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美信與力晶合作完成BCD-MOS制程認證
- 繼德州儀器開始在美國12寸廠RFAB開始生產(chǎn)模擬IC之后,另一模擬芯片整合組件大廠美信半導體(Maxim)宣布,透過與臺灣DRAM大廠力晶科技合作,成功完成0.18微米雙載子/互補/擴散金屬氧化半導體(BCD-MOS)制程認證,并已開始投片生產(chǎn)。不過,晶圓代工大廠臺積電對于在12寸廠生產(chǎn)模擬芯片仍興趣缺缺,表示短期內(nèi)12寸廠仍不會提供相關制程。 雖然電子產(chǎn)品銷售成長趨緩,德儀的芯片交期(lead time)已大幅縮短,但是德儀旗下12寸廠RFAB的模擬IC已在第3季完成了認證工作,本季就會正式投
- 關鍵字: Maxim BCD-MOS制程
臺積電推出0.25微米車用一次性可編程存儲器硅知識產(chǎn)權
- 臺積電今日宣布,推出通過美國汽車電子協(xié)會(Automotive Electronic Council, AEC)AEC-Q100產(chǎn)品規(guī)格驗證標準的0.25微米車用一次性可編程存儲器(One-time-programmable) 硅知識產(chǎn)權。 此一硅知識產(chǎn)權與TSMC的BCD (Bipolar-CMOS-DMOS)工藝、混合信號/模擬(Mixed signal/analog)工藝以及標準CMOS邏輯工藝完全相容,因此無需額外增加其他工藝步驟,提供車用電源管理及模擬產(chǎn)品系統(tǒng)單芯片制造一個理想的選擇。
- 關鍵字: 臺積電 BCD 存儲器
基于AP3768的高效率超低待機功耗的手機充電器解決方案
- 近年來,節(jié)能環(huán)保理念的深入人心,對半導體IC設計和應用也提出了更高的要求。2008年11月,五大手機制造商諾基亞、三星、索尼愛立信、摩托羅拉和LG電子聯(lián)合發(fā)布了手機充電器的五星級標準。新的分級制度將以零到五顆星的標志圖案來區(qū)分待機能耗。例如,待機功耗小于或等于30mW的手機充電器屬于最高星級,在其標簽上印有五顆星。相反,如果待機功耗≤500mW,則充電器標簽上將無任何星級標記。為適應手機充電器的技術革新和發(fā)展,新進半導體制造有限公司(簡稱BCD半導體)于近期推出一種新的電源控制芯片AP3768,
- 關鍵字: BCD 手機充電器 AP3768
TSMC推出高整合度LED驅(qū)動集成電路工藝
- TSMC昨日推出模組化 BCD(Bipolar, CMOS DMOS)工藝,將可為客戶生產(chǎn)高電壓之整合LED驅(qū)動集成電路產(chǎn)品。 此一新的BCD工藝特色在于提供12伏特至60伏特的工作電壓范圍,可支持多種LED的應用,包括: LCD平面顯示器的背光源、LED顯示器、一般照明與車用照明等,且工藝橫跨0.6微米至0.18微米等多個世代,并有數(shù)個數(shù)字核心模組可供選擇,適合不同的數(shù)字控制電路閘密度。此外,也提供CyberShuttleTM共乘試制服務,支援0.25微米與0.18微米工藝的初步功能驗證。
- 關鍵字: TSMC BCD LED驅(qū)動
Power Integrations與 BCD Semiconductor的專利訴訟達成和解
- 2009年2月11日加州圣何塞消息–用于高能效功率轉(zhuǎn)換的高壓集成電路領域的領導廠商Power Integrations (納斯達克代號:POWI)今天宣布,公司已經(jīng)同意與BCD Semiconductor的專利訴訟中提出的和解條件。根據(jù)和解條件,BCD將接受美國特拉華州聯(lián)邦地方法院的一項決議,即禁止BCD在美國生產(chǎn)和銷售此項訴訟中涉及的產(chǎn)品。這項決議還禁止BCD將這些產(chǎn)品出售并用于銷往美國市場的最終產(chǎn)品中。BCD還同意向最近接觸的客戶、分銷商和其它第三方提供有關此項決議的通告。
- 關鍵字: PI BCD 專利
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