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b&n 文章 進(jìn)入b&n技術(shù)社區(qū)
汽車電子網(wǎng)絡(luò)化 所有車輛將配ESP
- 汽車行業(yè)正努力將車輛中現(xiàn)有的電子系統(tǒng)網(wǎng)絡(luò)化,并以此為基礎(chǔ)開發(fā)將來(lái)的新功能。制動(dòng)式動(dòng)態(tài)車輪扭矩控制(DWT-B)作為其中的一個(gè)系統(tǒng)——即將量產(chǎn)并裝配于寶馬X5上。 該系統(tǒng)由寶馬和博世的工程師共同開發(fā)。制動(dòng)式動(dòng)態(tài)車輪扭矩控制通過(guò)增加發(fā)動(dòng)機(jī)扭矩并輕微制動(dòng)位于彎道內(nèi)側(cè)的后輪,在車輛高速入彎時(shí)提升車輛的靈活性。這樣就增加了發(fā)動(dòng)機(jī)作用于彎道外側(cè)車輪的驅(qū)動(dòng)力,使車輛更靈活,過(guò)彎時(shí)更快、并無(wú)需大的轉(zhuǎn)向操作,同時(shí)保持了相同的安全水平。該功能通過(guò)整合發(fā)動(dòng)機(jī)管理系統(tǒng)和裝配于寶馬X5的高性能制動(dòng)
- 關(guān)鍵字: 汽車電子 網(wǎng)絡(luò)化 ESP DWT-B
用創(chuàng)新與合作去開拓未來(lái)
- 作為專業(yè)生產(chǎn)和提供自動(dòng)化及工業(yè)控制設(shè)備的跨國(guó)公司,貝加萊(B&R)在歐洲、北美、非洲和亞洲55個(gè)國(guó)家設(shè)立超過(guò)140個(gè)辦事機(jī)構(gòu)及眾多合作伙伴。憑借近三十年的專注投入和豐富經(jīng)驗(yàn)以及遍及全球成千上萬(wàn)種控制系統(tǒng),今天,貝加萊以其超群的技術(shù)方案享譽(yù)世界并穩(wěn)據(jù)全球工業(yè)自動(dòng)化領(lǐng)域領(lǐng)導(dǎo)者地位。
- 關(guān)鍵字: 貝加萊 B&R 工業(yè)控制設(shè)備 自動(dòng)化
IBM舉行2007IBM Cell/B.E.校園大賽頒獎(jiǎng)典禮
- 由IBM主辦,索尼電腦娛樂(lè)公司和東芝公司協(xié)辦的2007 IBM Cell/B.E.校園大賽在上海交通大學(xué)舉行了歐亞賽區(qū)頒獎(jiǎng)典禮。在頒獎(jiǎng)典禮上,IBM向上海交通大學(xué)、天津大學(xué)和南京大學(xué)的獲獎(jiǎng)團(tuán)隊(duì)頒發(fā)了獲獎(jiǎng)證書和獎(jiǎng)金。同時(shí),IBM還宣布通過(guò)共享大學(xué)研究資助項(xiàng)目(Shared University Research Program,簡(jiǎn)稱:SUR項(xiàng)目)支持上海交通大學(xué)和清華大學(xué)基于Cell/B.E.計(jì)算平臺(tái)開展的研究項(xiàng)目。IB
- 關(guān)鍵字: IBM IBM Cell/B.E. 校園大賽 基礎(chǔ)架構(gòu) 模擬IC 電源
ActiveX技術(shù)在B/S模式監(jiān)控系統(tǒng)中的應(yīng)用
- 隨著Internet技術(shù)的飛速發(fā)展,利用Web服務(wù)器的信息服務(wù)能力和數(shù)據(jù)庫(kù)的數(shù)據(jù)處理能力來(lái)構(gòu)造大規(guī)模的系統(tǒng)已成為當(dāng)前人們關(guān)注的熱點(diǎn)。與此同時(shí),軟件的開發(fā)環(huán)境和開發(fā)技術(shù)也在不斷的變化,B/S(Browser/server)模式管理信息系統(tǒng)與傳統(tǒng)的C/S(client/server)模式管理信息系統(tǒng)相比,具有使用簡(jiǎn)單、維護(hù)方便、具有廣泛通用性和跨平臺(tái)性、安全性好等優(yōu)點(diǎn),因而日益受到廣大用戶的青睞。 但是由于各個(gè)系統(tǒng)具體需要的不同,要建立符合工程實(shí)際情況,滿足用戶要求的系統(tǒng),這就需要根據(jù)工程的具體情
- 關(guān)鍵字: 嵌入式系統(tǒng) 單片機(jī) ActiveX技 B/S模式 操作系統(tǒng)
凌力爾特推出同步升壓型DC/DC轉(zhuǎn)換器LTC3528/B
- 凌力爾特公司(Linear Technology Corporation)推出具有輸出斷接和集成軟啟動(dòng)功能的 1MHz、電流模式、同步升壓型 DC/DC 轉(zhuǎn)換器 LTC3528/B。該器件的 1A 開關(guān)從 0.70V(啟動(dòng)時(shí),工作時(shí)為 0.5V)至 5V 的輸入電壓范圍可提供高達(dá) 5.25V 的輸出電壓,非常適用于鋰離子/聚合物或單節(jié)/多節(jié)堿性/鎳氫應(yīng)用。LTC3528/B 用單節(jié)堿性電池可提供高達(dá) 200mA 的連續(xù)輸出電流(在3.3V),或用兩節(jié)堿性電池提供 400mA 電流。同步整流實(shí)現(xiàn)高達(dá) 94%
- 關(guān)鍵字: 模擬技術(shù) 電源技術(shù) 凌力爾特 轉(zhuǎn)換器 LTC3528/B 模擬IC 電源
凌力爾特推出同步升壓型 DC/DC 轉(zhuǎn)換器 LTC3528/B
- 凌力爾特公司(Linear Technology Corporation)推出具有輸出斷接和集成軟啟動(dòng)功能的 1MHz、電流模式、同步升壓型 DC/DC 轉(zhuǎn)換器 LTC3528/B。該器件的 1A 開關(guān)從 0.70V(啟動(dòng)時(shí),工作時(shí)為 0.5V)至 5V 的輸入電壓范圍可提供高達(dá) 5.25V 的輸出電壓,非常適用于鋰離子/聚合物或單節(jié)/多節(jié)堿性/鎳氫應(yīng)用。LTC3528/B 用單節(jié)堿性電池可提供高達(dá) 200mA 的連續(xù)輸出電流(在3.3V),或用兩節(jié)堿性電池提供 400mA 電流。同步整流實(shí)現(xiàn)高達(dá) 9
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Maxim推出超低功耗802.11g/b RF收發(fā)器
- Maxim推出MAX2830單片、直接變頻、超低功耗802.11g/b RF收發(fā)器,內(nèi)置集成的功率放大器(PA)、Rx/Tx/天線分集開關(guān)以及晶體振蕩器電路。該器件為業(yè)界第一款內(nèi)置Rx/Tx以及天線分集開關(guān)的收發(fā)器、相比競(jìng)爭(zhēng)方案可以節(jié)省10mm²的電路板空間以及$0.25的BOM成本。MAX2830這一高度集成的收發(fā)器具有低成本以及小尺寸特性,對(duì)于Wi-Fi、PDA、VoIP以及蜂窩手持應(yīng)用非常理想。 MAX2830還集成數(shù)字可控、晶體振蕩器(DCXO)電路,可提供基準(zhǔn)振蕩器功能,
- 關(guān)鍵字: 通訊 無(wú)線 網(wǎng)絡(luò) 嵌入式系統(tǒng) 單片機(jī) Maxim 802.11g/b RF 無(wú)線 通信
S/N高達(dá)120dB的數(shù)模變換器SM5865CM
- 1 概述 SM5865CM是NPC公司生產(chǎn)的DVD-Audio和192kHz/24bit PCM單聲道多電平D/A變換器SM5865BM的升級(jí)版本,雖然這兩者都可以把數(shù)字濾波器SM5847AF超取樣處理的24bit、4fs/8fs輸出信號(hào)以Δ-Σ方式變成高性能的單聲道DAC信號(hào)。但SM5865CM的性能得到了全面提升:其高次諧波失真和噪聲(THD+N)已從0.0004%降低到 0.0003%,動(dòng)態(tài)范圍(DR)為114dB~117dB,而S/N的動(dòng)態(tài)范圍則為117dB~120dB。 SM
- 關(guān)鍵字: 120dB S/N SM5865CM 電源技術(shù) 模擬技術(shù) 數(shù)模變換器
SN65HVD230型CAN總線收發(fā)器的原理及應(yīng)用
- SN65HVD230是德州儀器公司生產(chǎn)的3.3V CAN收發(fā)器,該器件適用于較高通訊速率、良好抗干擾能力和高可靠性CAN總線的串行通信。
- 關(guān)鍵字:
收發(fā)器 CAN CAN收發(fā)器
引言
CAN總線以其較高的通訊速率、良好的抗電磁干擾能力可實(shí)現(xiàn)高可靠性串行通信,因而在實(shí)際應(yīng)用中具有極高的應(yīng)用價(jià)值。但是,隨著集成技術(shù)的不斷發(fā)展,為了節(jié)省功耗,縮小電路體積,一些新型CAN總線控制器的邏輯電平均采用LVTTL,這就需要與之相適應(yīng)的總線收發(fā)器。TI公司生產(chǎn)的SN65HVD230型電路很好地解決了這個(gè)問(wèn)題。
新型IGBT/MOSFET驅(qū)動(dòng)模塊SKHI22A/B
- SKHI22A/B是德國(guó)西門康(SEMIKRON)公司推出的一種新型的IGBT/MOSFET的驅(qū)動(dòng)模塊。
- 關(guān)鍵字: SKHI22A/B 模塊 驅(qū)動(dòng) IGBT/MOSFET 新型
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