bicmos 文章 進(jìn)入bicmos技術(shù)社區(qū)
高成本效益的實(shí)用系統(tǒng)方法解決QFN-mr BiCMOS器件單元測試電源電流失效問題
- 摘要 本文探討一套解決芯片單元級電測試過程電源電流失效問題的方法。當(dāng)采用QFN-MR(四邊扁平無引線–多排引腳封裝)的BiCMOS (雙極互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體)芯片進(jìn)入量產(chǎn)預(yù)備期時，電源電流失效是一個進(jìn)退維谷的制造難題?！ ”疚慕榻B了數(shù)種不同的失效分析方法，例如，數(shù)據(jù)分析、實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)(DOE)、流程圖分析、統(tǒng)計(jì)輔助分析和標(biāo)桿分析，這些分析方法對確定問題的根源有很大的幫助，然后使用統(tǒng)計(jì)工程工具逐步濾除可變因素。 本項(xiàng)目找到了電流失效問題的根源，并采用了相應(yīng)的解決措施，使電源電流失效發(fā)生率大幅
- 關(guān)鍵字： BiCMOS QFN-MR
新能源汽車會越來越多
- 今后中國新能源汽車會越來越多，?針對新能源汽車相關(guān)的產(chǎn)品，?東芝推出了例如在節(jié)能方面非常有功效 的馬達(dá)驅(qū)動的電路，?還有在電動車混合動力里面廣泛使用的光機(jī)電器件類似的產(chǎn)品。?車載信息化方面，?東芝除了既有的車載音箱產(chǎn)品以外，?還增加了與互聯(lián)網(wǎng)、車聯(lián)網(wǎng)相關(guān)的無線互聯(lián)的藍(lán)牙產(chǎn)品、?存儲產(chǎn)品。針對環(huán)保的要求，?東芝提供非常獨(dú)特的有優(yōu)勢的電機(jī)控制技術(shù)，?東芝的BiCMOS的制成技術(shù)已經(jīng)實(shí)現(xiàn)130納米高性能的制程，&nb
- 關(guān)鍵字： 東芝 BiCMOS
高效率低諧波失真E類RF功率放大器設(shè)計(jì)
- 引言 近年來，隨著無線通訊的飛速發(fā)展，無線通信里的核心部分——無線收發(fā)器越來越要求更低的功耗、更高的效率以及更小的體積，而作為收發(fā)器中的最后一級，功率放大器所消耗的功率在收發(fā)器中已占到了60%～90%，嚴(yán)重影響了系統(tǒng)的性能。所以，設(shè)計(jì)一種高效低諧波失真的功率放大器對于提高收發(fā)器效率，降低電源損耗，提高系統(tǒng)性能都有十分重大的意義。 筆者采用了SiGe BiCMOS工藝實(shí)現(xiàn)了集成E類功率放大器，其工作頻率為1.8GHz，工作電壓為1.5V，輸出功率為26dBm，并具有高
- 關(guān)鍵字： 功率放大器 BiCMOS E類
高效率低諧波失真E類RF功率放大器設(shè)計(jì)
- 引言 近年來，隨著無線通訊的飛速發(fā)展，無線通信里的核心部分——無線收發(fā)器越來越要求更低的功耗、更高的效率以及更小的體積，而作為收發(fā)器中的最后一級，功率放大器所消耗的功率在收發(fā)器中已占到了60%～90%，嚴(yán)重影響了系統(tǒng)的性能。所以，設(shè)計(jì)一種高效低諧波失真的功率放大器對于提高收發(fā)器效率，降低電源損耗，提高系統(tǒng)性能都有十分重大的意義。 筆者采用了SiGe BiCMOS工藝實(shí)現(xiàn)了集成E類功率放大器，其工作頻率為1.8GHz，工作電壓為1.5V，輸出功率為26dBm，并具有高
- 關(guān)鍵字： 功率放大器 BiCMOS
新型BiCMOS集成運(yùn)算放大器設(shè)計(jì)
- 為了提高運(yùn)算放大器的驅(qū)動能力，依據(jù)現(xiàn)有CMOS集成電路生產(chǎn)線，介紹一款新型BiCMOS集成運(yùn)算放大電路設(shè)計(jì)，探討B(tài)iCMOS工藝的特點(diǎn)。在S-Edit中進(jìn)行“BiCMOS運(yùn)放設(shè)計(jì)”電路設(shè)計(jì)，并對其電路各個器件參數(shù)進(jìn)行調(diào)
- 關(guān)鍵字： BiCMOS 集成運(yùn)算 放大器設(shè)計(jì)
基于0．5μm CMOS工藝的一款新型BiCMOS集成運(yùn)算放
- 摘要：為了提高運(yùn)算放大器的驅(qū)動能力，依據(jù)現(xiàn)有CMOS集成電路生產(chǎn)線，介紹一款新型BiCMOS集成運(yùn)算放大電路設(shè)計(jì)，探討B(tài)iCMOS工藝的特點(diǎn)。在S-Edit中進(jìn)行“BiCMOS運(yùn)放設(shè)計(jì)”電路設(shè)計(jì)，并對其電路各個器件參數(shù)
- 關(guān)鍵字： BiCMOS CMOS 工藝 放大器設(shè)計(jì)
新型BiCMOS帶隙基準(zhǔn)電路的設(shè)計(jì)
- 在模擬及數(shù)/?；旌霞呻娐吩O(shè)計(jì)中，電壓基準(zhǔn)是非常重要的電路模塊之一，而通過巧妙設(shè)計(jì)的帶隙電壓基準(zhǔn)更是以其與電源電壓、工藝、溫度變化幾乎無關(guān)的特點(diǎn)，廣泛應(yīng)用在LDO及DC-DC集成穩(wěn)壓器、射頻電路、高精度A/D
- 關(guān)鍵字： 設(shè)計(jì) 電路 基準(zhǔn) BiCMOS 新型
Hittite寬動態(tài)范圍的功率檢波器
- 日前，全球知名的射頻微波IC廠商Hittite公司面向?qū)拵А?G、Winmax、自動化以及4G應(yīng)用領(lǐng)域推出了基于 SiGe BiCMOS 工藝的功率檢波器HMC713LP3E。 該器件可以在50MHz到8GHz范圍內(nèi)按比例把輸入的射頻信號變換成直流電壓輸出，精度為±1dB時，在2700MHz以下動態(tài)范圍內(nèi)可達(dá)54dB，在3.9到8GHz動態(tài)范圍也有49dB。其回?fù)p則在全部工作頻段都優(yōu)于10dB。 HMC713LP3E的工作電壓范圍是2.7V到5.5V，消耗電流為17 mA。與
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Maxim推出76V APD偏置和電流監(jiān)測IC
- Maxim推出采用3mm x 3mm TDFN封裝的76V APD偏置輸出級和電流監(jiān)測IC DS1842。器件采用Maxim先進(jìn)的BiCMOS工藝設(shè)計(jì)，集成高壓(76V)電流源和雙電流鏡，用于監(jiān)測APD電流。該器件還包含一個FET開關(guān)，可與外部DC-DC控制器配合工作，構(gòu)建DC-DC升壓轉(zhuǎn)換器。DS1842非常適合用于GPON ONU和OLT中的APD偏置和電流監(jiān)測。 DS1842工作在-40°C至+85°C擴(kuò)展級溫度范圍，提供帶有裸焊盤的小尺寸3mm x 3mm、14引腳TDF
- 關(guān)鍵字： Maxim BiCMOS 電流監(jiān)測 DS1842
手機(jī)充當(dāng)投影儀 Maxim推出激光驅(qū)動器
- Maxim推出3通道、RGB激光驅(qū)動器MAX3600，能夠?qū)⒏叻直媛实奈⑿屯队皟x集成至小體積設(shè)備中。該器件采用Maxim最新的BiCMOS工藝，具有小于2ns的超快速切換時間，支持高達(dá)1080p (1920 x 1080像素)和WXGA (1400 x 768像素)的高分辨率圖片。此外，器件省去了3個分立的激光驅(qū)動器，使系統(tǒng)設(shè)計(jì)者能夠?qū)⑽⑿屯队皟x嵌入至新一代消費(fèi)類電子設(shè)備。器件的目標(biāo)應(yīng)用包括：智能電話、便攜式媒體播放器、移動計(jì)算設(shè)備、數(shù)碼相機(jī)/便攜式攝像機(jī)、投影儀配件以及數(shù)碼相框。 MAX3
- 關(guān)鍵字： Maxim 激光驅(qū)動器 MAX3600 BiCMOS
益登科技代理RFaxis射頻前端芯片與嵌入式天線產(chǎn)品
- 專業(yè)電子元器件代理商益登科技今日宣布正式取得RFaxis代理權(quán)。RFaxis是一家致力于為無線通信市場提供新一代射頻解決方案的無晶圓廠半導(dǎo)體公司，益登科技將銷售RFaxis的射頻前端芯片(Front-end Integrated Circuit，RFeIC)與嵌入式天線全系列解決方案，應(yīng)用領(lǐng)域涵括消費(fèi)性電子、PC及外圍器件、無線及手機(jī)市場，銷售領(lǐng)域遍及臺灣地區(qū)、中國大陸、馬來西亞、新加坡、印度等國家及地區(qū)。 通過采用BiCMOS技術(shù)及各項(xiàng)創(chuàng)新技術(shù)與設(shè)計(jì)，RFaxis開發(fā)了業(yè)界首創(chuàng)的專利RFeIC
- 關(guān)鍵字： 益登 射頻 RFeIC 嵌入式天線 BiCMOS
Maxim推出線性度最高的下變頻SiGe混頻器
- Maxim推出帶有片內(nèi)LO緩沖器的完全集成、2000MHz至3900MHz下變頻混頻器MAX19996A。器件采用Maxim專有的單片SiGe BiCMOS工藝設(shè)計(jì)，集優(yōu)異的線性度、噪聲性能和高度的器件集成特性于一體，能夠工作于極寬的頻段范圍。MAX19996A提供完全集成的下變頻通道，具有+24.5dBm (典型值) IIP3、8.7dB (典型值)轉(zhuǎn)換增益和9.8dB (典型值)噪聲系數(shù)。此外，器件具有業(yè)內(nèi)最佳的2LO-2RF雜散抑制：-10dBm RF電平下為67dBc，-5dBm RF電平下為
- 關(guān)鍵字： Maxim 混頻器 BiCMOS MAX19996A SiGe
bicmos介紹
雙極互補(bǔ)金屬氧化半導(dǎo)體
BiCMOS
bipolar compIementary metal oxide semiconductor
將雙極器件的線性和速度與CMOS的低耗用功率、低熱耗散和較高密度相結(jié)合的集成電路工藝。它可以工作在ECL，(發(fā)射極耦合邏輯)電平或TTL(晶體管-晶體管邏輯)電平，并廣泛用于混合信號器件。應(yīng)用（１） 通信用數(shù)字邏輯電路、數(shù)字部件和門陣列等 由第二 [ 查看詳細(xì) ]
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