- ASM太平洋行政總裁李偉光表示，公司訂單表現(xiàn)反映半導體行業(yè)周期，已于去年第四季已經(jīng)見底，客戶亦恢復信心，相信未來會維持平穩(wěn)增長，但與去年強勁增速情況不同。他預期，隨著新訂單于首季反彈，整體營業(yè)額及訂單于第二季有改善，未來毛利率亦會大幅提升。
他又指，大股東ASM國際減持公司股份，并不代表對公司失去信心，只是因為ASM國際股值嚴重被低估，與公司的市值有10億美元差距，因此大股東計劃透過分拆旗下業(yè)務上市，以及減持ASM太平洋股份套現(xiàn)，以收窄兩公司市值的差距。他相信，ASM國際短期內不會再減持，持股比
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ASM 半導體
- ASM-51 宏匯編主要用來開發(fā)Inter8051系列單片機，它具有宏處理，數(shù)據(jù)處理，列表處理和條件處理等多種功能。源程序的編寫完全采用 Inter標準助記符和行格式。在編寫程序過程中，可借助于文本編輯（Windows的記事本）或
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指南 應用 匯編 ASM-51
- ASM-51 宏匯編主要用來開發(fā)Inter8051系列單片機，它具有宏處理，數(shù)據(jù)處理，列表處理和條件處理等多種功能。源程序 ...
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ASM-51 宏匯編
- ASM-51 宏匯編主要用來開發(fā)Inter8051系列單片機，它具有宏處理，數(shù)據(jù)處理，列表處理和條件處理等多種功能。源程序的編寫完全采用 Inter標準助記符和行格式。在編寫程序過程中，可借助于文本編輯（Windows的記事本）或
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手冊 使用 匯編 ASM-51
- ASM International內華達州，今天推出了其PowerFillTM的外延硅(Epi Si)溝槽填充工藝。新工藝可使帶有摻雜物的外延硅深溝無縫隙填充。 PowerFill是一個精湛的工藝技術，因為它是同類流程速度的3倍，降低制造成本，創(chuàng)造了為電源設備設計在設計程度上新的級別。
Fairchild半導體公司是第一家客戶，以處理其先進電源管理器件，已完成其在韓國工廠的核實。對于這種應用，ASM的PowerFill的處理可以實現(xiàn)電源管理器件和電路的占用空間，從而減少損耗和生產成本。
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ASM 電源設備 PowerFill
- ASM今天推出了其PowerFill(TM)的外延硅(Epi Si)溝槽填充工藝。新工藝可使帶有摻雜物的外延硅深溝無縫隙填充。 PowerFill是一個精湛的工藝技術，因為它是同類流程速度的3倍，降低制造成本，創(chuàng)造了為電源設備設計在設計程度上新的級別。
Fairchild半導體公司是第一家客戶，以處理其先進電源管理器件，已完成其在韓國工廠的核實。對于這種應用，ASM的PowerFill的處理可以實現(xiàn)電源管理器件和電路的占用空間，從而減少損耗和生產成本。
“對于離散式功率的要求M
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ASM 電源管理 PowerFill
- 荷蘭半導體設備制造商ASM International NV周一稱，將加快實施重組計劃，爭取實現(xiàn)2010年上半年前削減至少40%的成本。
ASMI并稱，這個新的前端業(yè)務節(jié)流目標比原先預期的更大，且時間加快了六個月。
該公司稱，計劃在2010年結束前將其全部的全球前端制造業(yè)務整合到新加坡，會因此裁減“很多”員工。ASMI預計將裁員約400人，其中包括之前已經(jīng)宣布的200人。
該公司預計需提列6000萬-7000萬歐元(8500-9900萬美元)的重組費用，大部分
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ASM 芯片 半導體設備
- 英特爾旗下風險投資部門英特爾投資(Intel Capital)已經(jīng)買入荷蘭芯片設備制造商ASM International NV 4%的股份。
英特爾投資表示，該公司是在公開市場上買入上述股份的。ASM周一收于12.42美元，根據(jù)該價格進行計算，英特爾投資買入的220萬股ASM股票價值約為2730萬美元。
英特爾投資總裁蘇愛文(Arvind Sodhani)表示：“設備和材料創(chuàng)新對半導體設備新功能而言至關重要。我們對ASM的投資是英特爾資本促進創(chuàng)新策略的一部分，與英特爾制造技術
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ASM 芯片
- ASM International N.V. 宣布一家臺灣晶圓廠為其28 納米節(jié)點high-k 閘極介電層量產制程選擇ASM的Pulsar原子層沉積技術(ALD)工具。
除此之外，此家晶圓廠也將與ASM針對最新世代的high-k閘極技術進行制程開發(fā)活動。 ASM 在2009年第2季將針對進階節(jié)點開發(fā)計劃提供額外的 Pulsar 制程模塊。該晶圓廠在過去4年也使用ASM的ALD high-K和金屬閘極設備來開發(fā)其以鉿基材料為基礎的high-k 閘極制程。
納米節(jié)點上實現(xiàn)成功的high-K制程
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ASM high-k 晶圓
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