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東芝等日本半導體巨頭恢復增產(chǎn)投資
- 據(jù)國外媒體報道,日本國內(nèi)的半導體巨頭重新開啟了增產(chǎn)投資的大門。東芝公司一直生產(chǎn)手機等設備上使用的閃存,并在該領域排名全球第二,該公司計劃與美國公司共同出資1500億日元,以提高這方面的產(chǎn)能,增產(chǎn)程度約為4成。爾必達公司主要生產(chǎn)PC的內(nèi)存,該公司計劃在2010財年向主要生產(chǎn)廠投資600億日元,將出貨量提高3成。 自今年夏天以來,全球半導體市場呈現(xiàn)堅挺的走勢,PC銷售等在需求的刺激下得到恢復。全球經(jīng)濟危機后,日本IT業(yè)大公司一改過去的謹慎投資的態(tài)度而變?yōu)榉e極投資,以期待與韓國三星公司展開競爭。
- 關鍵字: 東芝 NAND
東芝、爾必達提高半導體事業(yè)資本支出
- 自2009年夏季起全球半導體市場需求回溫,日本半導體大廠增資動作亦轉(zhuǎn)趨積極。日本經(jīng)濟新聞報導指出,東芝(Toshiba)將與美國業(yè)者共同投資1,500億日圓(約16億美元)于NAND Flash事業(yè),提高約4成產(chǎn)能;爾必達(Elpida)亦計劃在2010年度中,投資600億日圓于主力據(jù)點,以增加3成出貨量。 報導指出,東芝擬于2010年度初期在三重縣四日市NAND Flash廠導入尖端設備,此亦為2007年來東芝在NAND Flash事業(yè)上的大舉投資。據(jù)悉,增設新生產(chǎn)線后,整廠生產(chǎn)規(guī)模將由26萬
- 關鍵字: 東芝 NAND
傳東芝投資22億美元擴大NAND閃存產(chǎn)能
- 據(jù)國外媒體報道,消息人士周一透露,東芝可能將投資2000億日元(約合22億美元)擴大NAND閃存芯片生產(chǎn)。到2010年4月底,東芝的閃存芯片生產(chǎn)規(guī)模將擴大40%。 報道稱,東芝當前還計劃在2012年3月之前,為半導體產(chǎn)業(yè)投資總計5000億日元。市場調(diào)研公司iSuppli上周發(fā)布研究數(shù)據(jù)顯示,今年第三季度全球NAND閃存市場業(yè)績強勁,東芝表現(xiàn)最為搶眼,營收環(huán)比增長近50%。 iSuppli的報告稱,全球NAND閃存市場第三季度的營收較第二季度的31億美元,增長了25.5%,達39.4億美元。
- 關鍵字: 東芝 NAND 閃存芯片
東芝發(fā)布業(yè)內(nèi)最大容量嵌入式NAND閃存模組
![](http://editerupload.eepw.com.cn/200912/b5e6eac57161fa439f848fbf22891517.jpg)
- 東芝公司本周一發(fā)布了據(jù)稱為業(yè)內(nèi)最大容量的64GB嵌入式NAND閃存模組。這種模組內(nèi)建專用的控制器,并內(nèi)含16個采用32nm制程技術制作的32Gbit存儲密度的閃存芯片,這種閃存芯片的厚度則僅有30微米。 這款內(nèi)存模組產(chǎn)品裝備在便攜設備如iPod/智能手機等之上后,手機的存儲容量將實現(xiàn)倍增。比如采用單閃存模組設計的iPhone的容量可由原來的32GB提升到64GB,而采用雙閃存模組設計的iPod touch的最大容量則可達到128GB。 東芝本月將開始對外提供這種64GB嵌入式閃存模組的
- 關鍵字: 東芝 NAND 嵌入式 閃存模組
張忠謀:臺灣企業(yè)五年內(nèi)將面臨三大挑戰(zhàn)
- 臺積電董事長張忠謀日前表示,臺灣企業(yè)五年內(nèi)成本將面臨三大挑戰(zhàn),包括美元弱勢引起的新臺幣匯率挑戰(zhàn),石油等原物料價格上漲引發(fā)的通膨,還有減碳增加的環(huán)保稅負成本。 張忠謀只提到美元弱勢,并沒有說新臺幣有升值壓力,張忠謀認為,全球經(jīng)濟都在復蘇中,復蘇力道緩慢,盡管景氣慢慢復蘇,但張忠謀認為,企業(yè)近中程的三大挑戰(zhàn)相當嚴峻,所謂近中程大概是五年內(nèi),所以嚴峻因為是過去兩年、甚至十年沒遇見過。 第一個挑戰(zhàn)是匯率。張忠謀說,臺灣過去20年沒有遭遇很大的匯率挑戰(zhàn),但美元愈來愈弱,這會是一個趨勢,相對地新臺幣波
- 關鍵字: 臺積電 芯片代工 DRAM NAND
張忠謀:臺灣企業(yè)五年內(nèi)成本將面臨三大挑戰(zhàn)
- 12月9日消息,臺積電董事長張忠謀昨日表示,臺灣企業(yè)五年內(nèi)成本將面臨三大挑戰(zhàn),包括美元弱勢引起的新臺幣匯率挑戰(zhàn),石油等原物料價格上漲引發(fā)的通膨,還有減碳增加的環(huán)保稅負成本。 張忠謀只提到美元弱勢,并沒有說新臺幣有升值壓力,張忠謀認為,全球經(jīng)濟都在復蘇中,復蘇力道緩慢,盡管景氣慢慢復蘇,但張忠謀認為,企業(yè)近中程的三大挑戰(zhàn)相當嚴峻,所謂近中程大概是五年內(nèi),所以嚴峻因為是過去兩年、甚至十年沒遇見過。 第一個挑戰(zhàn)是匯率。張忠謀說,臺灣過去20年沒有遭遇很大的匯率挑戰(zhàn),但美元愈來愈弱,這會是一個趨勢
- 關鍵字: 臺積電 芯片代工 DRAM NAND
三星每年提高一倍代工芯片產(chǎn)能 目標直指臺積電
- 據(jù)報道,為了更加快速的追趕臺積電,三星計劃將以后每年的代工芯片產(chǎn)能提高一倍直至達到臺積電的規(guī)模。 根據(jù)iSuppli的統(tǒng)計,去年全球芯片代工市場的產(chǎn)值為190億美元,而臺積電獨自占據(jù)了其中的100億美元。 三星是全球第二大芯片制造商,在DRAM內(nèi)存和NAND閃存市場處于領先地位,但是他們在代工市場的收入?yún)s只有可憐的幾億美元。三星發(fā)言人近日表示,三星已經(jīng)決定擴大其代工產(chǎn)能,目標直指臺積電。 三星目前在韓國器興(Giheung)有一座占地350英畝的晶圓廠,專門用于代工業(yè)務。三星一直強調(diào)
- 關鍵字: 臺積電 芯片代工 DRAM NAND
三星開始量產(chǎn)兩種新型30nm制程NAND閃存芯片
- 三星近日宣布將開始量產(chǎn)兩款30nm制程NAND閃存芯片產(chǎn)品。其中一種閃存產(chǎn)品采用類似DDR內(nèi)存的雙倍傳輸技術,據(jù)三星公司宣稱,這種產(chǎn)品的讀取帶寬 是傳統(tǒng)閃存芯片的3倍左右,單顆這樣的DDR MLC閃存芯片數(shù)據(jù)傳輸峰值帶寬可達133Mbps,而舊款閃存芯片則只能達到40Mbps的水平。 即便將這種芯片應用到閃存卡中,也能夠保持60Mbps的持續(xù)讀取速率,同樣比傳統(tǒng)閃存芯片的17Mbps快三倍左右。這種閃存芯片產(chǎn)品既適合智能手機,便攜多媒體播放器等產(chǎn)品,也同樣適用于SSD硬盤等設備。 另外一款
- 關鍵字: 三星 30nm NAND
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