- 解析在U-Boot中實現(xiàn)對Yaffs鏡像的支持設計,0 引 言U-Boot是目前廣泛使用的嵌入式操作系統(tǒng)通用引導程序,具有功能豐富強大,支持多種操作系統(tǒng)和CPU體系,易于功能擴展和移植,源碼開放等多種優(yōu)點。U-Boot,全稱 Universal Boot Loader,是遵循GPL條款的開放源碼項
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支持 設計 Yaffs 實現(xiàn) U-Boot 解析
- 日系DRAM廠爾必達(Elpida)身陷財務風暴,近期傳出在日本官方作媒下,正與同為日系NAND Flash大廠東芝(Toshiba)洽談整合事宜。對此東芝和爾必達高層都不予置評。
近期再度傳出爾必達與東芝高層就合并及整合密談協(xié)商,且日本政府扮演關鍵要角。內(nèi)存業(yè)者透露,東芝在發(fā)展行動裝置上,需要與爾必達Mobile RAM結(jié)合,才能打敗美韓陣營,雙方確實有接觸洽談整合事宜,但東芝對于重返DRAM領域意愿不高,另外,日本政府亦認為,DRAM市場雖萎縮,但技術必須傳承,有意促使兩大半導體廠整合。
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東芝 NAND
- 基于S3C2410A的U-Boot移植研究,Bootloader是嵌入式系統(tǒng)軟件開發(fā)的第一個環(huán)節(jié),它緊密地將軟硬件銜接在一起,對于一個嵌入式設備后續(xù)的軟件開發(fā)至關重要。BootLoader還涉及到許多硬件相關的知識,對于普通的嵌入式開發(fā)板,它又是不可跳過的步驟,所
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研究 移植 U-Boot S3C2410A 基于
- 力晶在2012年起將會大幅降低標準型DRAM投片量,以最低的產(chǎn)能維持DRAM的技術發(fā)展,并于明年起全數(shù)轉(zhuǎn)入30nm 4Gb生產(chǎn),而空出的產(chǎn)能將會以NAND FLASH填補,后續(xù)技術發(fā)展的重點也轉(zhuǎn)移到NAND 2Xnm的制程微縮。放遠未來,力晶仍會保留DRAM技術,待3D-IC以及TSV的技術成熟時,將會以記憶體為中心做芯片組的整合,力圖成為大中華地區(qū)各技術領域最完整之晶圓廠。
隨著力晶正式宣布將產(chǎn)能逐步擴大至Flash產(chǎn)品上,加上原先代工如LCD Driver及非標準型DRAM產(chǎn)品,希望明年標準
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力晶 NAND
- 根據(jù)集邦科技(TrendForce)旗下研究機構DRAMeXchange調(diào)查,因為隨身碟與記憶卡市場銷售依舊此未見起色,而高容量產(chǎn)品也因為智能型手機與平板計算機銷售不如預期而下滑,終端產(chǎn)品銷售不佳導致供貨商回補庫存力道疲弱,連帶影響合約價格面臨下滑的壓力,10月下旬NAND Flash合約價將再下跌約4-8%。
展望NAND Flash后市,集邦科技認為,雖然泰國水患造成的HDD缺貨效應使得SSD產(chǎn)品詢問度頓時增加,但SSD仍存在著與HHD價差大及SSD機種認證程序尚需2-3個月等問題,因此,預
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NAND SSD
- 根據(jù)集邦科技(TrendForce)旗下研究部門DRAMeXchange的調(diào)查,隨著部份系統(tǒng)產(chǎn)品客戶自9月起,已開始準備4Q11新機型上市所需的庫存回補所需。9月上旬主流的MLC NAND Flash合約價大致維持平盤,雖然記憶卡及UFD通路市場的需求仍然相對平淡,但也已呈現(xiàn)止跌回穩(wěn)的狀況。
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集邦科 NAND 記憶卡
- 根據(jù)集邦科技(TrendForce)旗下研究部門 DRAMeXchange 的調(diào)查,市場預期 NAND Flash 部份系統(tǒng)產(chǎn)品客戶為因應新產(chǎn)品上市庫存回補需求,9月份可望逐漸開始回溫。因此,8月下旬 NAND Flash 合約價格出大多呈現(xiàn)持平,但記憶卡及U盤(UFD)通路市場的需求仍然相對疲軟,所以128Gb TLC合約均價格仍然下跌5%。此外,部份供貨商已將部份32Gb MLC的產(chǎn)量轉(zhuǎn)為生產(chǎn)64Gb MLC,故32Gb MLC在市場供給減少下合約均價小漲約3%。
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ultrabook NAND
- 據(jù)IHS iSuppli公司的閃存市場報告,由于一家大型廠商的銷售額下降,第二季度NAND閃存市場意外下滑。
根據(jù)最終數(shù)據(jù),第二季度全球NAND銷售額為47億美元,比第一季度的49億美元下降4.3%。該市場降幅大于預期,主要是因為東芝第二季度銷售額銳減了21.4%至14億美元。東芝是全球第二大NAND生產(chǎn)商,僅次于韓國三星電子。
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IHS iSuppli NAND
- 據(jù)IHS iSuppli公司的閃存市場報告,由于一家大型廠商的銷售額下降,第二季度NAND閃存市場意外下滑。
根據(jù)最終數(shù)據(jù),第二季度全球NAND銷售額為47億美元,比第一季度的49億美元下降4.3%。該市場降幅大于預期,主要是因為東芝第二季度銷售額銳減了21.4%至14億美元。東芝是全球第二大NAND生產(chǎn)商,僅次于韓國三星電子。東芝銷售額大幅下降,拖累了整體市場,如表1所示。
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三星 NAND
- 受到諸多全球總體經(jīng)濟復蘇的不確定變數(shù)干擾,2011部份的NAND Flash終端應用產(chǎn)品出貨量將不如預期,及3Q11受過剩庫存去化影響而使傳統(tǒng)備貨旺季效應遞延等因素的綜合影響下,8月上旬NANDFlash芯片市場買氣依然疲弱,但某些系統(tǒng)客戶的OEM訂單需求相對于記憶卡及UFD通路市場需求仍相對地穩(wěn)定,因此,MLCNAND Flash芯片合約均價小跌約1-2%,而TLCNAND Flash芯片合約均價則下跌約4-7%。
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閃存芯片 NAND
- 在日前的一場閃存高峰會中,SanDisk公司的技術長Yoram Cedar指出,下一代光刻技術的延遲,將導致NAND閃存的成長趨緩。市場原先對閃存的展望都相當樂觀,但Cedar表示,由于超紫外光(EUV)光刻技術的延遲,閃存的成長可能需要再評估。
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SanDisk NAND
- 全球第二大閃存制造商東芝公司(Toshiba Corp)周三警告說,由于PC市場不景氣,美國和歐洲等經(jīng)濟體持續(xù)動蕩以及日元強勢等原因,該公司芯片業(yè)務的利潤可能達不到預期。
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東芝 芯片 NAND
- 據(jù)韓國電子新聞報導,計算機用DRAM芯片價格快速下跌,NAND Flash合約價也從6月起出現(xiàn)陡峭跌幅,2個月內(nèi)出現(xiàn)2011年來最低價2美元紀錄。下半年則因智能型手機(Smartphone)與平板計算機 (Tablet PC)新品陸續(xù)問世,可望帶動NAND Flash價格回升。
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NAND DRAM芯片
- 隨著存儲器容量越來越大,NANDFlash產(chǎn)業(yè)制程在進入20納米制程后,也開始遇到瓶頸,業(yè)界在未來制作更大容量存儲器上,面臨是否繼續(xù)發(fā)展納米的抉擇。日本方面盡管在微縮的技術上些微領先最大競爭對手公司韓國三星電子(SamsungElectronics),但短期內(nèi)該技術也將可能面臨瓶頸,因此如東芝(Toshiba)及爾必達(Elpida)等公司,均已決定投入3D存儲器的開發(fā)。
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三星 存儲器 NAND
- 隨著存儲器容量越來越大,NAND Flash產(chǎn)業(yè)制程在進入20納米制程后,也開始遇到瓶頸,業(yè)界在未來制作更大容量存儲器上,面臨是否繼續(xù)發(fā)展納米的抉擇。日本方面盡管在微縮的技術上些微領先最大競爭對手公司韓國三星電子(Samsung Electronics),但短期內(nèi)該技術也將可能面臨瓶頸,因此如東芝(Toshiba)及爾必達(Elpida)等公司,均已決定投入3D存儲器的開發(fā)。
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爾必達 NAND
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