)及產(chǎn)業(yè)化”項目可行性專家評審會,業(yè)內(nèi)專家對
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