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          MOS—FET末級無負(fù)反饋蓄電池供電甲類6瓦功率放大器

          • MOS—FET末級無負(fù)反饋蓄電池供電甲類6瓦功率放大器
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          MOS—FET甲乙類功率放大器

          TI 小貼士:圖例理FET知識

          • 您可以通過周期性地收集大量的ADC輸出轉(zhuǎn)換采樣來生成FFT圖。一般而言,ADC廠商們將一種單音、滿量程模擬...
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          手把手教你讀懂FET選取合適器件

          • 現(xiàn)在;一臺臺電源,幾乎都能發(fā)現(xiàn)FET的影子。幾乎每個電源工程師都用過這東西,或用來逆變;或用來整流;或就當(dāng)個開關(guān)...
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          CISSOID推出高溫度30V小訊號P-FET場效應(yīng)管

          •   CISSOID,在高溫半導(dǎo)體方案的領(lǐng)導(dǎo)者推出了一個行星家族(高溫度晶體管及開關(guān))的新成員.火星是一個高溫度30V小訊號P-FET場效應(yīng)管, 適合于-55 ° C至+225° C高溫可靠運(yùn)作. 由于它耐于極端溫度,只有14pF的輸入電容值及于+225° C下最高只有400nA閘極漏電流. 所以這30V晶體管非常適合于高溫度傳感器介面,例如壓電傳感器或保護(hù)放大器.   
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          如何對反向轉(zhuǎn)換器的FET關(guān)斷電壓進(jìn)行緩沖

          •   圖 1 顯示了反向轉(zhuǎn)換器功率級和一次側(cè) MOSFET 電壓波形。該轉(zhuǎn)換器將能量存儲于一個變壓器主繞組電感中并在 MOSFET 關(guān)閉時將其釋放到次級繞組。由于變壓器的漏極電感會使漏電壓升至反射輸出電壓 (Vreset) 以上,因
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          MOS-FET開關(guān)電路

          • MOS-FET雖然與JFET結(jié)構(gòu)不同,但特性極為相似,N溝道和P溝道各分增強(qiáng)型和耗盡型,可在許多電路中代替J-FET,如圖5.4-97所示,電路用MOS-FET代替J-FET更簡單,如釁5.4-100所示短路開關(guān)對應(yīng)圖5.4-96中的A、C、D三個電路
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          J-FET開關(guān)電路工作原理

          • 1、簡單開關(guān)控制電路圖5.4-97為簡單J-FET開關(guān)電路。當(dāng)控制電壓VC高于輸入電壓V1時,VGS=0,J-FET導(dǎo)通,傳輸信號至VO;當(dāng)VC比V1足夠負(fù),VD導(dǎo)通而J-FET截止,VO=0。2、改進(jìn)的J-FET開關(guān)電路圖5.4-98電路是圖5.4-97電路的
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          與萬用表結(jié)合使用的FET VP、VOO檢驗(yàn)器

          • 電路的功能場效晶體管漏極飽和電流IDSS和夾斷電壓VP等有很大差別,所以確定置偏很麻煩。雖然在生產(chǎn)廠已分了幾種等級,但一個等級內(nèi)仍有差別,如果在組裝電路之前測量實(shí)際工作電流狀態(tài)下的VP和VOS則比較方便。測量時,
          • 關(guān)鍵字: VOO  檢驗(yàn)  VP  FET  結(jié)合  使用  萬用表  

          使用FET輸入型OP放大器的長時間模擬定時電路

          • 電路的功能定時器專用IC有NE555和C-MOS單穩(wěn)態(tài)多批振蕩器4538B等。然后用FET輸入型OP放大器也可用途長時間定時電路。本電路采用其他模擬電路中使用的雙OP放大器余下的一個來組成定時器,這樣可以減少IC的數(shù)量,事先了
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          可用于VCA或幅度調(diào)制的FET乘法運(yùn)算電路

          • 電路的功能本電路是一種使用雙FET的2象限乘法電路最大輸入電壓為10V,2象限乘法運(yùn)算與幅度調(diào)制(AM)等效,可作為低頻調(diào)制電路使用。電路工作原理本電路利用了FET的溝道電阻變化,以TT15、TT16特性相同為前提條件,O
          • 關(guān)鍵字: VCA  FET  幅度調(diào)制  乘法運(yùn)算電路    

          使用結(jié)型FET的簡易電壓控制放大器

          • 電路的功能在VCA(電壓控制放大器)。由反饋環(huán)路組成電路時,通過控制反正電壓來改變放大器增益。所以傳統(tǒng)的作法是利用二極管的單向特性或采用CDS光耦合器。而在本電路中,是利用柵極源極之間的電壓使溝道電阻發(fā)生變
          • 關(guān)鍵字: FET  結(jié)型  電壓控制  放大器    

          Vishay推出4款MOSFET

          •   日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出4款新的600V MOSFET --- SiHP22N60S(TO-220)、SiHF22N60S(TO-220 FULLPAK)、SiHG22N60S(TO-247)和SiHB22N60S(TO-263),將其Super Junction FET®技術(shù)延伸到TO-220、TO-220F、TO-247和TO-263封裝。   新的SiHP22N60S(TO-220)、SiHF22N60S(TO-220 FULLPAK
          • 關(guān)鍵字: Vishay  MOSFET  FET  

          友達(dá)光電宣布收購FET公司的FED資產(chǎn)及技術(shù)

          •   友達(dá)光電1月20日宣布, 與由索尼(SONY)持股39.8%的Field Emission Technologies Inc. 公司(以下簡稱FET)及FET Japan Inc.(以下簡稱FETJ)簽署資產(chǎn)收購技術(shù)移轉(zhuǎn)協(xié)議,收購FET的場發(fā)射顯示器(field emission displays;FED)技術(shù),該公司為全球FED技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)者。友達(dá)在此交易中,將取得FET顯示技術(shù)及材料的專利、技術(shù)、發(fā)明,以及相關(guān)設(shè)備等資產(chǎn)。   FED技術(shù)在快速反應(yīng)時間、高效率、亮度和對比度方面不但能與傳統(tǒng)CRT相
          • 關(guān)鍵字: 友達(dá)  FED  FET  

          瞄準(zhǔn)高端市場 友達(dá)將收購FET的部分資產(chǎn)

          •   臺灣友達(dá)科技近日宣布,他們已經(jīng)與FET公司以及FET日本公司達(dá)成了協(xié)議,友達(dá)將出資收購FET公司的部分資產(chǎn),并將因此而獲得FET公司的部分專利技術(shù)。FET公司目前在FED場射顯示技術(shù)(Field Emission Display)領(lǐng)域占據(jù)領(lǐng)先地位,索尼公司目前擁有FET公司39.8%的股份。友達(dá)并表示,其收購的內(nèi)容將包括FED場射面板相 關(guān)技術(shù)專利,F(xiàn)ED技術(shù)實(shí)施方案,以及FED面板生產(chǎn)用設(shè)備等。   FED場射面板兼具CRT顯示器和LCD顯示器的優(yōu)勢,其工作原理與CRT顯示器完全相同,同樣采用
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