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Gartner：蓬勃的DRAM市場為內(nèi)存制造商帶來增長
- Gartner發(fā)布初步統(tǒng)計(jì)結(jié)果，2014年全球半導(dǎo)體總營收為3398億美元，與2013年的3150億美元相比增長7.9%。前25大半導(dǎo)體廠商合并營收增長率為11.7%，優(yōu)于該產(chǎn)業(yè)整體表現(xiàn)。前25大廠商占整體市場營收的72.1%，比2013年的69.7%更高。 Gartner研究副總裁Andrew Norwood表示：“就群體來看，DRAM廠商的表現(xiàn)勝過半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)其他廠商。這股趨勢始于2013年DRAM市場因供給減少及價(jià)格回穩(wěn)雙重因素而蓬勃發(fā)展并持續(xù)至今，2014年?duì)I收也因而增長31.
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三星2015年內(nèi)量產(chǎn)48層V NAND 已著手研發(fā)64層產(chǎn)品
- 三星電子(Samsung Electronics) 為與其他尚無法生產(chǎn)V NAND的競爭業(yè)者將技術(shù)差距拉大到2年以上，并在次世代存儲(chǔ)器芯片市場上維持獨(dú)大地位，計(jì)劃在2015年內(nèi)量產(chǎn)堆疊48層Cell的3D垂直結(jié)構(gòu)NAND Flash。 據(jù)首爾經(jīng)濟(jì)報(bào)導(dǎo)，三星近來已完成48層結(jié)構(gòu)的V NAND研發(fā)，并著手研發(fā)后續(xù)產(chǎn)品64層結(jié)構(gòu)V NAND。48層V NAND將于2015年內(nèi)開始量產(chǎn)。原本韓國業(yè)界推測三星會(huì)在2015年下半完成48層V NAND，并在2016年才投入量產(chǎn)，然三星大幅提前了生產(chǎn)日程。
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高交會(huì)上東芝引領(lǐng)閃存技術(shù)走向
- 全球市場研究機(jī)構(gòu)TrendForce旗下記憶體儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange的數(shù)據(jù)表明，東芝2014年會(huì)計(jì)年度第二季(7月~9月)的NAND Flash營運(yùn)表現(xiàn)最亮眼，位出貨量季成長25%以上，營收較上季度成長23.7%。 東芝電子(中國)有限公司董事長兼總經(jīng)理田中基仁在日前的2014年高交會(huì)電子展上也透露，2014年東芝在中國的閃存生意非常好，在高交會(huì)電子展上展示的存儲(chǔ)技術(shù)和產(chǎn)品也是很有分量的，從MLC、MMC到SLC，都可以看到最新的產(chǎn)品，并且東芝的技術(shù)動(dòng)向，也在引領(lǐng)未來閃存的發(fā)展趨勢。
- 關(guān)鍵字： 東芝 NAND 閃存 3D 201501
Spansion面向嵌入式市場推出新型工業(yè)級e.MMC NAND閃存產(chǎn)品
- 不久前，Spansion宣布面向嵌入式系統(tǒng)的全新工業(yè)級e.MMC產(chǎn)品系列。眾所周知，Spansion于2012年推出了立足嵌入式應(yīng)用的SLC NAND產(chǎn)品。至此，我們?yōu)镾LC NAND解決方案發(fā)展了一個(gè)強(qiáng)大的客戶群，而且我們還發(fā)現(xiàn)，這些客戶對嵌入式集中規(guī)模存儲(chǔ)解決方案的需求也越來越大。對于那些不僅僅是要購買一款“現(xiàn)成”產(chǎn)品的嵌入式客戶而言，Spansion全新的e.MMC系列產(chǎn)品是一個(gè)完美的選擇。 作為Spansion第一款管理型NAND產(chǎn)品系
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海力士前高層加入慧榮 SSD大戰(zhàn)鳴槍
- 固態(tài)硬碟(SSD)戰(zhàn)火正熱，持續(xù)成為2015年產(chǎn)業(yè)焦點(diǎn)，NAND Flash控制芯片業(yè)者為了布局上游半導(dǎo)體大廠，使出渾身解數(shù)綁樁，傳出慧榮將延攬前SK海力士(SK Hynix)的Solution Development Division資深副總Gi Hyun Bae擔(dān)任公司高層。 慧榮一向和SK海力士合作緊密，雙方合作內(nèi)嵌式存儲(chǔ)器eMMC業(yè)務(wù)外，有機(jī)會(huì)延伸至SSD產(chǎn)品線上，2015年更是關(guān)鍵年，慧榮內(nèi)部極度重視SSD產(chǎn)品線，立下通吃NAND Flash大廠和存儲(chǔ)器模組兩大族群的目標(biāo)，看好公司營運(yùn)
- 關(guān)鍵字： SSD NAND Flash SK海力士
NAND閃存將被RRAM顛覆？存儲(chǔ)器市場暗潮涌動(dòng)
- NAND閃存已經(jīng)成為固態(tài)存儲(chǔ)的霸主，不過它也存在諸多問題，尤其是壽命隨著工藝的先進(jìn)化而不斷縮短，TLC格式也引發(fā)了諸多質(zhì)疑，因此研發(fā)一種可取而代之的新式非易失性存儲(chǔ)技術(shù)勢在必行。 從FRAM到相變式存儲(chǔ)器，新選手不斷涌現(xiàn)，但目前還未能挑戰(zhàn)NAND的地位。直到最近，名為電阻式RAM的新貴出現(xiàn)了，它最被看好，三星、閃迪等巨頭都在投入，不過，走在最前列的是一家美國創(chuàng)業(yè)公司Crossbar。 RRAM相較于NAND最大的優(yōu)勢就是更好的性能、壽命。NAND的讀取延遲一般在幾百微妙級別，Crossba
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DRAM樂觀 NAND有隱憂
- 記憶體市況今年將不同調(diào);動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取記憶體(DRAM)市場可望維持穩(wěn)定獲利，儲(chǔ)存型快閃記憶體(NAND Flash)市場則有隱憂。 DRAM市場步入由三星(Samsung)、海力士(Hynix)及美光(Micron)三強(qiáng)鼎立的寡占局面，各DRAM廠去年不僅全面獲利，并且是豐收的一年。 臺塑集團(tuán)旗下DRAM廠南亞科去年可望首度賺進(jìn)超過1個(gè)股本;美光與南亞科合資的華亞科去年獲利也可望突破新臺幣400億元，將創(chuàng)歷史新高紀(jì)錄。 NAND Flash市場競爭、變化相對激烈，且難以預(yù)料;去年下半
- 關(guān)鍵字： DRAM 三星 海力士 NAND Flash
東芝擴(kuò)充海外內(nèi)存芯片廠，會(huì)是中國嗎
- 據(jù)國外媒體報(bào)道，東芝首席執(zhí)行官田中久雄(Hisao Tanaka)周五表示，公司將在始于明年4月份的下一財(cái)年決定在何處新建一座內(nèi)存芯片工廠，并且在選擇建廠地址時(shí)會(huì)考慮海外地區(qū)。 東芝在不到4個(gè)月前在四日市新開了一座NAND閃存芯片加工廠，田中久雄在接受采訪時(shí)稱，需求超過了產(chǎn)能，公司必須擴(kuò)大產(chǎn)能。NAND閃存芯片主要被用于智能手機(jī)和其他電子產(chǎn)品。 田中久雄稱：“三星已經(jīng)在中國西安市建廠，海力士也在中國建了一座生產(chǎn)廠。”當(dāng)被問及中國是否會(huì)是海外建廠的最佳地區(qū)時(shí)，他補(bǔ)充說
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慧榮科技推出業(yè)界首款車載IVI級單封裝SSD解決方案
- 在設(shè)計(jì)及推廣用于固態(tài)存儲(chǔ)設(shè)備的NAND閃存控制器方面處于全球領(lǐng)導(dǎo)地位的慧榮科技(Silicon Motion Technology Corporation)近日宣布推出其專為車載信息娛樂(IVI)系統(tǒng)設(shè)計(jì)的汽車級PATA及SATA FerriSSD解決方案。 FerriSSD解決方案旨在代替以往被廣泛應(yīng)用在車載IVI系統(tǒng)等嵌入式應(yīng)用中的SATA及PATA硬盤驅(qū)動(dòng)器。由于集成了NAND閃存及慧榮科技業(yè)界領(lǐng)先的控制器并采用小尺寸BGA封裝，F(xiàn)erriSSD解決方案與傳統(tǒng)的硬盤驅(qū)動(dòng)器相比不僅運(yùn)行速度更
- 關(guān)鍵字： 慧榮科技 NAND BGA
NAND閃存窮途末路 下一代閃存技術(shù)百花齊放
- 由于閃存技術(shù)的發(fā)展，閃存正從U盤、MP3走向電腦、存儲(chǔ)陣列等更廣泛的領(lǐng)域。雖然其速度較以往的機(jī)械硬盤有了較大幅度的提升，但縱觀整個(gè)計(jì)算架構(gòu)，閃存仍舊是計(jì)算系統(tǒng)中比較慢的部分。況且目前主流的MLC和TLC在寫入壽命上都還不盡如人意，并且隨著工藝水平的提升，其壽命和良率還有越來越糟的傾向。閃存生產(chǎn)線已經(jīng)達(dá)到15nm的水平，存儲(chǔ)密度難在攀升、壽命卻大幅下降。所以業(yè)界各個(gè)巨頭都在積極研究下一代非易失性存儲(chǔ)技術(shù)。 日前，鎂光在IEEE IEDM 2014(國際電子設(shè)備大會(huì))上就公布了其最新的可變電阻式存儲(chǔ)
- 關(guān)鍵字： NAND MLC TLC
研調(diào)：12月上旬NAND Flash合約價(jià)跌幅2%內(nèi)
- TrendForce旗下記憶體儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange研究顯示，美系廠商在第三季季底財(cái)報(bào)結(jié)算壓力過后，不再采取積極價(jià)格戰(zhàn)，使得原廠間戰(zhàn)火稍緩。另一方面，因模組廠預(yù)期此波價(jià)格跌勢將持續(xù)，再加上手中庫存仍充足下，大多傾向12月月底再進(jìn)行采購談判，以爭取更優(yōu)惠的價(jià)格。因此，12月上旬因交易氣氛冷清，NAND Flash合約價(jià)呈持平或僅微幅下跌0-2%。 DRAMeXchange資深研究經(jīng)理陳玠瑋表示，在歐美圣誕節(jié)備貨動(dòng)能正式結(jié)束后，受到季節(jié)性因素影響，預(yù)期明(2015)年第一季全球智慧型手機(jī)
- 關(guān)鍵字： NAND Flash eMMC
三星半導(dǎo)體設(shè)備投資傳明年微幅加碼，擬加蓋 NAND 廠
- 韓國時(shí)報(bào)(Korea Times)15 日報(bào)導(dǎo)，三星電子明年將投資半導(dǎo)體設(shè)備 13.5 兆韓圜，或相當(dāng)于 120 億美元，稍高于今年的 13 兆韓圜。 全球記憶體晶片市場目前由三星、SK 海力士與美光所把持，三大廠市占率合計(jì)來到 93%。知情人士消息指出，三星并不打算大幅增加設(shè)備資本支出的主要考量是明年策略將放在維持價(jià)格穩(wěn)定與市場供需平衡。 據(jù)報(bào)導(dǎo)，三星看準(zhǔn)儲(chǔ)存型快閃記憶體(NAND Flash)的市場需求有望增加，因此考慮明年在大陸西安開設(shè)新廠房。除此之外，有鑒于 DRAM 的需求平穩(wěn)，
- 關(guān)鍵字： 三星 SK 海力士 美光 NAND
東芝NAND Flash漲勢迅猛 TransferJet高效近場傳輸技術(shù)加速市場化
- 2014年NAND Flash市場在便攜式電子新品持續(xù)、快速更新的帶動(dòng)下表現(xiàn)出價(jià)格穩(wěn)定、需求強(qiáng)勁的發(fā)展態(tài)勢。尤其在下半年蘋果iPhone6/6Plus新機(jī)上市備貨需求強(qiáng)勁與OEM業(yè)者進(jìn)入出貨旺季的帶動(dòng)下，新制程的嵌入式產(chǎn)品自第三季起成為市場主流，三星、東芝這些存儲(chǔ)行業(yè)大牌的表現(xiàn)尤為出色。據(jù)市場調(diào)研機(jī)構(gòu)TrendForce最新報(bào)告，2014年第三季度東芝NAND Flash產(chǎn)品營收環(huán)比大增23.7%，穩(wěn)居世界前二位，其中15nm新制程的產(chǎn)出比重持續(xù)增加。 在今年的高交會(huì)上，記者也對東芝新制程的存儲(chǔ)
- 關(guān)鍵字： 東芝 NAND Flash TransferJet
無NAND之地：閃存無法占領(lǐng)數(shù)據(jù)中心？
- NAND會(huì)不會(huì)徹底占據(jù)數(shù)據(jù)中心？答案是不會(huì)。截至2018年的磁盤與SSD出貨容量預(yù)測顯示，磁盤的發(fā)展速度將一路高于閃存方案。SSD整體出貨容量與磁盤間的差距正逐步拉大。原因可能是先天的。NAND幾何尺寸的每一次縮減都會(huì)給制造流程帶來巨大的成本壓力、并要求供應(yīng)商利用更多配套解決方案保持現(xiàn)有使用壽命——具體而言，在每天寫滿一次的條件下正常工作五年才是最基本的可接受水平。
- 關(guān)鍵字： NAND SSD 數(shù)據(jù)中心 閃存
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